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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61WV102416FBLL-10TLI | 10.1941 |  | 9743 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV102416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 96 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS42S32800J-75ebli-Tr | 6.2100 | | 8236 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS46LD32128C-18BPLA1-TR | - - - | | 1891 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128C-18BPLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
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 | IS25LP512M-RMLE | 10.0000 | | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | IS25LP512 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1639 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | ||
 | IS65WV1288FBLL-55CTLA3 | - - - | | 3333 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS65WV1288 | SRAM - Synchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3 | Ear99 | 8542.32.0041 | 156 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 55ns | ||
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 | IS61WV5128BLL-10KLI-TR | 3.3638 | | 9944 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 36-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | |||
| IS45S32400E-6TLA1 | - - - | | 9088 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
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 | IS42S81600D-6TL | - - - | | 9410 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S81600 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 8 | Parallel | - - - | ||
| IS45S16160G-7CTLA1 | 6.3460 | | 3298 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS25LP040E-JNLE-TR | 0,4000 | | 3 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | 8 ns | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,2 ms | ||
| IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | - - - | | 9240 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-TFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS62WV5128BLL-55T2LI-TR | 3.3915 | | 8226 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | |||
| IS46QR81024A-075VBLA2-TR | 20.2027 | | 8814 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024A-075VBLA2-TR | 2.000 | 1,333 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS43LD16128C-18BLI | 10.5177 | | 4351 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD16128C-18BLI | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 MX 16 | Hsul_12 | 15ns | ||||
| IS42S16800D-75TLI | - - - | | 6290 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43R32800D-6BL | - - - | | 8976 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 189 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS62WV51216BLL-55BLI-TR | 5.8800 | | 5777 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (7,2x8,7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 | 34.3157 | | 9285 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 16gbit | 20 ns | Dram | 1g x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS49NLS96400-33B | - - - | | 5483 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS96400 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 576mbit | 20 ns | Dram | 64m x 9 | Parallel | - - - | ||
 | IS42SM16400K-75BLI | - - - | | 3092 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42SM16400 | Sdram - Mobil | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS41C16257C-35TLI | - - - | | 6981 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit), 40 Leads | IS41C16257 | DRAM - FP | 4,5 V ~ 5,5 V. | 40-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 135 | Flüchtig | 4mbit | 18 ns | Dram | 256k x 16 | Parallel | - - - | |||
 | IS43DR16320C-25DBI-TR | - - - | | 8119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS34ML02G081-BLI | 5.0397 | | 4745 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 63-VFBGA | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 63-VFBGA (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS34ML02G081-Bli | 220 | Nicht Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Blitz | 256 mx 8 | Parallel | 25ns | ||||||
 | IS61LF51218A-7.5TQLI | 15.4275 | | 9237 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LF51218 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS25LP512M-RGLE | - - - | | 5105 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LP512 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | |||
| IS42SM32400G-75BLI | - - - | | 1200 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42SM32400 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
| IS43R16320E-5TL | - - - | | 9715 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43R16320e-5tl | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | SSTL_2 | 15ns |
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