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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S16400F-7BLI | - - - |  | 6024 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16160B-7TL | - - - | | 5263 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43QR16512A-075VBL | 17.7495 | | 9274 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR16512A-075VBL | 136 | 1,333 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS65WV1288FBLL-55HLA3 | - - - | | 1964 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS65WV1288 | SRAM - Synchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-stSop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS65WV1288FBLL-55HLA3 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns | ||
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| IS29GL256-70SLEB-TR | 5.2027 | | 4073 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 56-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL256-70SLEB-TR | 800 | Nicht Flüchtig | 256mbit | 70 ns | Blitz | 32m x 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | ||||||
| IS43LR16160H-6BLI | 5.3162 | | 3927 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TFBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR16160H-6BLI | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS61VF204836B-7.5TQLI | 123.9810 | | 8445 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61VF204836 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 7,5 ns | Sram | 2m x 36 | Parallel | - - - | ||
| IS22TF16G-JCLA2 | 28.0418 | | 6597 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF16G-JCLA2 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
| IS64WV2048BLL-10CTLA3-TR | 23.8000 | | 7646 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV20488 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallel | 10ns | |||
| IS42SM16200D-6BLI-TR | 2.2004 | | 4875 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16200 | Sdram - Mobil | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS42S16160D-75TLI-TR | - - - | | 8801 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
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 | IS61QDB42M18-250M3 | - - - | | 6649 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61QDB42 | SRAM - Synchron, Quad | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16100F-6TLI | - - - | | 3940 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S32200E-6TL-TR | - - - | | 8330 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
| IS41C16257C-35TLI-TR | - - - | | 9882 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit), 40 Leads | IS41C16257 | DRAM - FP | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 18 ns | Dram | 256k x 16 | Parallel | - - - | |||
| IS65WV25616DBLL-55CTLA3-TR | - - - | | 3153 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS65WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS42S16160D-75TLI | - - - | | 5482 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
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| IS42S16100F-6TLI-TR | - - - | | 4936 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16100H-6BLI | 1.5808 | | 9027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 286 | 166 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS25WQ020-Jble-tr | - - - | | 9850 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WQ020-Jble-tr | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 8 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 25 µs, 1 ms | |||||
 | IS43LD16128C-18BLI | 10.5177 | | 4351 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD16128C-18BLI | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 MX 16 | Hsul_12 | 15ns | ||||
| IS61LV12824-8TQ-TR | - - - | | 5904 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LV12824 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 3mbit | 8 ns | Sram | 128k x 24 | Parallel | 8ns | |||
 | IS49NLS96400A-33WBL | - - - | | 6788 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS96400 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 64m x 9 | Parallel | - - - | ||
 | IS41C16100C-50KLI-TR | - - - | | 1027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 42-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Beitite) | IS41C16100 | Dram - Edo | 4,5 V ~ 5,5 V. | 42-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16mbit | 25 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
| IS42S32800J-6TLI | 6.4315 | | 2731 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - |
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