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Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS25WD040-JKLE	- - -	RFQ	9796	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	IS25WD040	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	Nicht Flüchtig	4mbit		Blitz	512k x 8	Spi	3 ms
IS61NVF51236-6.5TQL	- - -	RFQ	9742	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NVF51236	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS46TR16640CL-107MBLA3	- - -	RFQ	1882	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16640	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS46TR16640CL-107MBLA3	Ear99	8542.32.0032	190	933 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS62LV256AL-20TLI	1.2315	RFQ	3664	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit)	IS62LV256	SRAM - Asynchron	3v ~ 3,6 V	28-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0041	234		Flüchtig	256Kbit	20 ns	Sram	32k x 8	Parallel	20ns
IS46QR16512A-075VBLA1	21.4870	RFQ	7873	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga		SDRAM - DDR4	1,14 V ~ 1,26 V.	96-TWBGA (10x14)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS46QR16512A-075VBLA1			136	1,333 GHz	Flüchtig	8gbit	18 ns	Dram	512 mx 16	Parallel	15ns
IS49NLC36160A-18WBLI	57.2059	RFQ	8810	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga		RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-TWBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS49NLC36160A-18WBLI			104	533 MHz	Flüchtig	576mbit	15 ns	Dram	16m x 36	Hstl	- - -
IS43R16320E-6TLI	7.0644	RFQ	4916	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16320	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS63LV1024L-10JLI-TR	- - -	RFQ	4063	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit)	IS63LV1024	SRAM - Asynchron	3,15 V ~ 3,45 V.	32-soj	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	1Mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallel	10ns
IS42S16160G-6BI-Tr	- - -	RFQ	5480	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	166 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS42RM16200C-75BLI	- - -	RFQ	1395	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42RM16200	Sdram - Mobil	2,3 V ~ 2,7 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	Flüchtig	32Mbit	6 ns	Dram	2m x 16	Parallel	- - -
IS42S32400E-7TLI-TR	- - -	RFQ	9995	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS42SM32160C-75BL-TR	- - -	RFQ	3137	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-LFBGA	IS42SM32160	Sdram - Mobil	2,7 V ~ 3,6 V.	90-WBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.500	133 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS61NLF102418-6.5TQ	- - -	RFQ	4862	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLF102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS61LV256-12TLI-TR	- - -	RFQ	5845	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	28-tssop (0,465 ", 11.80 mm Breit)	IS61LV256	SRAM - Asynchron	3v ~ 3,6 V	28-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	256Kbit	12 ns	Sram	32k x 8	Parallel	12ns
IS25LX512M-JHLE-TR	7.2900	RFQ	1392	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga	IS25LX512m	Blitz	2,7 V ~ 3,6 V.	24-TFBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LX512M-JHLE-TR	3a991b1a	8542.32.0071	2.500	133 MHz	Nicht Flüchtig	512mbit		Blitz	64m x 8	Spi - oktal i/o	- - -
IS45S16160J-7CTLA1-TR	4.6246	RFQ	1037	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS42S16320F-7BL	10.6570	RFQ	8589	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16320	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	240	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	32m x 16	Parallel	- - -
IS43TR82560BL-125KBL-TR	- - -	RFQ	2477	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR82560	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS43TR82560BL-125KBL-TR	Ear99	8542.32.0036	2.000	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR	2.2990	RFQ	1336	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga		Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V.	24-TFBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR			2.500	200 MHz	Flüchtig	16mbit		Psram	4m x 4	Spi - quad i/o	40ns
IS46R86400D-6TLA1	9.1584	RFQ	2197	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS46R86400	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
IS64LPS102436B-166B2LA3	- - -	RFQ	4777	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	119-BBGA	IS64LPS102436	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	119-PBGA (14x22)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	84	166 MHz	Flüchtig	36Mbit	3.8 ns	Sram	1m x 36	Parallel	- - -
IS42S32400D-7TI	- - -	RFQ	8712	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS45S16160J-7CTLA2-TR	5.0808	RFQ	1152	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS65WV102416DBLL-55CTLA3	10.5176	RFQ	4819	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS65WV102416	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	96		Flüchtig	16mbit	55 ns	Sram	1m x 16	Parallel	55ns
IS42S32200L-6TLI	4.2782	RFQ	1461	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS42S32400E-6BL	- - -	RFQ	6421	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS43R16160F-6TL-TR	2.4388	RFQ	3033	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	166 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns
IS46TR82560B-15HBLA2	- - -	RFQ	3933	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS46TR82560	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS46TR82560B-15HBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	667 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS61LF12836EC-7.5TQLI-TR	6.8099	RFQ	4302	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LF12836	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	117 MHz	Flüchtig	4,5mbit	7,5 ns	Sram	128k x 36	Parallel	- - -
IS61LPD102418A-200TQI	- - -	RFQ	6446	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LPD102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,6 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	200 MHz	Flüchtig	18mbit	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²