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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25Q32Cvigr | - - - |  | 1931 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-VSOP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
 | GD25Q32Chig | - - - | | 8915 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (3x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q32CZigy | - - - | | 3104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q32CBIGY | - - - | | 1367 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q32 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
 | GD25Q64CSJG | - - - | | 5785 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q64 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q127CSIG | 1.2501 | | 4780 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q127CSJGR | - - - | | 4258 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q127CSJG | - - - | | 1705 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25Q127 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o | 12 µs, 2,4 ms | |
| GD25Q256DBIGY | 2.7874 | | 1362 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25Q256 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25S512MDBIGY | - - - | | 3215 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | GD25S512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
 | GD25LD20CUIGR | - - - | | 7417 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LD20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - dual i/o | 97 µs, 6 ms | |
 | GD25LQ20COIG | - - - | | 1997 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | GD25LQ20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25LQ40COIG | - - - | | 5725 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | GD25LQ40 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25LD80CEIGR | 0,4033 | | 9208 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25LD80 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 50 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - dual i/o | 60 µs, 6 ms | |
| GD25LQ16LIGR | 0,7052 | | 3049 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFBGA, WLCSP | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-WLCSP | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
 | GD25LQ16CWIG | - - - | | 8392 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD25LQ16 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2,1 V. | 8-Wson (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 2,4 ms | |
| GD25LQ32DSIG | 0,5485 | | 1330 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25LQ32 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 9.500 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 2,4 ms | |
| GD25VQ40CEIGR | - - - | | 6660 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VQ40 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |
| GD25VQ16CTIGR | - - - | | 5684 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25VQ16 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |
| GD25VQ16CEIGR | - - - | | 6231 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25VQ16 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | 50 µs, 3 ms | |
| GD25VE16CSIG | - - - | | 8920 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | GD25VE16 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |
| GD25VE16CTIG | - - - | | 5747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25VE16 | Flash - Nor | 2,1 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o | - - - | |
| GD25WD20CTIG | - - - | | 4305 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25WD20 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
| GD25WD40CTIG | - - - | | 8082 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25WD40 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 20.000 | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | - - - | ||
 | GD5F2GQ4UEYIGY | - - - | | 2825 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD5F2GQ4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 2Gbit | Blitz | 256 mx 8 | Spi - quad i/o | 700 µs | |
| GD5F4GQ4RCYIGY | - - - | | 1688 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD5F4GQ4 | Flash - Nand | 1,7 V ~ 2 V | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o | ||
| GD5F4GQ4UBYIGR | - - - | | 3755 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD5F4GQ4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o | ||
| GD5F4GQ4UCYIGY | - - - | | 2289 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | GD5F4GQ4 | Flash - Nand | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.800 | 120 MHz | Nicht Flüchtig | 4Gbit | Blitz | 512 MX 8 | Spi - quad i/o | ||
| GD25D05CEIGR | 0,2404 | | 3862 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-XFDFN Exposed Pad | GD25D05 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512Kbit | Blitz | 64k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms | |
| GD25D10CTIGR | 0,3300 | | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | GD25D10 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 1Mbit | Blitz | 128k x 8 | Spi - dual i/o | 50 µs, 4 ms |
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