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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25Q32CTIGR | 1.0100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ20CTIGR | - - - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25LQ20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ16CSIGR | 0,6100 | ![]() | 19 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q16CNIGR | - - - | ![]() | 7715 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | GD25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (4x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q16CWIG | - - - | ![]() | 5049 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CSJGR | 0,8389 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CWIG | 0,8900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ80CEIGR | - - - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LQ80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q64CSJGR | 1.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q64CWIG | 1.4800 | ![]() | 59 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q127CFIG | 2.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-so-sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (4x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ64CWIG | 1.5800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25LQ64 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | |
![]() | GD25LQ256DWIG | 3.8600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25LQ256 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | |
![]() | GD25VE40CEIGR | - - - | ![]() | 6852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VE40 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |
![]() | GD25VQ80CEIGR | - - - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VQ80 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |
![]() | GD25VE32CVIGR | - - - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25VE32 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-VSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |
![]() | GD25WD20CEIGR | 0,5200 | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25WD20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
![]() | GD25WD40CEIGR | 0,3752 | ![]() | 7679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25WD40 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
![]() | GD5F2GQ4RF9IGR | - - - | ![]() | 9641 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-VLGA Exposed Pad | GD5F2GQ4 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 2 V | 8-lga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o | 700 µs | |
![]() | GD25Q80CTIG | 0,3045 | ![]() | 6659 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q80CWIG | - - - | ![]() | 2679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q80 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q16CSJGR | 0,6937 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q16 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CSJG | - - - | ![]() | 4813 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CTIG | 0,5149 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32Cvigr | - - - | ![]() | 1931 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32Chig | - - - | ![]() | 8915 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CZigy | - - - | ![]() | 3104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q32CBIGY | - - - | ![]() | 1367 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
![]() | GD25Q64CSJG | - - - | ![]() | 5785 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
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