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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LR32320C-5BLI-TR | 8.3524 |  | 2827 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32320C-5BLI-TR | 2.500 | 208 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | DRAM | 32M x 32 | Parallel | 14,4 ns | |||||
 | IS61VPS51236A-250B3 | - | | 4919 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61VPS51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-PBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61NLP25636A-200B3LI | 15.5879 | | 9730 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61DDB22M18-250M3 | - | | 6872 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61DDB22 | SRAM – Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | |||
| IS61NLP102418B-200B3LI | 20.7400 | | 9334 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS62WV10248DBLL-55TLI-TR | - | | 6132 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS62WV10248 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 55ns | |||
| IS43LQ32640AL-062TBLI | 10.4241 | | 9537 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-TFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ32640AL-062TBLI | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 64M x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS43R86400F-5TL-TR | 3.2532 | | 7255 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43R86400F-5TL-TR | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | SSTL_2 | 15ns | |||||
 | IS43DR16640C-25DBLI-TR | 5.0239 | | 9280 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61WV25616BLS-25TLI | 4.4433 | | 3313 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61WV25616 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 25 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 25ns | |||
 | IS41LV16100C-50TI | - | | 6908 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 44 Anschlüsse | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 2,97 V ~ 3,63 V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | 85ns | |||
 | IS62WV102416ALL-35TLI | 21.9142 | | 4482 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16Mbit | 35 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 35ns | |||
 | IS42S32160C-6BLI | - | | 4512 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-WBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
| IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 8,5785 | | 7042 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR | 2.500 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
| IS61WV10248EEBLL-10TLI | 7.2875 | | 9846 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
 | IS43LD32128B-25BPLI-TR | 12.4500 | | 8543 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
| IS43TR81024B-125KBL | 20.8861 | | 2010 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024B-125KBL | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS62WV51216HBLL-45B2LI | 5.5800 | | 460 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI | 480 | Flüchtig | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 45ns | ||||||
 | IS49NLS96400-25BI | - | | 9190 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64M x 9 | Parallel | - | ||
| IS61NLF102418-6.5B3I-TR | - | | 1120 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 6,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS42S32200C1-7T-TR | - | | 7462 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S16400F-6BL | - | | 9206 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS42S16160D-7BL-TR | - | | 9259 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TW-BGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS45S16400J-6TLA2 | - | | 8961 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
| IS43TR82560D-107MBLI-TR | 4.4619 | | 3038 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR82560D-107MBLI-TR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS46TR16512AL-15HBLA2-TR | - | | 6657 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-LFBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16512AL-15HBLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS43TR16640BL-125JBL | - | | 1823 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS62C1024AL-35QLI-TR | 2.6100 | | 8 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,445", 11,30 mm Breite) | IS62C1024 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 35 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 35ns | |||
| IS25WP256E-JLLE | 4.0444 | | 5161 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | ||||||
| IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1319 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 8 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 8ns |
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