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Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS62WV1288DBLL-45TLI	- - -	RFQ	2467	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS62WV1288	SRAM - Asynchron	2,3 V ~ 3,6 V.	32-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0041	156		Flüchtig	1Mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallel	45ns
IS61LF51236A-7,5B3I	- - -	RFQ	9371	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61LF51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS65WV1288FBLL-45TLA3	- - -	RFQ	6415	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS65WV1288	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	32-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	156		Flüchtig	1Mbit	45 ns	Sram	128k x 8	Parallel	45ns
IS61NLP51236B-200TQLI-TR	13.9821	RFQ	2127	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	18mbit	3 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS62C1024AL-35QLI-TR	2.6100	RFQ	8	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit)	IS62C1024	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	32-sout	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	1Mbit	35 ns	Sram	128k x 8	Parallel	35ns
IS43TR16256A-107MBL	- - -	RFQ	4085	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16256	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	15ns
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR	4.1685	RFQ	7668	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS65WV12816	SRAM - Asynchron	2,5 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	2mbit	55 ns	Sram	128k x 16	Parallel	55ns
IS25WP032D-RMLE	- - -	RFQ	4027	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	IS25WP032	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1646	3a991b1a	8542.32.0071	44	104 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit	8 ns	Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS42S32800G-7BLI	7.8889	RFQ	5734	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32800	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	8m x 32	Parallel	- - -
IS49NLC18320-25BI	- - -	RFQ	3776	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLC18320	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-FCBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	104	400 MHz	Flüchtig	576mbit	20 ns	Dram	32m x 18	Parallel	- - -
IS43R32400E-4BL-TR	4.6089	RFQ	2771	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-lfbga	IS43R32400	SDRAM - DDR	2,4 V ~ 2,6 V.	144-LFBGA (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	250 MHz	Flüchtig	128mbit	700 ps	Dram	4m x 32	Parallel	16ns
IS61DDP2B21M18A-400M3L	44.1540	RFQ	4556	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDP2	SRAM - Synchron, DDR IIP	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	105	400 MHz	Flüchtig	18mbit		Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS62WV25616BLL-55TLI-TR	4.4700	RFQ	45	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS62WV25616	SRAM - Asynchron	2,5 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	4mbit	55 ns	Sram	256k x 16	Parallel	55ns
IS43TR82560BL-125KBLI	- - -	RFQ	6076	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR82560	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	242	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS43TR16128AL-15HBL	- - -	RFQ	1153	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16128	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	128 MX 16	Parallel	15ns
IS42S16160B-7b	- - -	RFQ	2336	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-lfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-LFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS25WP032A-JMLE	- - -	RFQ	4057	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe)	IS25WP032	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	16-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	44	133 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS45S16800F-7TLA2-TR	4.4044	RFQ	3821	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS41LV16105D-50KLI-TR	- - -	RFQ	8879	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	42-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Beitite)	IS41LV16105	DRAM - FP	3v ~ 3,6 V	42-soj	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.000		Flüchtig	16mbit	25 ns	Dram	1m x 16	Parallel	- - -
IS61LPD25636A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	6034	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LPD25636	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	9mbit	3.1 ns	Sram	256k x 36	Parallel	- - -
IS61VPD102418A-250B3I-TR	- - -	RFQ	3106	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61VPD102418	SRAM - Quad -Port, Synchron	2.375 V ~ 2,625 V.	165-PBGA (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.000	250 MHz	Flüchtig	18mbit	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS62WV20488FBLL-45BLI	8.2210	RFQ	7377	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-VFBGA	IS62WV20488	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	48-VFBGA (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	16mbit	45 ns	Sram	2m x 8	Parallel	45ns
IS45S16320D-7CTLA1	20.0828	RFQ	4678	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16320	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	108	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	32m x 16	Parallel	- - -
IS62WV51216ALL-70BLI-TR	6.5100	RFQ	6595	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS62WV51216	SRAM - Asynchron	2,5 V ~ 3,6 V.	48-minibga (7,2x8,7)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.500		Flüchtig	8mbit	70 ns	Sram	512k x 16	Parallel	70ns
IS61LF102418B-6.5TQLI	17.8310	RFQ	7330	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LF102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS61WV10248BLL-10TLI	15.4600	RFQ	315	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61WV10248	SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	135		Flüchtig	8mbit	10 ns	Sram	1m x 8	Parallel	10ns
IS61C5128AS-25TLI	4.8100	RFQ	225	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61C5128	SRAM - Asynchron	4,5 V ~ 5,5 V.	32-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	117		Flüchtig	4mbit	25 ns	Sram	512k x 8	Parallel	25ns
IS25CQ032-JBLE	- - -	RFQ	6275	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit)	IS25CQ032	Blitz	2,7 V ~ 3,6 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	90	104 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi	4 ms
IS45S16100H-7BLA1	3.1608	RFQ	8724	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS45S16100	Sdram	3v ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	286	143 MHz	Flüchtig	16mbit	5.5 ns	Dram	1m x 16	Parallel	- - -
IS46R16160F-5TLA1	4.5028	RFQ	9585	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS46R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	108	200 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²