SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS43LR16160H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160H-6BL 4.8239
RFQ
ECAD 2579 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-TFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43LR16160H-6BL 300 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 16m x 16 Parallel 15ns
IS46LQ32640A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA2 - - -
RFQ
ECAD 4944 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-VFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46LQ32640A-062BLA2 136 1,6 GHz Flüchtig 2Gbit Dram 64m x 32 LVSTL - - -
IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR 3.6017
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Psram (pseudo sram) 1,7 V ~ 1,95 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS66WVO16M8DALL-200BLI-TR 2.500 200 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Psram 16 mx 8 Spi - oktal i/o 35ns
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR - - -
RFQ
ECAD 6667 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61LF51236 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS46DR16640B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA1 8.9157
RFQ
ECAD 3449 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 209 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS61WV51216EEALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216ALL-20BLI 7.2079
RFQ
ECAD 7444 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS61WV51216All-20BLI 480 Flüchtig 8mbit 20 ns Sram 512k x 16 Parallel 20ns
IS61VF102418A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7,5B3-TR - - -
RFQ
ECAD 5243 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61VF102418 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS43TR16128B-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-093NBL-TR - - -
RFQ
ECAD 4315 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS43TR16128B-093NBL-TR Ear99 8542.32.0036 1.500 1.066 GHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS62WV25616DALL-55TI -TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL -55TI -TR - - -
RFQ
ECAD 9934 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV25616 SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 256k x 16 Parallel 55ns
IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-55BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 8393 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS66WV1M16 Psram (pseudo sram) 2,5 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 16mbit 55 ns Psram 1m x 16 Parallel 55ns
IS43TR82560DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-107MBLI 5.2177
RFQ
ECAD 8327 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43TR82560DL-107MBLI 242 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS61VF51236B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236B-7.5TQLI 17.2425
RFQ
ECAD 9352 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61VF51236 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS61VF102418A-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-6,5B3 - - -
RFQ
ECAD 6047 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61VF102418 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS62WV5128BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55QLI-TR 3.6397
RFQ
ECAD 5988 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) IS62WV5128 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-sout Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 55 ns Sram 512k x 8 Parallel 55ns
IS61NVF51236-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-7.5B3I-TR - - -
RFQ
ECAD 5245 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61NVF51236 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
RFQ
ECAD 2070 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1719 Ear99 8542.32.0036 190 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS61QDPB42M36A2-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-500B4LI 117.1779
RFQ
ECAD 1239 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDPB42 SRAM - Synchron, Quadp 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 500 MHz Flüchtig 72Mbit 8.4 ns Sram 2m x 36 Parallel - - -
IS43R86400E-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TLI - - -
RFQ
ECAD 9204 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 V ~ 2,7 V 66-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 108 200 MHz Flüchtig 512mbit 700 ps Dram 64m x 8 Parallel 15ns
IS42S16800E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7BLI-TR - - -
RFQ
ECAD 4953 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 2.500 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS25WP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-rhla3-tr 4.7898
RFQ
ECAD 2549 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25WP256E-RHLA3-TR 2.500 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 5.5 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 50 µs, 1 ms
IS46TR16128A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA1-TR - - -
RFQ
ECAD 8182 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 1.500 667 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS49RL18320-125EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125EBL - - -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-lbga IS49RL18320 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 119 800 MHz Flüchtig 576mbit 10 ns Dram 32m x 18 Parallel - - -
IS25LQ080B-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JNLE-TR - - -
RFQ
ECAD 5949 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25LQ080 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 3.000 104 MHz Nicht Flüchtig 8mbit Blitz 1m x 8 Spi - quad i/o 1 ms
IS42S16800F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR 3.9209
RFQ
ECAD 6687 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 1.500 200 MHz Flüchtig 128mbit 5 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7BLA1 - - -
RFQ
ECAD 2165 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS45S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-TFBGA (6.4x10.1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 286 143 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS45S16160G-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA1-TR 6.6150
RFQ
ECAD 3327 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS45S16160 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.500 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 16m x 16 Parallel - - -
IS43TR82560BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-15HBLI-TR - - -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 667 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 256 mx 8 Parallel 15ns
IS43LQ32256AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32256AL-062BLI 21.8535
RFQ
ECAD 6801 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-tfbga SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-TFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43LQ32256AL-062BLI 136 1,6 GHz Flüchtig 8gbit 3,5 ns Dram 256 mx 32 LVSTL 18ns
IS42S32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL-TR 6.7200
RFQ
ECAD 1482 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Nicht für Designs 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 166 MHz Flüchtig 256mbit 5.4 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS61WV25616EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDALL-20BLI-TR 4.7956
RFQ
ECAD 1260 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga IS61WV25616 SRAM - Asynchron 1,65 V ~ 2,2 V. 48-tfbga (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.500 Flüchtig 4mbit 20 ns Sram 256k x 16 Parallel 20ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus