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Speicher(5712)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46LQ32640AL-062BLA1 | - |  | 1406 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-WFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA1 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 2Gbit | 3,5 ns | DRAM | 64M x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
 | IS61VPS204836B-250TQLI | 130.1800 | | 2531 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61VPS204836 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 2,8 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS21TF64G-JCLI | 70.8800 | | 147 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | IS21TF64G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF64G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | MMC | - | ||
 | IS61NVP51236B-200B3I-TR | - | | 4796 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NVP51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS66WV51216DBLL-55TLI | - | | 3972 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS66WV51216 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,5 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | PSRAM | 512K x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS62WV102416FBLL-45BLI-TR | 8.1000 | | 8879 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-VFBGA | IS62WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 48-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 16Mbit | 45 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 45ns | |||
 | IS62LV256-70UI-TR | - | | 2578 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-SOP | IS62LV256 | SRAM – Asynchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 28-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS61LPD51236A-250B3I-TR | - | | 9092 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LPD51236 | SRAM – Quad-Port, synchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS43LQ16256A-062BLI-TR | - | | 2665 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 200-VFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR4 | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 200-VFBGA (10x14,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LQ16256A-062BLI-TR | 2.500 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | DRAM | 256M x 16 | LVSTL | - | ||||||
 | IS45S16800B-7TLA1 | - | | 4961 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS43TR16128DL-107MBLI-TR | 4.8164 | | 2666 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS42S16160B-7B | - | | 2336 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-LFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
| IS43TR16512B-107MBLI | 21.2818 | | 9274 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512B-107MBLI | 136 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS42S32200C1-7BI-TR | - | | 5931 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 90-BGA (13x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS25LQ020B-JULE | - | | 5860 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-UFDFN freiliegendes Pad | IS25LQ020 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LQ020B-JULETR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 8 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | |
| IS43TR16128D-107MBL-TR | 4.2567 | | 2092 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16128D-107MBL-TR | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS46TR16128C-125KBLA1 | 6.3746 | | 7108 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61LPS204818A-166TQL-TR | - | | 9188 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LPS204818 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | SRAM | 2M x 18 | Parallel | - | ||
| IS61LPS204836B-166TQLI-TR | 98.0000 | | 8608 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LPS204836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 3,8 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61WV10248EDBLL-10BLI | 10.9354 | | 7549 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS61WV10248 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | IS45VM16800H-75BLA2 | - | | 7111 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS45VM16800 | SDRAM – Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
| IS41LV16105B-50TL | - | | 3897 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
| IS61LF102418A-7.5B3I-TR | - | | 1552 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
| IS43TR16128AL-15HBL | - | | 1153 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS46DR16640C-3DBLA2-TR | 5.9400 | | 1230 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS25WP256D-JMLE | 5.3900 | | 263 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25WP256 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
 | IS46DR16128A-3DBLA1 | - | | 6878 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-LFBGA | IS46DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-LFBGA (10,5x13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 162 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 3.6017 | | 1064 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | PSRAM | 16M x 8 | SPI – Oktaler I/O | 37,5 ns | ||||||
 | IS46LD32128C-18BPLA2 | - | | 9933 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS43DR82560B-3DBLI | - | | 5894 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (10,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | Q8667869 | EAR99 | 8542.32.0036 | 100 | 333 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 450 PS | DRAM | 256M x 8 | Parallel | 15ns |
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