SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD55LT512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT512Webiry 5.4414
RFQ
ECAD 5146 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT512Webiry 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 50 µs, 1,2 ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGY - - -
RFQ
ECAD 6035 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-VLGA Exposed Pad GD5F2GQ4 Flash - Nand 1,7 V ~ 2 V 8-lga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.800 120 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o 700 µs
GD25LE255ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255ELIGR 2.4585
RFQ
ECAD 4956 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25le255eligrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25B512MEYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512meyeg 6.0164
RFQ
ECAD 5649 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25B512meyegrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LE80CLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80CLIGR 0,4949
RFQ
ECAD 2758 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2,1 V. 8-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE80CLIGRTR 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25Q256EWJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWJGR 2.8771
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25Q256EWJGrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEEJGR 0,5939
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25Q16eejgrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 140 µs, 4 ms
GD25F128FS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FS2GR 1.9881
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop - - - 1970-GD25F128FS2Grtr 2.000 200 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LE64ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ELIGR 0,9266
RFQ
ECAD 4265 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 16-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE64ELIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD55LT01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01gebary 18.5000
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT01gebary 4.800 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD9FS1G8F2DMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F2DMGI 2.3472
RFQ
ECAD 5433 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 48-tsop i Herunterladen 1970-GD9FS1G8F2DMGI 960 Nicht Flüchtig 1Gbit 16 ns Blitz 128 MX 8 Onfi 20ns, 600 µs
GD55LX512WEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX512Webiry 7.2778
RFQ
ECAD 5998 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LX Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LX512Webiry 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - oktal i/o, dtr 50 µs, 1,2 ms
GD25B16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16EEIGR 0,5242
RFQ
ECAD 9750 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25B16EEERIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD5F4GQ6UEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEY2GY 10.4671
RFQ
ECAD 1509 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) - - - 1970-GD5F4GQ6UEY2GY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 4Gbit 9 ns Blitz 1g x 4 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512Mefarr 11.5349
RFQ
ECAD 2693 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25X Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop - - - 1970-GD25x512Mefarrtr 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - oktal i/o - - -
GD55LT02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT02GEBIRY 21.8652
RFQ
ECAD 6524 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT02GEBIRY 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25F256FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FWIG 2.3373
RFQ
ECAD 4694 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) - - - 1970-GD25F256fwigtr 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q16EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EQIGR 0,5678
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25Q16eqigrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2 ms
GD9FS1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F3Algi 2.6557
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Tablett Aktiv - - - 1970-GD9FS1G8F3Algi 2.100
GD25F64FQ2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F64FQ2gr 1.5077
RFQ
ECAD 3349 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-uson (4x4) - - - 1970-GD25F64FQ2Grtr 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, dtr - - -
GD25LE128ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128ELIGR 1.4105
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 16-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE128ELIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LE16ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16ETIGR 0,5242
RFQ
ECAD 5143 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Sop - - - 1970-GD25LE16ETIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 6 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD55X01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEB2RY 20.2027
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55X Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55X01GEB2RY 4.800 200 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - oktal i/o, dtr - - -
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBIRY 2.3562
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen 1970-GD25LB256ebiry 4.800 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 70 µs, 1,2 ms
GD25LE128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128EQIGR 1.3702
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25LE128EQIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25WD80ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD80Tigy 0,3640
RFQ
ECAD 4418 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25WD80Tigy 4,320 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit 6 ns Blitz 1m x 8 Spi - dual i/o 100 µs, 6 ms
GD25LB128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EWIGR 1.4109
RFQ
ECAD 1554 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25LB128EWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25LE32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ELIGR 0,7582
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 10-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 10-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE32ELIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 6 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LB16EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB16EEIGR 0,5678
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (3x2) Herunterladen 1970-GD25LB16EEIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 6 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0,5373
RFQ
ECAD 4717 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Sop - - - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 133 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 6 ns Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus