SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS62WV1288FBLL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45QLI 1.9868
RFQ
ECAD 4900 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) IS62WV1288 SRAM - Asynchron 2,2 V ~ 3,6 V. 32-sout Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 84 Flüchtig 1Mbit 45 ns Sram 128k x 8 Parallel 45ns
IS43TR16512A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBL-TR - - -
RFQ
ECAD 4858 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 96-LFBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0036 2.000 800 MHz Flüchtig 8gbit 20 ns Dram 512 mx 16 Parallel 15ns
IS43LR32400G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32400G-6BL-TR 4.0344
RFQ
ECAD 5816 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS43LR32400 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 2.500 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.5 ns Dram 4m x 32 Parallel 15ns
IS43DR16160B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBLI-TR 4.1105
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 2.500 400 MHz Flüchtig 256mbit 400 ps Dram 16m x 16 Parallel 15ns
IS61VPS102436B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-166B3LI 87.0000
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61VPS102436 SRAM - Synchron, SDR 2.375 V ~ 2,625 V. 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 144 166 MHz Flüchtig 36Mbit 3,5 ns Sram 1m x 36 Parallel - - -
IS25LP512M-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-JLLE 7.1138
RFQ
ECAD 9871 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-WDFN Exponte Pad IS25LP512 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-Wson (8x6) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 480 133 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 1,6 ms
IS42SM16320E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-75BLI 10.2571
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42SM16320 Sdram - Mobil 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 348 133 MHz Flüchtig 512mbit 6 ns Dram 32m x 16 Parallel - - -
IS61LF102418B-7.5TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQ - - -
RFQ
ECAD 6357 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 117 MHz Flüchtig 18mbit 7,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS42S16400J-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7TLI 2.0300
RFQ
ECAD 7681 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S16400 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz Flüchtig 64Mbit 5.4 ns Dram 4m x 16 Parallel - - -
IS25WQ020-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JULE-TR - - -
RFQ
ECAD 4204 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-UFDFN Exposed Pad IS25WQ020 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar 2156-IS25WQ020-JULE-TR Ear99 8542.32.0071 1 104 MHz Nicht Flüchtig 2mbit Blitz 256k x 8 Spi - quad i/o 1 ms
IS25WP016-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JNLE - - -
RFQ
ECAD 1949 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) IS25WP016 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0071 100 133 MHz Nicht Flüchtig 16mbit Blitz 2m x 8 Spi - quad i/o, qpi 800 µs
IS43DR81280C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBI-Tr - - -
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 2.000 333 MHz Flüchtig 1Gbit 450 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
IS61QDPB42M18A-400M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3I - - -
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDPB42 SRAM - Synchron, Quadp 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 400 MHz Flüchtig 36Mbit 8.4 ns Sram 2m x 18 Parallel - - -
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 2.8952
RFQ
ECAD 7390 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61WV25616 SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
IS42VM16320D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320D-75BLI - - -
RFQ
ECAD 9406 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42VM16320 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 54-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 240 133 MHz Flüchtig 512mbit 6 ns Dram 32m x 16 Parallel - - -
IS61C3216AL-12KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12KLI 2.1754
RFQ
ECAD 3281 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS61C3216 SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 44-soj Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 16 Flüchtig 512Kbit 12 ns Sram 32k x 16 Parallel 12ns
IS42S32160F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BL-TR 11.2050
RFQ
ECAD 6647 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32160 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 2.500 143 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
IS25WP128-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RHLE-TR 2.1682
RFQ
ECAD 3399 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga IS25WP128 Flash - Nor 1,65 V ~ 1,95 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 133 MHz Nicht Flüchtig 128mbit Blitz 16 mx 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 800 µs
IS43DR16320E-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL 3.4400
RFQ
ECAD 388 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 84-tfbga IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 84-TWBGA (8x12,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-1555 Ear99 8542.32.0028 209 333 MHz Flüchtig 512mbit 450 ps Dram 32m x 16 Parallel 15ns
IS61NLF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3I-TR - - -
RFQ
ECAD 1120 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga IS61NLF102418 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 165-tfbga (13x15) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 2.000 133 MHz Flüchtig 18mbit 6,5 ns Sram 1m x 18 Parallel - - -
IS43LR16320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BLI - - -
RFQ
ECAD 3708 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43LR16320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-TFBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 300 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.5 ns Dram 32m x 16 Parallel 12ns
IS42SM16800H-75BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800H-75BI - - -
RFQ
ECAD 9813 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42SM16800 Sdram - Mobil 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 348 133 MHz Flüchtig 128mbit 6 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS61LV12824-10TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQLI - - -
RFQ
ECAD 4262 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP IS61LV12824 SRAM - Asynchron 3,135 V ~ 3,6 V. 100-LQFP (14x20) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 72 Flüchtig 3mbit 10 ns Sram 128k x 24 Parallel 10ns
IS42S16100H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL-TR 1.3591
RFQ
ECAD 6310 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS42S16100 Sdram 3v ~ 3,6 V 60-TFBGA (6.4x10.1) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0002 2.500 166 MHz Flüchtig 16mbit 5.5 ns Dram 1m x 16 Parallel - - -
IS49NLS96400A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400A-33WBL - - -
RFQ
ECAD 6788 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLS96400 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-TWBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz Flüchtig 576mbit 20 ns Dram 64m x 9 Parallel - - -
IS43LR16640A-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-5BL 9.4267
RFQ
ECAD 9562 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS43LR16640 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 V ~ 1,95 V. 60-TWBGA (8x10) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 300 200 MHz Flüchtig 1Gbit 5 ns Dram 64m x 16 Parallel 15ns
IS49NLC18160A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25EWBLI 31.9177
RFQ
ECAD 2710 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLC18160 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-TWBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49NLC18160A-25EWBLI 104 400 MHz Flüchtig 288mbit 15 ns Dram 16m x 18 Hstl - - -
IS61NLP25636A-200B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200b2i - - -
RFQ
ECAD 5947 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 119-BBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 119-PBGA (14x22) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 84 200 MHz Flüchtig 9mbit 3.1 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
IS61QDB251236A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB251236A-250M3L 32.3796
RFQ
ECAD 4700 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-lbga IS61QDB251236 SRAM - Synchron, Quad 1,71 V ~ 1,89 V. 165-LFBGA (15x17) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 105 250 MHz Flüchtig 18mbit Sram 512k x 36 Parallel - - -
IS49NLC36800-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25BLI - - -
RFQ
ECAD 5203 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLC36800 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 8m x 36 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus