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Speicher(847)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q256EWJGR | 2.8771 |  | 5497 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | 1970-GD25Q256EWJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O | - | ||||||||
 | GD25Q64CSIG | 0,7583 | | 3050 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Rohr | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | GD25Q64 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q80CTIG | 0,3045 | | 6659 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Rohr | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | GD25Q80 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LB128EWIGR | 1.4109 | | 1554 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | 1970-GD25LB128EWIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25LX512MEB2RY | 10.5735 | | 4718 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LX | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD25LX512MEB2RY | 4.800 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Oktaler I/O, DTR | - | ||||||||
| GD25LQ64EWIGR | 1.4800 | | 5696 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | 6 ns | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O | 60µs, 2,4ms | |||||
 | GD5F4GQ4UBYIGR | - | | 3755 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD5F4GQ4 | FLASH - NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 4Gbit | BLITZ | 512M x 8 | SPI – Quad-I/O | ||||
 | GD25Q32CVIGR | - | | 1931 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | GD25Q32 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
 | GD25D10CKIGR | 0,2885 | | 9673 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XFDFN freiliegendes Pad | GD25D10 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (1,5x1,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht flüchtig | 1Mbit | BLITZ | 128K x 8 | SPI – Dual-I/O | 50µs, 4ms | |||
 | GD25LQ64CWIGR | 1.5800 | | 3 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD25LQ64 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 2 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O | 2,4 ms | |||
| GD25Q16CWIGR | - | | 5049 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD25Q16 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 16Mbit | BLITZ | 2M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LB512MEBIRY | 4.6550 | | 1734 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LB | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | 1970-GD25LB512MEBIRY | 4.800 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | - | ||||||||
| GD25LQ16CWIGR | - | | 8392 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD25LQ16 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 2,1 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 16Mbit | BLITZ | 2M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ80EEIGR | 0,4368 | | 6050 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XFDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-USON (3x2) | herunterladen | 1970-GD25LQ80EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | 6 ns | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 60 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD25B256EFIRY | 2.4461 | | 9293 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25B | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP | herunterladen | 1970-GD25B256EFIRY | 1.760 | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O | - | |||||||||
| GD25LQ128DWIGR | 2.2900 | | 5 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD25LQ128 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 2 V | 8-WSON (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O | 2,4 ms | |||
| GD25LQ128DYIGR | 2.2300 | | 521 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | GD25LQ128 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 2 V | 8-WSON (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O | 2,4 ms | |||
 | GD25Q80EEIGR | 0,6300 | | 35 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XFDFN freiliegendes Pad | GD25Q80 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 1970-GD25Q80EEIGRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 8Mbit | 7 ns | BLITZ | 1M x 8 | SPI – Quad-I/O | 70µs, 2ms | |
 | GD5F2GQ4RF9IGR | - | | 9641 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-VLGA freiliegendes Pad | GD5F2GQ4 | FLASH - NAND | 1,7 V ~ 2 V | 8-LGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 2Gbit | BLITZ | 256M x 8 | SPI – Quad-I/O | 700µs | |||
| GD25Q40CTIGR | 0,5200 | | 5 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | GD25Q40 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q127CSJGR | - | | 4258 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | GD25Q127 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O | 12µs, 2,4ms | |||
| GD55LT01GEBARY | 18.5000 | | 6306 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD55LT | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | - | 1970-GD55LT01GEBARY | 4.800 | Nicht flüchtig | 1Gbit | BLITZ | 128M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | - | |||||||||
| GD25Q32CHIGR | - | | 8915 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-UFDFN freiliegendes Pad | GD25Q32 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (3x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25Q40CEIGR | 0,4800 | | 25 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XFDFN freiliegendes Pad | GD25Q40 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25WD20ETIGR | 0,2490 | | 4515 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25WD | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | 1970-GD25WD20ETIGRTR | 3.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 6 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Dual-I/O | 100µs, 6ms | |||||||
| GD25Q128EQIGR | 1.2544 | | 8834 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USON (4x4) | herunterladen | 1970-GD25Q128EQIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 7 ns | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O | 70 µs, 2,4 ms | |||||||
| GD55LF511MEWIGR | 4.3329 | | 5111 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | 1970-GD55LF511MEWIGRTR | 3.000 | |||||||||||||||||||||
| GD25Q16ETJGR | 0,5515 | | 7734 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25Q | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOP | herunterladen | 1970-GD25Q16ETJGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 16Mbit | 7 ns | BLITZ | 2M x 8 | SPI – Quad-I/O | 140µs, 4ms | |||||||
| GD25Q32CZIGY | - | | 3104 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | GD25Q32 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O | 50 µs, 2,4 ms | |||
| GD25LQ20EEIGR | 0,3515 | | 2521 | 0,00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | GD25LQ | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-XFDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-USON (3x2) | herunterladen | 1970-GD25LQ20EEIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 6 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Quad-I/O | 60µs, 2,4ms |
2000+
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