Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS45S16320F-7BLA2 | 15.8813 | ![]() | 1049 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP040E-JNLA3-TR | 0,4861 | ![]() | 6284 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP040E-JNLA3-TR | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 40 µs, 1,2 ms | |||||
![]() | IS45S32200L-7BLA2 | 6.3035 | ![]() | 3933 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43LR16320C-5BLI | 6.8653 | ![]() | 6545 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16320C-5BLI | 300 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5 ns | Dram | 32m x 16 | Lvcmos | 15ns | |||||
![]() | IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 4.8440 | ![]() | 7449 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | Flüchtig | 256mbit | 40 ns | Psram | 32m x 8 | Parallel | 40ns | |||||
![]() | IS62WV5128ebll-45qli-Tr | 4.0037 | ![]() | 2398 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-sout | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 45ns | |||
![]() | IS25WJ032F-JNLE | 1.0600 | ![]() | 365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25WJ032F | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WJ032F-JNLE | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | |
![]() | IS61NVF25672-6.5B1I | - - - | ![]() | 3918 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NVF25672 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS45S16160G-7BLA1-TR | 6.6150 | ![]() | 3327 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS45S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61VPS51236A-200b3i | - - - | ![]() | 3299 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46LD32128C-25BPLA2 | - - - | ![]() | 5780 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128C-25BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
![]() | IS25LP128F-rhla3-tr | 2.4676 | ![]() | 5098 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP128F-RHLA3-TR | 2.500 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS25LQ025B-JBLE-TR | - - - | ![]() | 9013 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LQ025 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Blitz | 32k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | |||
IS43DR16128C-3DBLI | 11.9772 | ![]() | 2240 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1569 | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS25LP256E-RHLE-TR | 3.6170 | ![]() | 9881 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP256E-RHLE-TR | 2.500 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||||
![]() | IS42S16400E-7TL | 1.1100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | - - - | Rohs Nick Konform | Verkäfer undefiniert | 2156-IS42S16400E-7TL | Ear99 | 8542.32.0002 | 1 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Lvttl | - - - | ||
![]() | IS61NVF102418-7.5B3I | - - - | ![]() | 6844 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NVF102418 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP040E-JBLE-TR | - - - | ![]() | 6618 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP040E-Jble-tr | Ear99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 1,2 ms | |
![]() | IS46TR16256BL-107MBLA2 | 10.3181 | ![]() | 6906 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16256BL-107MBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS46QR81024A-083TBLA1 | 19.5816 | ![]() | 3735 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024A-083TBLA1 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS61QDP2B41M18A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 9576 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDP2 | SRAM - Synchron, Quadp | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25WP01G-RILA3 | 13.3836 | ![]() | 7343 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-LFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP01G-RILA3 | 480 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 10 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
![]() | IS46TR81280C-125JBLA25-TR | - - - | ![]() | 4470 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS49NLS18160A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS18160A-25WBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Hstl | - - - | ||||
![]() | IS64LF12836EC-7.5B3LA3 | 11.4523 | ![]() | 6890 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS64LF12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS26KL512S-DABLI00 | - - - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-vbga | IS26KL512 | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS26KL512S-dabli00 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 338 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | 96 ns | Blitz | 64m x 8 | Parallel | - - - | |
![]() | IS49NLC18160-25BL | - - - | ![]() | 9364 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 16m x 18 | Parallel | - - - | ||
IS61WV51216BLL-10TLI-TR | 12.3000 | ![]() | 9043 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS42S86400D-7TLI | 14.1882 | ![]() | 2540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S86400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 64m x 8 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43LD16640D-18BLI-TR | 6.8495 | ![]() | 4778 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Band & Rollen (TR) | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD16640D-18BLI-TR | 2.000 |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
Standardprodukteinheit
Weltweite Hersteller
Lagerhaus