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Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS61VPS102436B-250TQLI	102.5711	RFQ	2161	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61VPS102436	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	250 MHz	Flüchtig	36Mbit	2,8 ns	Sram	1m x 36	Parallel	- - -
IS61LPS102418A-200B3I	- - -	RFQ	1131	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61LPS102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	200 MHz	Flüchtig	18mbit	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS42S32160B-75ETLI	- - -	RFQ	2550	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	133 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS45S16800E-7TLA1	- - -	RFQ	8483	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS43TR85120A-125KBLI	- - -	RFQ	1771	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR85120	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (9x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	512 MX 8	Parallel	15ns
IS61WV102416BLL-10MI-TR	- - -	RFQ	1911	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS61WV102416	SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	48-minibga (9x11)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	16mbit	10 ns	Sram	1m x 16	Parallel	10ns
IS61QDB24M18A-250B4LI	74.4172	RFQ	2689	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61QDB24	SRAM - Synchron, Quad	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	250 MHz	Flüchtig	72Mbit	1,8 ns	Sram	4m x 18	Parallel	- - -
IS46TR16640BL-125JBLA2	- - -	RFQ	4451	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16640	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	Q9835646	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS61QDP2B42M36A-400M3L	100.1770	RFQ	7088	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61QDP2	SRAM - Synchron, Quadp	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	105	400 MHz	Flüchtig	72Mbit	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallel	- - -
IS25LQ016B-JKLE-TR	- - -	RFQ	7761	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	IS25LQ016	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	3.000	104 MHz	Nicht Flüchtig	16mbit		Blitz	2m x 8	Spi - quad i/o	1 ms
IS43LR16640A-5BL-TR	9.2850	RFQ	5760	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43LR16640	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	60-TWBGA (8x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	2.000	200 MHz	Flüchtig	1Gbit	5 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS45S32200E-7BLA2-TR	- - -	RFQ	8274	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS45S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	143 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS42VS16160J-75TLI	- - -	RFQ	2025	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42VS16160	Sdram	1,7 V ~ 1,9 V.	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	348	133 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS42S16800D-7T	- - -	RFQ	3973	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS42S16800E-7TLI	- - -	RFQ	6490	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS25WP032D-JMLE-TR	1.0329	RFQ	1868	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	IS25WP032	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	1.000	133 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS42VM32160D-6BLI-TR	- - -	RFQ	3500	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42VM32160	Sdram - Mobil	1,7 V ~ 1,95 V.	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.500	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS61LPS51218A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	1671	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LPS51218	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	9mbit	3.1 ns	Sram	512k x 18	Parallel	- - -
IS43TR82560DL-125KBL	3.8053	RFQ	7041	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR82560	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS43TR82560DL-125KBL	Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS62WV5128BLL-55T2LI	4.6900	RFQ	5	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS62WV5128	SRAM - Asynchron	2,5 V ~ 3,6 V.	32-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	117		Flüchtig	4mbit	55 ns	Sram	512k x 8	Parallel	55ns
IS42S32400D-6T	- - -	RFQ	4147	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS25LP016D-JMLE-TR	0,9124	RFQ	4201	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	IS25LP016	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LP016D-JMLE-TR	Ear99	8542.32.0071	1.000	133 MHz	Nicht Flüchtig	16mbit		Blitz	2m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS25LQ080B-JKLE	- - -	RFQ	7429	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	IS25LQ080	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1330	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	Nicht Flüchtig	8mbit		Blitz	1m x 8	Spi - quad i/o	1 ms
IS61LF51236A-7,5B3LI	- - -	RFQ	6391	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61LF51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS61LF102418B-6.5TQLI-TR	15.0000	RFQ	9157	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LF102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS62C25616BL-45TLI	- - -	RFQ	2279	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS62C25616	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	135		Flüchtig	4mbit	45 ns	Sram	256k x 16	Parallel	45ns
IS43DR86400C-25DBLI-TR	6.2550	RFQ	4866	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43DR86400	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	60-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.000	400 MHz	Flüchtig	512mbit	400 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
IS43R16160D-6BL-TR	4.6890	RFQ	6581	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	166 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns
IS42VM32200K-75BLI	- - -	RFQ	9181	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42VM32200	Sdram - Mobil	1,7 V ~ 1,95 V.	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	133 MHz	Flüchtig	64Mbit	6 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS25WP032A-JBLE-TR	- - -	RFQ	6757	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit)	IS25WP032	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	2.000	133 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²