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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD55T02GEBARY | 39.0754 |  | 6092 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55T | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55T02GEBARY | 4.800 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o, dtr | - - - | ||||||||
| GD25LQ40Agr | 0,6929 | | 8244 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x2) | - - - | 1970-GD25LQ40EEAGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 6 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 100 µs, 4 ms | |||||||
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 | GD25LQ80CEIGR | - - - | | 4175 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LQ80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ16Enagr | 1.0670 | | 2163 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (3x4) | - - - | 1970-GD25LQ16enagrtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 6 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 100 µs, 4 ms | |||||||
| GD9FS1G8F3Algi | 2.6557 | | 4718 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 1970-GD9FS1G8F3Algi | 2.100 | |||||||||||||||||||||
| GD25LE80TIGIG | 0,3959 | | 1385 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25LE80TIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
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| Gd5f4gq6rey2gy | 10.6666 | | 5405 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | - - - | 1970-GD5F4GQ6REY2GY | 4.800 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 11 ns | Blitz | 1g x 4 | Spi - quad i/o, dtr | 600 µs | |||||||
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| GD25LB256ELIGR | 2.6281 | | 7016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 32-WLCSP | Herunterladen | 1970-GD25LB256ELIGRTR | 3.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 70 µs, 1,2 ms | |||||||
 | GD25VQ20CTIGR | - - - | | 6230 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25VQ20 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
| GD25Q127CSJGR | - - - | | 4258 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |||
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| GD25LQ20CEIGR | - - - | | 2521 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LQ20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
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| GD25WD05CEIGR | 0,2885 | | 1652 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25WD05 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |||
| GD25LQ32DSIG | 0,5485 | | 1330 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25LQ32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | |||
| GD9FS1G8F2DMGI | 2.3472 | | 5433 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD9f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nand (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 48-tsop i | Herunterladen | 1970-GD9FS1G8F2DMGI | 960 | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 16 ns | Blitz | 128 MX 8 | Onfi | 20ns, 600 µs | ||||||||
| GD5F2GQ5RFBIGY | 4.3225 | | 7761 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | - - - | 1970-GD5F2GQ5RFBIGY | 4.800 |
2000+
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