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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25D10CTIGR | 0,3300 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25D10 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |||
![]() | GD55LT02GEBIRY | 21.8652 | ![]() | 6524 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LT02GEBIRY | 4.800 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | - - - | ||||||||
![]() | GD25LQ256DWAGY | 4.2161 | ![]() | 5956 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | - - - | 1970-GD25LQ256DWAGY | 5.700 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 4 ms | |||||||
![]() | GD25D40CEIGR | 0,3167 | ![]() | 8682 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25d | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25D40CEIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 6 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |||||||
![]() | GD25F128ESIGR | 1.1590 | ![]() | 6397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | 1970-GD25F128esigrtr | 2.000 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25LB32ES2GR | 0,9968 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | - - - | 1970-GD25LB32ES2Grtr | 2.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
![]() | GD25Q40CT2GR | 0,4949 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | - - - | 1970-GD25Q40CT2Grtr | 3.000 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 7 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 60 µs, 4 ms | |||||||
![]() | GD25Q32CWIG | 0,8900 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25LQ32En2gr | 1.1092 | ![]() | 9037 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (3x4) | - - - | 1970-GD25LQ32En2Grtr | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
![]() | GD25Q32CTIGR | 1.0100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25Q32CTIG | 0,5149 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25Q64CSIG | 0,7583 | ![]() | 3050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25VQ40CTIGR | 0,4033 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25VQ40 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
![]() | GD25LE128EWJGY | 1.5901 | ![]() | 1919 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD25LE128EWJGY | 5.700 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
![]() | GD55LX02GEBIRY | 26.2542 | ![]() | 8747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LX | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LX02GEBIRY | 4.800 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - oktal i/o, dtr | - - - | ||||||||
![]() | GD25LD80Tigy | 0,3167 | ![]() | 7655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LD | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | 1970-GD25LD80Tigy | 4,320 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 12 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - dual i/o | 100 µs, 6 ms | |||||||
![]() | GD25B16EEIGR | 0,5242 | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x2) | Herunterladen | 1970-GD25B16EEERIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | 7 ns | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 70 µs, 2 ms | |||||||
![]() | GD25Q127CSJG | - - - | ![]() | 1705 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25LE64EQIGR | 0,9126 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XDFN Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (4x4) | Herunterladen | 1970-GD25LE64EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
![]() | GD25LQ64EWIGR | 1.4800 | ![]() | 5696 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 60 µs, 2,4 ms | |||||
![]() | GD25VQ40CEIGR | - - - | ![]() | 6660 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VQ40 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |||
![]() | GD55LX512Webiry | 7.2778 | ![]() | 5998 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LX | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD55LX512Webiry | 4.800 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o, dtr | 50 µs, 1,2 ms | ||||||||
![]() | GD25F256FB2RY | 3.4593 | ![]() | 6033 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25F | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | 1970-GD25F256FB2RY | 4.800 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||
![]() | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-uson (4x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25Q127CSigr | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |||
![]() | GD25WR256EYIGY | 2.6761 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WR | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | - - - | 1970-GD25WR256EYIGY | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||||||||
![]() | GD25WQ32ELIGR | 0,7862 | ![]() | 2187 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WQ | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-WLCSP | - - - | 1970-GD25WQ32ELIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 8 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 120 µs, 4 ms | |||||||
![]() | GD25LE80CLIGR | 0,4949 | ![]() | 2758 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LE | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-WLCSP | Herunterladen | 1970-GD25LE80CLIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 6 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |||||||
![]() | Gd5f4gm8Uewigy | 6.1180 | ![]() | 5267 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | GD5f | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | 1970-GD5F4GM8UEWIGY | 5.700 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | 7 ns | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o, dtr | 600 µs | |||||||
![]() | GD25Q32CZigy | - - - | ![]() | 3104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
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