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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43TR16128CL-125KBL-TR | 5.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43TR85120A-107MBL-TR | - - - | ![]() | 7116 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR85120A-107MBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS61NLF51236-6.5B3 | - - - | ![]() | 6126 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LQ040-JBLE | - - - | ![]() | 3545 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LQ040 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 4mbit | Blitz | 512k x 8 | Spi - quad i/o | 700 µs | |||
![]() | IS43TR16640C-125JBLI-TR | 3.2532 | ![]() | 3497 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16640C-125JBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS43LD16640A-3BLI | - - - | ![]() | 6668 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD16640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS46TR81280B-15GBLA2 | - - - | ![]() | 9045 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS46TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR81280B-15GBLA2 | Ear99 | 8542.32.0032 | 136 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS42S32800D-7BL-TR | - - - | ![]() | 9638 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LF51218B-7.5TQLI | 13.7940 | ![]() | 5489 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LF51218 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1537 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 9mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | |
![]() | IS42S83200J-6TLI | 3.4679 | ![]() | 6835 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S83200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 8 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43LR32640A-6BLI | 16.6700 | ![]() | 7063 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS43LR32640 | SDRAM - DDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-WBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS42SM32800E-75BLI-TR | - - - | ![]() | 7933 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42SM32800 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS29LV032B-70BLI | - - - | ![]() | 5354 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS29LV032B | Flash - Nor | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Veraltet | 0000.00.0000 | 480 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 4m x 8, 2m x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | IS49NLC36800A-25EWBL | 29.0237 | ![]() | 5037 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC36800A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 8m x 36 | Hstl | - - - | ||||
![]() | IS61VPS102436B-250TQLI-TR | 87.8500 | ![]() | 6611 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61VPS102436 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 2,8 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV25616ebll-55tli | - - - | ![]() | 2137 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS42S32200C1-55TL-TR | - - - | ![]() | 8928 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 183 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV10248BLL-55BLI | 6.8343 | ![]() | 6991 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (7,2x8,7) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 312 | Flüchtig | 8mbit | 55 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 55ns | |||
IS63LV1024L-12BLI-TR | - - - | ![]() | 5455 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 36-minibga (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | ||||
![]() | IS42VM16800H-75BLI-TR | 3.8060 | ![]() | 5461 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42VM16800 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS37SML01G1-Lli | 4.0752 | ![]() | 9803 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS37SML01 | Flash - Nand (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 8 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi | - - - | ||
![]() | IS42S16160B-7BL-TR | - - - | ![]() | 6247 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-lfbga | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43LR16640A-5BLI-Tr | 10.2000 | ![]() | 1323 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43LR16640 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 60-TWBGA (8x10) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS65C256AL-25ULA3 | 3.0344 | ![]() | 9267 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) | IS65C256 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 120 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 25ns | |||
![]() | IS49RL18320-093ebl | - - - | ![]() | 3278 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | IS49RL18320 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 8 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46LD32128A-25BPLA1 | - - - | ![]() | 2362 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128A-25BPLA1 | Veraltet | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | ||
![]() | IS43LR32800G-6BL-TR | 5.3250 | ![]() | 1088 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS43LR32800 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.5 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LD32320A-3BL | - - - | ![]() | 2035 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD32320 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 32m x 32 | Parallel | 15ns | |||
IS61WV51216EDBLL-8TLI | 10.5985 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8mbit | 8 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 8ns | ||||
![]() | IS62LV256AL-45uli | 1.5200 | ![]() | 139 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-Soic (0,330 ", 8,38 mm Breit) | IS62LV256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-Bünd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 120 | Flüchtig | 256Kbit | 45 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 45ns |
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