SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS25LP128F-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JKLE-TR 1.6644
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad Flash - Nor (SLC) 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25LP128F-JKLE-TR 4.500 166 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 40 µs, 800 µs
IS42RM16160D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160D-7BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 7423 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42RM16160 Sdram - Mobil 2,3 V ~ 2,7 V 54-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS61LF102418B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQLI-TR 14.2500
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS61LPS12836A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200b2i-TR - - -
RFQ
ECAD 6957 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 119-BBGA IS61LPS12836 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 119-PBGA (14x22) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 200 MHz Flüchtig 4,5mbit 3.1 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
IS61QDB21M36C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M36C-250M3L - - -
RFQ
ECAD 2734 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDB21 SRAM - Synchron, Quad 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 1m x 36 Parallel - - -
IS43TR16640B-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI - - -
RFQ
ECAD 7436 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 5336 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WV1M16 Psram (pseudo sram) 2,5 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 16mbit 70 ns Psram 1m x 16 Parallel 70ns
IS61LF25636A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQI-Tr - - -
RFQ
ECAD 9301 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF25636 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,6 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 117 MHz Flüchtig 9mbit 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
IS42S16100C1-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TLI - - -
RFQ
ECAD 8177 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 50-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 117 143 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS61NVF51236B-6.5TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5TQL-TR 14.5708
RFQ
ECAD 6141 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61NVF51236 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-70BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 7100 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WVE1M16 Psram (pseudo sram) 2,7 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 16mbit 70 ns Psram 1m x 16 Parallel 70ns
IS61LV5128AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10TLI-TR 3.3915
RFQ
ECAD 9529 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61LV5128 SRAM - Asynchron 3,135 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 512k x 8 Parallel 10ns
IS43TR85120A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBL-TR - - -
RFQ
ECAD 3866 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-TWBGA (9x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 800 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 512 MX 8 Parallel 15ns
IS25WQ020-JZLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JZLE-TR 0,2400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-XFDFN Exposed Pad Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 1,95 V. 8-XSON (2x3) Herunterladen Ear99 8542.32.0071 1 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit 8 ns Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 25 µs, 1 ms
IS43TR16640C-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-107MBLI 4.5500
RFQ
ECAD 346 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR16640C-107MBLI Ear99 8542.32.0032 190 933 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS25LP512MG-JLLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-JLLI - - -
RFQ
ECAD 7207 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25LP512 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (8x6) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS25LP512MG-JLLI 3a991b1a 8542.32.0071 480 166 MHz Nicht Flüchtig 512mbit 5.5 ns Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 2 ms
IS61LF51236A-7.5B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7,5B3LI - - -
RFQ
ECAD 6391 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LF51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS61LPS51218A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51218A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
ECAD 1671 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LPS51218 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 200 MHz Flüchtig 9mbit 3.1 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
IS25LP016D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JMLE-TR 0,9124
RFQ
ECAD 4201 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) IS25LP016 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS25LP016D-JMLE-TR Ear99 8542.32.0071 1.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS46R16160D-5TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5TLA1-TR 5.8917
RFQ
ECAD 7788 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 200 MHz Flüchtig 256mbit 700 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
IS25LQ080B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JKLE - - -
RFQ
ECAD 7429 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25LQ080 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (6x5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1330 Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 1 ms
IS46TR16640ED-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 8.2688
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46TR16640ED-125KBLA2-TR 1.500 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS42S32400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T - - -
RFQ
ECAD 4147 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS43TR82560DL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-125KBL 3.8053
RFQ
ECAD 7041 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR82560DL-125KBL Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS62WV5128BLL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI 4.6900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV5128 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 117 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Parallel 55ns
IS25LP128F-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE-TR 1.8644
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25LP128 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 4.000 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS62C25616BL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C25616BL-45TLI - - -
RFQ
ECAD 2279 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62C25616 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 135 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Parallel 45ns
IS42S32400B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7TL-TR - - -
RFQ
ECAD 8104 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS42S32800D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6BL-TR - - -
RFQ
ECAD 9828 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS61DDB41M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M18A-250M3L 32.3796
RFQ
ECAD 1510 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61DDB41 SRAM - Synchron, DDR II 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 105 250 MHz Flüchtig 18mbit 8.4 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus