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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43TR81280CL-107MBL | 3.5686 | ![]() | 3402 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR81280CL-107MBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS43R86400D-6TL | 5.7164 | ![]() | 5027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
IS61WV5128BLL-10BLI-TR | 3.2736 | ![]() | 8793 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | IS61WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 36-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS46TR85120BL-125KBLA2 | - - - | ![]() | 5229 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR85120BL-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS42S16800F-6TLI | 2.5379 | ![]() | 8874 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
IS46DR16640B-25DBLA1 | 8.9157 | ![]() | 3449 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS43R32800B-5BL-TR | - - - | ![]() | 4094 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-minibga (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LR32320C-5BLI | 8.9852 | ![]() | 2599 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32320C-5BLI | 240 | 208 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 32m x 32 | Parallel | 14.4ns | |||||
![]() | IS62LV256-70U | - - - | ![]() | 6944 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Bünd | IS62LV256 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,465V | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | |||
![]() | IS29GL128-70FLEB-TR | 4.5047 | ![]() | 3464 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 64-lbga | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 64-LFBGA (11x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL128-70FLEB-TR | 2.000 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16 mx 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | ||||||
![]() | IS25LQ032B-JMLE-TR | - - - | ![]() | 2750 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | IS25LQ032 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o | 1 ms | |||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2 | - - - | ![]() | 9933 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
![]() | IS25WP080D-JULE-TR | 0,6114 | ![]() | 6186 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP080D-JULE-TR | 5.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 7 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS43R83200D-5TL | 5.3822 | ![]() | 9812 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R83200 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LR32640B-5BLI-TR | 9.3233 | ![]() | 5957 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32640B-5BLI-TR | 2.500 | 208 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS43TR16512BL-125KBLI-TR | 19.5377 | ![]() | 1351 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512BL-125KBLI-TR | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS25LP512MH-RMLE | - - - | ![]() | 2846 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP512MH-RMLE | Veraltet | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||
![]() | IS46TR16128B-125KBLA25-TR | - - - | ![]() | 4762 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16128B-125KBLA25-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS61NLP25672-200B1LI-TR | - - - | ![]() | 2711 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NLP25672 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS45S32400B-6TLA1-TR | - - - | ![]() | 7961 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S32800B-7T | - - - | ![]() | 6365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43QR85120B-083RBL | 9.8483 | ![]() | 1053 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-083RBL | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 512 MX 8 | Pod | 15ns | |||||
![]() | IS45S16400F-7TLA1 | - - - | ![]() | 3736 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
IS41LV16105B-50TL | - - - | ![]() | 3897 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS93C66A-2grli | - - - | ![]() | 2049 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | 93c66a | Eeprom | 1,8 V ~ 5,5 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1051-5 | Ear99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | Nicht Flüchtig | 4kbit | Eeprom | 512 x 8, 256 x 16 | Mikrowire | 5 ms | ||
IS46LR16320C-6BLA2-TR | 12.7050 | ![]() | 2404 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46LR16320 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS43TR82560DL-107MBLI | 5.2177 | ![]() | 8327 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR82560DL-107MBLI | 242 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS25LX064-JHLA3-TR | 2.2957 | ![]() | 5169 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LX064 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LX064-JHLA3-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
![]() | IS25LP128F-JBLA3-TR | 2.1688 | ![]() | 2314 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP128F-JBLA3-TR | 2.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS62WV25616ALL-55BLI-TR | 4.1409 | ![]() | 1999 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-VFBGA | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-VFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns |
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