SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIGR 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CTIGR - - -
RFQ
ECAD 6107 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25LQ20 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIGR 0,6100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CNIGR - - -
RFQ
ECAD 7715 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CWIG - - -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0,8389
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CWIG 0,8900
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR - - -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LQ80 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CWIG 1.4800
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q127CFIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CFIG 2.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) GD25Q127 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 1.000 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 12 µs, 2,4 ms
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad GD25LQ16 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (4x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIG 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25LQ64 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25LQ256DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWIG 3.8600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25LQ256 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE40CEIGR - - -
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25VE40 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25VQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ80CEIGR - - -
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25VQ80 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 3 ms
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE32CVIGR - - -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VE32 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-VSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CEIGR 0,5200
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25WD20 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40CEIGR 0,3752
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25WD40 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD5F2GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGR - - -
RFQ
ECAD 9641 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VLGA Exposed Pad GD5F2GQ4 Flash - Nand 1,7 V ~ 2 V 8-lga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD25Q80CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIG 0,3045
RFQ
ECAD 6659 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 120 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q80CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CWIG - - -
RFQ
ECAD 2679 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0,6937
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 2.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJG - - -
RFQ
ECAD 4813 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 9.500 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0,5149
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 20.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32Cvigr - - -
RFQ
ECAD 1931 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-VSOP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CHIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32Chig - - -
RFQ
ECAD 8915 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-UFDFN Exposed Pad GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CZIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CZigy - - -
RFQ
ECAD 3104 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY - - -
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga GD25Q32 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q64CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJG - - -
RFQ
ECAD 5785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25Q64 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 9.500 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus