SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42S83200B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-7TI - - -
RFQ
ECAD 3087 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S83200 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 32m x 8 Parallel - - -
IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 5.7734
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 44-tsop II - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS64WV25616EFBLL-10CTLA3-TR 1.000 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
IS42S32400B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7BI - - -
RFQ
ECAD 1035 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS46TR16640B-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA2-TR - - -
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 1.500 800 MHz Flüchtig 1Gbit 20 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS46LR16320C-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320C-6BLA2 12.8034
RFQ
ECAD 5088 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS46LR16320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-TFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 300 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.5 ns Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS49NLS93200-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BI - - -
RFQ
ECAD 4856 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLS93200 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 32m x 9 Parallel - - -
IS42S16160G-6TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI - - -
RFQ
ECAD 1405 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS61NLF25618EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is61nlf25618ec-7.5tqli 7.5262
RFQ
ECAD 5325 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61NLF25618 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 117 MHz Flüchtig 4,5mbit 7,5 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
IS49RL18320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-093ebli - - -
RFQ
ECAD 6610 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-lbga IS49RL18320 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz Flüchtig 576mbit 8 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
IS62WV51216HBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 3.8443
RFQ
ECAD 6732 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) SRAM - Asynchron 2,2 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS62WV51216HBLL-45TLI-TR 1.000 Flüchtig 8mbit 45 ns Sram 512k x 16 Parallel 45ns
IS43TR82560C-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-125KBL-TR 3.7776
RFQ
ECAD 1721 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43TR82560C-125KBL-TR 2.000 800 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS61NLP25636B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636B-200B3LI 12.5658
RFQ
ECAD 9643 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61NLP25636 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 200 MHz Flüchtig 9mbit 3.1 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
IS61DDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18C-250M3L - - -
RFQ
ECAD 4152 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61DDB42 SRAM - Synchron, DDR II 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 2m x 18 Parallel - - -
IS49RL18640-093FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-093FBLI 138.7184
RFQ
ECAD 7844 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-lbga RLDRAM 3 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49RL18640-093FBLI 119 1.066 GHz Flüchtig 1.152Gbit 7,5 ns Dram 64m x 18 Parallel - - -
IS43LD32160A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32160A-25BLI-TR 7.4400
RFQ
ECAD 1187 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 134-tfbga IS43LD32160 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 V ~ 1,95 V. 134-tfbga (10x11.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.000 400 MHz Flüchtig 512mbit Dram 16 mx 32 Parallel 15ns
IS61NLP51236-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200TQLI-TR - - -
RFQ
ECAD 9639 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61NLP51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 800 200 MHz Flüchtig 18mbit 3.1 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS42S32800G-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6B - - -
RFQ
ECAD 2492 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS42S32800G-6B Veraltet 240 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS62WV25616DBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45BI-TR - - -
RFQ
ECAD 5578 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS62WV25616 SRAM - Asynchron 2,3 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 256k x 16 Parallel 45ns
IS49NLC93200A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-18WBL 30.4983
RFQ
ECAD 1640 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 144-tfbga RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-TWBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49NLC93200A-18WBL 104 533 MHz Flüchtig 288mbit 15 ns Dram 32m x 9 Hstl - - -
IS61LV25616AL-10K ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10K - - -
RFQ
ECAD 2956 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61LV25616 SRAM - Asynchron 3,135 V ~ 3,6 V. 44-soj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 16 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
IS42S16800E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6BL-TR - - -
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 2.500 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS61LPS102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3I-TR - - -
RFQ
ECAD 4769 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LPS102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 250 MHz Flüchtig 18mbit 2.6 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS43DR16640B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBL 6.1100
RFQ
ECAD 8360 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1202 Ear99 8542.32.0032 209 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS29GL256-70SLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70slet-tr 5.2027
RFQ
ECAD 7007 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 3v ~ 3,6 V 56-tsop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS29GL256-70slet-tr 800 Nicht Flüchtig 256mbit 70 ns Blitz 32m x 8 CFI 70 ns, 200 µs
IS25LP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE 0,3900
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25LP040 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS25LP040E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 8 ns Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 1,2 ms
IS42S16160B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TI - - -
RFQ
ECAD 2567 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL-TR - - -
RFQ
ECAD 4782 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 1.500 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS42VM32200M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-75BLI 3.2542
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42VM32200 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 240 133 MHz Flüchtig 64Mbit 6 ns Dram 2m x 32 Parallel - - -
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-250M3 - - -
RFQ
ECAD 5549 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61DDB41 SRAM - Synchron, DDR II 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 1m x 36 Parallel - - -
IS25LP016D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JNLA3-TR 0,8877
RFQ
ECAD 9958 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25LP016D-JNLA3-TR 3.000 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit 7 ns Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 40 µs, 800 µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus