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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR81024B-107MBLA1-TR | 25.2700 | ![]() | 9849 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (10x14) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR81024B-107MBLA1-TR | 2.000 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS62WV2568FBLL-45BLI | 1.8604 | ![]() | 8242 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 36-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV2568FBLL-45BLI | 480 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 45ns | ||||||
![]() | IS43DR86400D-3DBI | - - - | ![]() | 3989 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43DR82560B-25ebl | - - - | ![]() | 2559 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR82560 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (10,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ps | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | ||
IS61LV6416-12KL | - - - | ![]() | 7656 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV6416 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | ||||
![]() | IS64WV12816EDBLL-10BLA3 | 5.5209 | ![]() | 6045 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns | |||
![]() | IS46TR81024BL-125KBLA1-TR | 23.0223 | ![]() | 6211 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR81024BL-125KBLA1-TR | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS62LV256-70UI | - - - | ![]() | 9764 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Bünd | IS62LV256 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,465V | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 70ns | |||
IS64WV3216BLL-15CTLA3-TR | 4.0426 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV3216 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 512Kbit | 15 ns | Sram | 32k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | IS61NVP25672-200B1 | - - - | ![]() | 2694 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NVP25672 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43LD16256A-18BPLI | - - - | ![]() | 1467 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD16256 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD16256A-18BPLI | Veraltet | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 256 mx 16 | Hsul_12 | 15ns | ||
![]() | IS43TR85120AL-107MBL | - - - | ![]() | 6473 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR85120AL-107MBL | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS46TR82560DL-125KBLA2 | - - - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR82560 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR82560DL-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS49NLS93200A-25WBL | 27.7833 | ![]() | 5531 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS93200 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS93200A-25WBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | Hstl | - - - | ||||
![]() | IS43R16320F-6TLI | 7.1700 | ![]() | 5704 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1551 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25LP128F-RHLE | 2.1310 | ![]() | 4479 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP128F-RHLE | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS25LE512M-RMLE | - - - | ![]() | 6673 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LE512M-RMLE | Veraltet | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | ||||
![]() | IS49RL18320A-093FBL | 66.5861 | ![]() | 7124 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18320a-093fbl | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 7,5 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS46DR81280B-3DBLA1-TR | - - - | ![]() | 2516 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
IS43LR16320B-6BL | - - - | ![]() | 5638 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43LR16320 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.5 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS25WE01G-RILE-TR | 11.7439 | ![]() | 9710 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | Flash - Nor (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-LFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WE01G-RILE-TR | 2.500 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 10 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
![]() | IS64WV102416FBLL-10CTLA3 | 19.7868 | ![]() | 5928 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3 | 96 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS46TR16640B-15GBLA25 | - - - | ![]() | 5943 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640B-15GBLA25 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25WP064D-RHLA3-TR | 1.7350 | ![]() | 4764 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP064D-RHLA3-TR | 2.500 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS61NLP25672-200B1I-TR | - - - | ![]() | 6836 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NLP25672 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S16100C1-7TL | - - - | ![]() | 1216 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61WV10248EELL-10B2LI-TR | 6.4497 | ![]() | 9540 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV10248EELL-10B2LI-TR | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS22TF64G-JQLA1 | 50.8542 | ![]() | 4252 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF64G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS43LR16128B-5BLI | 9.8204 | ![]() | 5191 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16128B-5BLI | 300 | 208 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS25LP064D-RMLE | - - - | ![]() | 1746 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP064D-RMLE | Veraltet | 1 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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