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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43TR82560CL-15HBL-TR | 5.4712 | ![]() | 1795 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS61LF102418A-6.5B3I-TR | - - - | ![]() | 6418 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LF102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
IS43DR16128C-25DBL | 8.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1566 | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS41C16100C-50TLI | - - - | ![]() | 1478 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit), 44 Leads | IS41C16100 | Dram - Edo | 4,5 V ~ 5,5 V. | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS42S16400F-7BLI | - - - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43TR81024B-107MBLI | 22.8583 | ![]() | 9132 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81024B-107MBLI | 136 | 933 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS42S16320D-7BLI | 14.6759 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV1288BLL-55TLI-TR | 1.6971 | ![]() | 9012 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS62WV1288 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | ![]() | 1222 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Hstl | - - - | ||||
IS62WV25616DALL-55TLI-TR | - - - | ![]() | 5771 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | IS25WJ064F-JBLE | 1.6200 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WJ064F-Jble | 90 | |||||||||||||||||||
![]() | IS42S16800F-6TLI-TR | 2.3547 | ![]() | 6495 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS49RL18640-093FBL | 126.1029 | ![]() | 7297 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18640-093FBL | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 1.152Gbit | 7,5 ns | Dram | 64m x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS46QR16512A-075VBLA2 | 22.8299 | ![]() | 1656 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR16512A-075VBLA2 | 136 | 1,333 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS61WV2048FBLL-8TLI-TR | 9.2060 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV20488fbll-8tli-tr | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 8 ns | Sram | 2m x 8 | Parallel | 8ns | ||||||
![]() | IS46LQ32640A-062BLA1 | - - - | ![]() | 4861 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32640A-062BLA1 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | Dram | 64m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS43R32400E-4BL | - - - | ![]() | 8444 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32400 | SDRAM - DDR | 2,4 V ~ 2,6 V. | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 189 | 250 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 4m x 32 | Parallel | 16ns | ||
![]() | IS43TR16512S1DL-125KBL | - - - | ![]() | 9270 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (9x13) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512S1DL-125KBL | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS22TF32G-JCLA2 | 39.0014 | ![]() | 2621 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF32G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 2.2094 | ![]() | 3603 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SRAM - Synchron | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR | 3.000 | 45 MHz | Flüchtig | 2mbit | 15 ns | Sram | 256k x 8 | SPI - Quad I/O, SDI | - - - | ||||
![]() | IS61C1024AL-12JLI-TR | 1.8501 | ![]() | 1313 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | IS61C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS43QR81024A-075VBLI-TR | 18.2210 | ![]() | 4013 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR81024A-075VBLI-TR | 2.000 | 1,333 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
![]() | IS42SM16800G-6BLI | - - - | ![]() | 4219 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16800 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42RM16160K-6BLI-TR | 5.2523 | ![]() | 8517 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42RM16160 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 3V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25WP128F-JBLA3 | 2.5122 | ![]() | 1675 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP128F-JBLA3 | 90 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 5.5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
![]() | IS42S32160F-7BLI-TR | 12.3000 | ![]() | 3633 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS64WV51216EELLL-10CT2LA3-TR | 11.3050 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS64WV51216eebll-10CT2LA3-tr | 1.500 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS43LD32128C-25BPL | - - - | ![]() | 6251 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-25BPL | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128C-25BPLI | - - - | ![]() | 9406 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-25BPLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128A-18BPL-TR | - - - | ![]() | 6505 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128A-18BPL-TR | Veraltet | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns |
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