SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD5F4GQ6UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEY2GY 10.4671
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD5F4GQ6UEY2GY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 9 ns Blitz 1g x 4 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25WQ128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ128ESIGR 2.2300
RFQ
ECAD 5531 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 8 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25LF255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255Wigy 2.1590
RFQ
ECAD 8261 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25LF255Wigy 5.700 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIG 0,3167
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-tssop Herunterladen 1970-GD25WD40COIGRTR 3.000 100 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 12 ns Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 97 µs, 6 ms
GD25D40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D40EKIGR 0,3318
RFQ
ECAD 4259 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25d Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (1,5x1,5) Herunterladen 1970-GD25D40EKIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 6 ns Blitz 512k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
GD25B256EFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B256EFIGR 2.3755
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop Herunterladen 1970-GD25B256EFIGRTR 1.000 Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LQ20ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ESIGR 0,3167
RFQ
ECAD 4317 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Sop - - - 1970-GD25LQ20esigrtr 2.000 133 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 6 ns Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD5F2GQ5RFZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFZIGY 4.3225
RFQ
ECAD 4426 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv - - - 1970-GD5F2GQ5RFZigy 4.800
GD25LQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQegr 1.2496
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25LQ64EQegrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD5F4GQ6UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYJGR 8.0538
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 9 ns Blitz 512 MX 8 Spi - quad i/o 600 µs
GD55LT01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01GEY2GY 16.9841
RFQ
ECAD 7137 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD55LT01GEY2GY 4.800 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR 2.2300
RFQ
ECAD 521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25LQ128 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD55T01GEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEY2GR 16.7580
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55T Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD55T01GEY2GRTR 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, dtr - - -
GD55B01GEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B01GEY2GY 13.1250
RFQ
ECAD 2399 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD55B01GEY2GY 8542.32.0071 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25Q20ETJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20TJGR 0,3468
RFQ
ECAD 7610 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25Q20TJGrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 7 ns Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 140 µs, 4 ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG - - -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 9.500 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25WQ32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ32Sigr 1.1100
RFQ
ECAD 8604 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 8 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25WQ64ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ64Enigr 0,8999
RFQ
ECAD 8486 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x4) Herunterladen 1970-GD25WQ64Enigrtr 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 12 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25LQ255EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EBIRY 2.2364
RFQ
ECAD 6673 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD25LQ255ebiry 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi - - -
GD9FS2G8F3AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3AMGI 4.7315
RFQ
ECAD 9084 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-tsop i Herunterladen 1970-GD9FS2G8F3AMGI 960 Nicht Flüchtig 2Gbit 20 ns Blitz 256 mx 8 Parallel 25ns
GD25WD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80Tigy 0,3640
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25WD80Tigy 4,320 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - dual i/o 100 µs, 6 ms
GD55LT02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEB2RY 32.3250
RFQ
ECAD 3679 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT02GEB2RY 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR 0,5242
RFQ
ECAD 9750 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25B16EEERIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIGR 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIG 2.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) GD25Q127 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 12 µs, 2,4 ms
GD25WD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CTIG - - -
RFQ
ECAD 8082 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD40 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD25B512MEY2Grtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0,9126
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25LE64EQIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LE16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited Gd25le16eeer 0,7582
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25LE16EEEGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 6 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD25D20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D20tigig 0,2257
RFQ
ECAD 1882 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25d Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25d20etigrtr 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 6 ns Blitz 256k x 8 Spi - dual i/o 50 µs, 4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus