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Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site	SIC -Programmierbar
IS61LF102418A-7,5B3I	- - -	RFQ	8032	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61LF102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -	Nicht Verifiziert
IS49NLS96400-33BLI	- - -	RFQ	1262	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLS96400	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-FCBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	Flüchtig	576mbit	20 ns	Dram	64m x 9	Parallel	- - -
IS42S32400E-6TL	- - -	RFQ	3965	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS43R32800D-6BL	- - -	RFQ	8976	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-lfbga	IS43R32800	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	144-LFBGA (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	189	166 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	8m x 32	Parallel	15ns
IS49NLS96400-33B	- - -	RFQ	5483	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLS96400	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-FCBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	Flüchtig	576mbit	20 ns	Dram	64m x 9	Parallel	- - -
IS42SM16400K-75BLI	- - -	RFQ	3092	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42SM16400	Sdram - Mobil	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	348	133 MHz	Flüchtig	64Mbit	6 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS64LPS102436B-166B3LA3	127.7659	RFQ	6048	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS64LPS102436	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	166 MHz	Flüchtig	36Mbit	3.8 ns	Sram	1m x 36	Parallel	- - -
IS61WV102416DALL-10TLI	- - -	RFQ	6196	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS61WV102416	SRAM - Asynchron	1,65 V ~ 2,2 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	96		Flüchtig	16mbit	10 ns	Sram	1m x 16	Parallel	10ns
IS46DR81280C-25DBLA1	- - -	RFQ	5282	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46DR81280	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	60-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	Flüchtig	1Gbit	400 ps	Dram	128 MX 8	Parallel	15ns
IS25LQ080B-JBLE	- - -	RFQ	3862	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit)	IS25LQ080	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1329	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	Nicht Flüchtig	8mbit		Blitz	1m x 8	Spi - quad i/o	1 ms
IS43R86400D-6TL	5.7164	RFQ	5027	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R86400	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
IS42S16800F-6TLI	2.5379	RFQ	8874	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS46LR16320C-6BLA2-TR	12.7050	RFQ	2404	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46LR16320	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	60-TFBGA (8x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.000	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS25LP040E-JBLE-TR	- - -	RFQ	6618	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit)	IS25LP040	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LP040E-Jble-tr	Ear99	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Nicht Flüchtig	4mbit	8 ns	Blitz	512k x 8	Spi - quad i/o, qpi	1,2 ms
IS61NLP102418-200B3LI-TR	- - -	RFQ	2426	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61NLP102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.000	200 MHz	Flüchtig	18mbit	3.1 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS45S32400F-7TLA1	5.7340	RFQ	2238	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS62WV5128DALL-55BLI-TR	- - -	RFQ	4891	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	36-tfbga	IS62WV5128	SRAM - Asynchron	1,65 V ~ 2,2 V.	36-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1		Flüchtig	4mbit	55 ns	Sram	512k x 8	Parallel	55ns
IS61WV25616FBLL-10BLI	2.9982	RFQ	9060	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga		SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS61WV25616FBLL-10BLI			480		Flüchtig	4mbit	10 ns	Sram	256k x 16	Parallel	10ns
IS66WV51216EBLL-70TLI-TR	2.2706	RFQ	9745	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS66WV51216	Psram (pseudo sram)	2,5 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	8mbit	70 ns	Psram	512k x 16	Parallel	70ns
IS61WV51216EELLL-10T2LI-TR	6.9269	RFQ	7395	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS61WV51216	SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.500		Flüchtig	8mbit	10 ns	Sram	512k x 16	Parallel	10ns
IS61NLP25618A-200TQI-TR	- - -	RFQ	2920	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP25618	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	4,5mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallel	- - -
IS42S86400B-7TL	- - -	RFQ	1688	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S86400	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	64m x 8	Parallel	- - -
IS42S32400D-7T-tr	- - -	RFQ	5689	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS43R32800B-6BL	- - -	RFQ	2731	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-lfbga	IS43R32800	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	144-minibga (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	189	166 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	8m x 32	Parallel	15ns
IS67WVC4M16ALL-7010BLA-TR	- - -	RFQ	2475	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-VFBGA	IS67WVC4M16	Psram (pseudo sram)	1,7 V ~ 1,95 V.	54-VFBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.500	104 MHz	Flüchtig	64Mbit	70 ns	Psram	4m x 16	Parallel	70ns
IS46R16160D-5BLA1-TR	6.4350	RFQ	5248	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	200 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns
IS61QDPB42M36A2-550M3L	- - -	RFQ	2551	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61QDPB42	SRAM - Quad -Port, Synchron	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	105	550 MHz	Flüchtig	72Mbit		Sram	2m x 36	Parallel	- - -
IS61WV2048FBLL-10T2LI	10.1211	RFQ	8469	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)		SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-is61WV20488fbll-10T2LI			108		Flüchtig	16mbit	10 ns	Sram	2m x 8	Parallel	10ns
IS25WP512m-rhla3-tr	7.6342	RFQ	1424	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	24-Tbga		Flash - Nor (SLC)	1,7 V ~ 1,95 V.	24-TFBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS25WP512m-rhla3-tr			2.500	112 MHz	Nicht Flüchtig	512mbit	7,5 ns	Blitz	64m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	50 µs, 1 ms
IS45S16800F-7BLA1	4.9765	RFQ	3305	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS45S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	348	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²