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Speicher(5712)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43TR16256B-125KBL | 7.7500 |  | 21 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1727 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS64LV25616AL-12TA3-TR | - | | 4524 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS64LV25616 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | |||
 | IS62WV25616EBLL-55TLI-TR | - | | 7921 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS62WV25616 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS42S32800J-6BL | 6.0049 | | 6159 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS49NLC36160-25BLI | - | | 7267 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLC36160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | ||
| IS22TF16G-JCLA1 | 26.7671 | | 9178 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF16G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
| IS49NLC36800-33BI | - | | 4628 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 8M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS61LF51218A-7.5TQI | - | | 3017 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LF51218 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 18 | Parallel | - | ||
| IS25LP512M-RHLA3-TR | 7.3017 | | 3480 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP512M-RHLA3-TR | 2.500 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 7 ns | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | |||||
 | IS43TR81280CL-125JBL-TR | 3.2186 | | 6485 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR81280CL-125JBL-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | |
 | IS61LPS102418B-200B3LI-TR | 15.6750 | | 2102 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LPS102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
| IS62C51216AL-55TLI | 10.5176 | | 8348 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS62C51216 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 55ns |
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