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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61WV5128FBLL-10BLI-TR | 2.9427 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 36-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV5128FBLL-10BLI-TR | 2.500 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
![]() | IS43TR82560BL-15HBLI-TR | - - - | ![]() | 3682 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR82560 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS61NLP204818A-166TQ-tr | - - - | ![]() | 1018 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLP204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46LD16640A-25BLA2 | - - - | ![]() | 9224 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS46LD16640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS45S16320F-7TLA2-TR | 15.3000 | ![]() | 9029 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS62WV12816BLL-55B2I | - - - | ![]() | 9201 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS62WV12816BLL-55B2I | Veraltet | 480 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS25LP064-JMLE | - - - | ![]() | 6462 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | IS25LP064 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1340 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 44 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi | 800 µs | ||
![]() | IS43R32400E-5BL-TR | 4.2471 | ![]() | 5571 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32400 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 128mbit | 700 ps | Dram | 4m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS46LD32640C-18BLA1-TR | - - - | ![]() | 5210 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32640C-18BLA1-TR | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5.5 ns | Dram | 64m x 32 | Hsul_12 | 15ns | ||||
IS66WV25616BLL-55TLI | - - - | ![]() | 9585 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS66WV25616 | Psram (pseudo sram) | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Psram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | IS25LX128-JHLA3-TR | 3.5489 | ![]() | 6927 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25LX128 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LX128-JHLA3-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
![]() | IS43R16320D-6TL-TR | 5.1123 | ![]() | 6886 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43R86400D-5TLI | 8.3656 | ![]() | 2664 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS61WV51216ALL-20TLI | 7.4957 | ![]() | 7133 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV51216All-20TLI | 135 | Flüchtig | 8mbit | 20 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 20ns | ||||||
![]() | IS42S32800J-75TLI-TR | 5.9374 | ![]() | 9907 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 133 MHz | Flüchtig | 256mbit | 6 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61DDB21M36C-300M3L | - - - | ![]() | 3251 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDB21 | SRAM - Synchron, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 8.4 ns | Sram | 1m x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43TR16256BL-125KBL | 7.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1731 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25WP512M-RMLE | - - - | ![]() | 2882 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | Flash - Nor | 1,7 V ~ 1,95 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WP512M-RMLE | Veraltet | 1 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 2 ms | ||||
![]() | IS62WV2568BLL-55TLI | 2.7300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS62WV2568 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 156 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 256k x 8 | Parallel | 55ns | |||
IS62WV12816BLL-55TI | - - - | ![]() | 2481 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 2mbit | 55 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | IS43R32800B-6BL-TR | - - - | ![]() | 3877 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32800 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 144-minibga (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 8m x 32 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS43TR85120AL-107MBL-TR | - - - | ![]() | 6772 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (9x10.5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR85120AL-107MBL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS25WX512M-JHE-TR | 7.5600 | ![]() | 2425 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25WX512m | Blitz | 1,7 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WX512M-JHE-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
![]() | IS42S16160G-7TLI-TR | 6.6224 | ![]() | 8018 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS46TR16256B-125KBLA1 | 8.4090 | ![]() | 5195 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16256B-125KBLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS42SM32200K-75BLI-TR | - - - | ![]() | 5920 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42SM32200 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 6 ns | Dram | 2m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43R16320E-5BLI-TR | 7.1700 | ![]() | 1333 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS62WV25616DALL -55BI -TR | - - - | ![]() | 7111 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS46QR81024A-083TBLA2 | 21.5457 | ![]() | 5636 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 78-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024A-083TBLA2 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 1g x 8 | Parallel | 15ns | |||||
IS43DR16128C-3DBL-TR | 6.7500 | ![]() | 1217 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 ps | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns |
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