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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV102416EBLL-45BLI-TR | 7.6151 |  | 3860 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 16Mbit | 45 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 45ns | |||
 | IS25WP128-JLLE-TR | 1.9402 | | 9184 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25WP128 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
 | IS49NLC36160-25BL | - | | 5151 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2.0139 | | 2642 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI-TR | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 8Mbit | PSRAM | 2M x 4 | SPI – Quad-I/O | 40ns | |||||
 | IS61LPD51236A-200TQI-TR | - | | 7824 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LPD51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS61LP6436A-133TQLI-TR | 5.4170 | | 1588 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LP6436 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | Flüchtig | 2Mbit | 4 ns | SRAM | 64K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS46TR16128A-125KBLA2 | - | | 5775 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43DR86400C-25DBLI | 6.8343 | | 4987 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 242 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S83200B-6TLI-TR | - | | 9552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S83200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 8 | Parallel | - | ||
 | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | | 8247 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 64M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS43LQ16128AL-062BLI | - | | 2173 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ16128AL-062BLI | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 128M x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS42S86400B-7TL | - | | 1688 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S86400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 64M x 8 | Parallel | - | ||
| IS43TR16640ED-15HBLI | 5.8300 | | 6587 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16640ED-15HBLI | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
| IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR | 3.6010 | | 7353 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WVE4M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 64Mbit | 70 ns | PSRAM | 4M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS43QR85120B-083RBL | 9.8483 | | 1053 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-083RBL | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 8 | POD | 15ns | |||||
 | IS42S16100C1-5TL | - | | 1225 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16100 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | 200 MHz | Flüchtig | 16Mbit | 5 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS25WP016D-JNLE-TR | 0,7337 | | 2677 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | IS25WP016 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 16Mbit | BLITZ | 2M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
| IS62WV10248HBLL-45TLI | 5.3900 | | 6841 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV10248HBLL-45TLI | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 45ns | ||||||
 | IS42S16400D-7BL | - | | 8155 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 60-MiniBGA (6,4x10,1) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 286 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 16 | Parallel | - | ||
| IS25LP020E-JNLA3-TR | 0,4537 | | 1090 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | * | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP020E-JNLA3-TR | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | IS64C25616AL-12CTLA3 | 10.1940 | | 6242 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS64C25616 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | |||
 | IS61QDP2B42M18A-400M3L | 75.0000 | | 9667 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDP2 | SRAM – Synchron, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 8,4 ns | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | ||
| IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 15.4924 | | 7398 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ16256AL-062TBLA2 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | | 8985 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61WV10248 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 10ns | |||
| IS43R16160D-5TL | 4.7138 | | 3797 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS25LP128-JKLE-TR | 1.6825 | | 4236 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LP128 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.500 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 1ms | |||
 | IS42S16160D-7BI | - | | 4213 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TW-BGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS42RM32400G-75BLI-TR | - | | 2249 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42RM32400 | SDRAM – Mobil | 2,3 V ~ 3 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
| IS66WVE2M16ALL-7010BLI | - | | 7351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | PSRAM | 2M x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR | 3.1918 | | 8502 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS66WV1M16 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 16Mbit | 55 ns | PSRAM | 1M x 16 | Parallel | 55ns |
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