SIC
close
Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
GD25WD05CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD05CTIG - - -
RFQ
ECAD 7306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD05 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 100 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25Q16CTEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16ctegr 1.2500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q16 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LB64EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB64EWIGR 0,9126
RFQ
ECAD 8288 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25LB64EWIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25S512MDYEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25S512MDYEG 6.0164
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25s Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD25S512MDyegrtr 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 7 ns Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,5 ms
GD25LD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD05CEIGR 0,2725
RFQ
ECAD 3135 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LD05 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 50 MHz Nicht Flüchtig 512Kbit Blitz 64k x 8 Spi - dual i/o 55 µs, 6 ms
GD25Q80CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CTIGR 0,6100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25Q80 Flash - Nor 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25VE20CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VE20CSIG 0,3045
RFQ
ECAD 6545 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25VE20 Flash - Nor 2,1 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 9.500 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CEIGR - - -
RFQ
ECAD 6319 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad GD25LQ40 Flash - Nor 1,65 V ~ 2,1 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o 50 µs, 2,4 ms
GD25LQ64CQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64Cqigig - - -
RFQ
ECAD 9390 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad GD25LQ64 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD5F2GM7UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEYIGY 3.2825
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD5F2GM7UEYIGY 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 2Gbit 7 ns Blitz 256 mx 8 Spi - quad i/o, dtr 600 µs
GD25LQ128EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128EFIRR 1.4778
RFQ
ECAD 3146 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 16-so-sop Herunterladen 1970-GD25LQ128EFIRRTR 1.000 120 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD55LT01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT01gebary 18.5000
RFQ
ECAD 6306 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LT Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LT01gebary 4.800 Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr - - -
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512Mefarr 11.5349
RFQ
ECAD 2693 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25X Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 16-so-sop - - - 1970-GD25x512Mefarrtr 1.000 200 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - oktal i/o - - -
GD25F256FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F256FWIG 2.3373
RFQ
ECAD 4694 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) - - - 1970-GD25F256fwigtr 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 256mbit Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o - - -
GD55X01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55X01GEB2RY 20.2027
RFQ
ECAD 9611 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55X Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55X01GEB2RY 4.800 200 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit Blitz 128 MX 8 Spi - oktal i/o, dtr - - -
GD55LB01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01gebary 16.3989
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD55LB01gebary 4.800 133 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 6 ns Blitz 128 MX 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 140 µs, 2 ms
GD9FS2G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3Algi 4.7455
RFQ
ECAD 9598 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD9f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 63-VFBGA Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 63-FBGA (9x11) Herunterladen 1970-GD9FS2G8F3Algi 2.100 Nicht Flüchtig 2Gbit 20 ns Blitz 256 mx 8 Parallel 25ns
GD25WQ16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ16ESIGR 0,5387
RFQ
ECAD 6785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen 1970-GD25WQ16ESIGRTR 2.000 104 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 12 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o 120 µs, 4 ms
GD25LE255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE255ESIGR 2.1993
RFQ
ECAD 1072 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-Sop - - - 1970-GD25LE255ESIGRTR 2.000 133 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25B64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64EWIGY 0,8247
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25B Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) Herunterladen 1970-GD25B64EWIGY 5.700 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 70 µs, 2,4 ms
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIG 1.3702
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25F Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,7 V ~ 3,6 V. 8-Wson (5x6) - - - 1970-GD25F128FWIGTR 3.000 200 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LE64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64NGR 1.2636
RFQ
ECAD 5828 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-udfn Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (3x4) Herunterladen 1970-GD25LE64Negrtr 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 100 µs, 4 ms
GD5F1GQ5REYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIGY 2.3962
RFQ
ECAD 1854 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD5f Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nand (SLC) 1,7 V ~ 2 V 8-Wson (6x8) Herunterladen 1970-GD5F1GQ5REYIGY 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 1Gbit 9,5 ns Blitz 256 mx 4 Spi - quad i/o, qpi, dtr 600 µs
GD25LQ64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64ESIGR 1.3200
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) GD25LQ64 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 7 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o 60 µs, 2,4 ms
GD25LQ32DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DLIGR 0,9136
RFQ
ECAD 4028 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 10-XFBGA, WLCSP GD25LQ32 Flash - Nor 1,65 V ~ 2 V 10-WLCSP Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 120 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o 2,4 ms
GD25WD20CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD20CTIG - - -
RFQ
ECAD 4305 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) GD25WD20 Flash - Nor 1,65 V ~ 3,6 V. 8-Sop Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 20.000 Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o - - -
GD25LE32E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32E3IGR 0,7363
RFQ
ECAD 6882 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 10-XFBGA, WLCSP Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 10-WLCSP Herunterladen 1970-GD25LE32E3IGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 32Mbit 6 ns Blitz 4m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LH32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LH32Enigr 0,7301
RFQ
ECAD 2833 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited - - - Band & Rollen (TR) Aktiv - - - 1970-GD25LH32Enigrtr 3.000
GD25LQ64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64EQIGR 0,8986
RFQ
ECAD 9691 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XDFN Exponierte Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 8-uson (4x4) Herunterladen 1970-GD25LQ64EQIGRTR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 6 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi 60 µs, 2,4 ms
GD25LQ128DBAGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DBally 2.5210
RFQ
ECAD 8554 0.00000000 Gigadevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ Tablett Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) - - - 1970-GD25LQ128DBally 4.800 104 MHz Nicht Flüchtig 128mbit 6 ns Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi 4 ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus