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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS66WV51216EBLL-55BLI-TR | - |  | 7453 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS61LV632A-6TQI-TR | - | | 9973 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LV632 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 1Mbit | 6 ns | SRAM | 32K x 32 | Parallel | - | |||
| IS61LPD25636A-200TQLI | 15.4275 | | 3269 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LPD25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
| IS64WV102416BLL-10MLA3 | 26.2419 | | 2657 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS64WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS62C1024AL-35QLI-TR | 2.6100 | | 8 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,445", 11,30 mm Breite) | IS62C1024 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 35 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 35ns | |||
 | IS43TR16640BL-125JBL | - | | 1823 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS46LD32128B-25BPLA1 | - | | 8282 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46LD32128B-25BPLA1 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS41LV16100C-50TI | - | | 6908 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 44 Anschlüsse | IS41LV16100 | DRAM - EDO | 2,97 V ~ 3,63 V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | 85ns | |||
 | IS61WV102416FBLL-8BLI | 9.7363 | | 1319 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FBLL-8BLI | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 8 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 8ns | ||||||
| IS25WP256E-JLLE | 4.0444 | | 5161 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | FLASH – NOR (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP256E-JLLE | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | ||||||
 | IS42S32160F-7TLI | 15.0000 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
| IS46LD32128B-25BPLA2-TR | - | | 6181 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
| IS46LQ16256A-062TBLA2 | 15.4924 | | 9664 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA2 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS25LQ010B-JNLE | - | | 4301 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25LQ010 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1322 | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 1Mbit | BLITZ | 128K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | ||
| IS25WP128F-RHLA3 | 2.7864 | | 1408 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP128F-RHLA3 | 480 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | 5,5 ns | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | |||||
| IS42S32200L-5TL | 3.3234 | | 8405 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 4,8 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS42S16320B-6TL | - | | 2870 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS62WV1288DBLL-45QLI-TR | - | | 4917 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,445", 11,30 mm Breite) | IS62WV1288 | SRAM – Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V | 32-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 45ns | |||
 | IS61LF51236A-6.5B2I-TR | - | | 1420 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BBGA | IS61LF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 6,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS43LR32800F-6BL-TR | - | | 8135 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS43LR32800 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | 15ns | ||
| IS42S32160F-6BLI-TR | 12.6600 | | 4218 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
| IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | LVCMOS | 15ns | |||||
 | IS43TR85120A-15HBL-TR | 5.8612 | | 6065 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 78-TWBGA (9x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS45S32800J-7BLA1-TR | 7.5150 | | 7511 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS45S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 8 | Parallel | - | ||
 | IS62WV102416EBLL-55BLI | 8.4950 | | 2364 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS42S16100E-6TLI-TR | - | | 5707 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5,5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61WV2568EDBLL-10BLI | 4.5984 | | 1465 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS61WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | IS65WV25616BLL-70TLA3-TR | 8.0280 | | 5446 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS65WV25616 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS66WVC2M16ALL-7010BLI | - | | 9424 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | IS66WVC2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | - | | 9472 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | 18ns |
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