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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43R86400F-5TLI-TR | 5.3589 | ![]() | 2523 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
IS25CD025-JDLE-TR | - - - | ![]() | 8665 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP (0,173 ", 4,40 mm Breit) | IS25CD025 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-tssop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.500 | 100 MHz | Nicht Flüchtig | 256Kbit | Blitz | 32k x 8 | Spi | 5 ms | |||||
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR | 5.9830 | ![]() | 4646 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS64WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 12 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 12ns | |||||
![]() | IS21TF32G-JQLI | 48.3300 | ![]() | 29 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | IS21TF32G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS21TF32G-JQLI | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 256Gbit | Blitz | 32g x 8 | MMC | - - - | |||
IS62WV25616BLL-55TI-TR | - - - | ![]() | 8017 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||||
![]() | IS25WP256D-JMLE-TY | 4.2121 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WP256D-JMLE-TY | 176 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS25LP020E-JNLE | 0,4000 | ![]() | 825 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP020 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP020E-JNLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 8 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,2 ms | ||
![]() | IS42RM32200M-6BLI | - - - | ![]() | 9155 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42RM32200 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 2,7 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
IS43DR16320C-25DBI | - - - | ![]() | 8880 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | IS43DR82560C-3DBL-TR | 6.3808 | ![]() | 3776 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43DR82560C-3DBL-TR | 2.000 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 256 mx 8 | SSTL_18 | 15ns | ||||||
![]() | IS42S32200C1-7BI-TR | - - - | ![]() | 5931 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3,15 V ~ 3,45 V. | 90-bga (13x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43R86400E-5BI | - - - | ![]() | 1475 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43R86400E-5BI | Veraltet | 190 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS42S16100F-6BL-TR | - - - | ![]() | 4831 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 60-TFBGA (6.4x10.1) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS25LQ020B-JNLE | - - - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LQ020 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1319 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | |||
![]() | IS63LV1024L-10KLI | - - - | ![]() | 8567 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,45 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS46DR81280C-3DBLA2 | - - - | ![]() | 5021 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS25WP016D-JNLE-TR | 0,7337 | ![]() | 2677 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25WP016 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 16mbit | Blitz | 2m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||||
![]() | IS45S16400J-6TLA2 | - - - | ![]() | 8961 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43LQ32128A-062BLI | - - - | ![]() | 7499 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-WFBGA | IS43LQ32128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LQ32128a-062BLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS62WV10248HBLL-45TLI | 5.3900 | ![]() | 6841 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV10248HBLL-45TLI | 135 | Flüchtig | 8mbit | 45 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 45ns | |||||||
![]() | IS49RL36160A-093ebl | 88.0700 | ![]() | 119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | IS49RL36160 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL36160A-093ebl | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 7,5 ns | Dram | 16m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46TR16256A-15HBLA1-TR | - - - | ![]() | 9290 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 667 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS42S32160D-6BL-TR | 13.3800 | ![]() | 1964 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||
![]() | IS42S16400F-7BLI | - - - | ![]() | 6024 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS45S32400F-6BLA1 | 6.9670 | ![]() | 1821 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS45S32200L-7BLA2-TR | 5.7900 | ![]() | 5626 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32200 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5.4 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS61DDB22M18-250M3 | - - - | ![]() | 6872 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDB22 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||||
![]() | IS43TR16128BL-125KBL-TR | - - - | ![]() | 6443 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS61LF102418A-7.5B3I-TR | - - - | ![]() | 1552 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LF102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS25LX256-JHLE | 5.4500 | ![]() | 8572 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LX256 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LX256-JHLE | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 256mbit | Blitz | 32m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - |
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