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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | Feuchtigitesempfindlich (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S32160F-6BL-TR | 11.5500 | ![]() | 9236 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 167 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46LD32640B-25BLA2-TR | - - - | ![]() | 5061 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Lets Kaufen | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 64m x 32 | Hsul_12 | 15ns | ||||
![]() | IS43QR85120B-083RBLI-TR | 9.5494 | ![]() | 3476 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 512 MX 8 | Pod | 15ns | |||||
![]() | IS46TR16512S2DL-125KBLA1 | - - - | ![]() | 1535 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16512S2DL-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS42S32160D-7BLI-TR | 15.2850 | ![]() | 1208 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV102416Fall-55BLI | 8.0827 | ![]() | 5563 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV102416Fall-55BLI | 480 | Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 55ns | ||||||
![]() | IS49NLC36800A-25WBLI | 30.5534 | ![]() | 1005 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC36800A-25WBLI | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 20 ns | Dram | 8m x 36 | Hstl | - - - | ||||
![]() | IS42S32160D-6BLI | 16.1384 | ![]() | 9829 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LPS51236A-200b3-tr | - - - | ![]() | 7366 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPS51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S32200C1-55TL | - - - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 183 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43R16160D-6TL-TR | 3.2757 | ![]() | 6953 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS42S32160A-75BL-TR | - - - | ![]() | 3351 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP080D-JBLE | 0,8200 | ![]() | 7 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25LP080 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1578 | Ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||
![]() | IS46TR16128AL-125KBLA1 | - - - | ![]() | 7204 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43TR16512AL-125KBLI-TR | - - - | ![]() | 4104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LFBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS62WV12816ALL-70BI | - - - | ![]() | 9936 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV12816 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 70ns | |||
![]() | IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 3.2589 | ![]() | 8408 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVH8M8DBLL-100B1LI | 480 | 100 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 40 ns | Psram | 8m x 8 | Hyperbus | 40ns | |||||
![]() | IS22TF64G-JCLA1 | 50.6532 | ![]() | 7392 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF64G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512Gbit | Blitz | 64g x 8 | EMMC_5.1 | - - - | ||||||
![]() | IS46LD32128C-18BPLA2-TR | - - - | ![]() | 6254 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
![]() | IS42S16400D-6BLI-TR | - - - | ![]() | 7347 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-minibga (6,4x10,1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS42S16100H-7TLI-TR | 1.5600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 1.000 | 143 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43TR81280B-125KBLI-TR | - - - | ![]() | 6127 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
IS46DR16160B-25DBLA1-TR | 5.2523 | ![]() | 1626 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 400 MHz | Flüchtig | 256mbit | 400 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS42S16320F-7BL-TR | 10.4550 | ![]() | 7176 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61NVF51236-6.5B3-TR | - - - | ![]() | 9019 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NVF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43R83200F-6TL-TR | 2.6470 | ![]() | 6097 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R83200 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 32m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43LD32128B-25BPLI-TR | 12.4500 | ![]() | 8543 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128B-25BPLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | |
![]() | IS66WVO32M8DALL-200BLI | 6.9500 | ![]() | 47 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS66WVO32M8 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | Psram | 32m x 8 | Spi - oktal i/o | 40ns | ||
![]() | IS25WE256E-RMLE | - - - | ![]() | 9365 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16-soic | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WE256E-RMLE | Veraltet | 1 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 2 ms | ||||
![]() | IS43LD16128C-25BLI | - - - | ![]() | 4534 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD16128C-25BLI | 171 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 MX 16 | Hsul_12 | 15ns |
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