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Speicher(5712)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS62WV51216ALL-70BI-TR | - |  | 5250 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS62WV51216 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8Mbit | 70 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS43DR16320C-25DBI | - | | 8880 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 400 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S32800D-7BLI | - | | 5268 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS61LF102436B-7.5TQLI-TR | 74.2500 | | 4928 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LF102436 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | ||
| IS61NLF51236-7.5TQI-TR | - | | 8543 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLF51236 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS61LF102418B-7.5TQ-TR | - | | 2346 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61LF102418 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS45S16320F-7BLA2 | 15.8813 | | 1049 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TW-BGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS45S32400E-6TLA1 | - | | 9088 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS43TR16128D-125KBLI-TR | 4.4629 | | 3351 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16128D-125KBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS61NLP12836B-200TQLI-TR | 7,5837 | | 6109 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLP12836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
| IS45S16320F-6BLA1 | 13.1535 | | 8826 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TW-BGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR | - | | 1513 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-LFBGA (9x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512S1DL-125KBLI-TR | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS62WV2568BLL-55TLI | 2.7300 | | 8 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS62WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 156 | Flüchtig | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 55ns | |||
 | IS66WVO32M8DALL-200BLI | 6.9500 | | 47 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | IS66WVO32M8 | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS66WVO32M8DALL-200BLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | PSRAM | 32M x 8 | SPI – Oktaler I/O | 40ns | ||
| IS61NLP12836EC-200TQLI | 7.5262 | | 9840 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLP12836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
 | IS42S16160G-6BLI | 4.2807 | | 1779 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 348 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
| IS62WV2568EBLL-45TLI-TR | 2.3547 | | 8690 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | IS62WV2568 | SRAM – Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | Parallel | 45ns | |||
| IS43DR16128C-25DBL | 8.9500 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1566 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS61LV6416-8KL | - | | 7908 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV6416 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 8ns | |||
| IS65WV12816BLL-55BLA3 | 4.6806 | | 5391 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS65WV12816 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 55ns | |||
 | IS46LD32128C-18BPLA2 | - | | 9933 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM – Mobiles LPDDR2 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 168-VFBGA (12x12) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46LD32128C-18BPLA2 | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS62LV256-70UI-TR | - | | 2578 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-SOP | IS62LV256 | SRAM – Asynchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 28-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 70er Jahre | |||
| IS43TR16512B-107MBLI | 21.2818 | | 9274 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16512B-107MBLI | 136 | 933 MHz | Flüchtig | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS43TR16128DL-107MBLI-TR | 4.8164 | | 2666 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS25LQ020B-JULE | - | | 5860 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-UFDFN freiliegendes Pad | IS25LQ020 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LQ020B-JULETR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 8 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | |
| IS43TR16128D-107MBL-TR | 4.2567 | | 2092 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR16128D-107MBL-TR | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 3.6017 | | 1064 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | PSRAM (Pseudo-SRAM) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-TFBGA (6x8) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS66WVO16M8DBLL-133BLI-TR | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | PSRAM | 16M x 8 | SPI – Oktaler I/O | 37,5 ns | ||||||
| IS42S32200C1-7BI-TR | - | | 5931 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 90-BGA (13x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS25WP256D-JMLE | 5.3900 | | 263 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | IS25WP256 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 800µs | |||
 | IS46DR81280C-3DBLA2 | - | | 5021 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 PS | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns |
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