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Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42S16100C1-7BL-TR	- - -	RFQ	4104	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS42S16100	Sdram	3v ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	143 MHz	Flüchtig	16mbit	5.5 ns	Dram	1m x 16	Parallel	- - -
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IS45S32400F-7BLA1	6.3698	RFQ	8466	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS45S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS42S16160D-6BLI-TR	- - -	RFQ	1702	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	166 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS62WV10248ebll-45tli	6.1500	RFQ	427	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS62WV10248	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	135		Flüchtig	8mbit	45 ns	Sram	1m x 8	Parallel	45ns
IS42S32400B-6TL	- - -	RFQ	7461	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS43R16160B-5TLI-TR	- - -	RFQ	4848	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	200 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns
IS42S32400B-6T	- - -	RFQ	2542	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS45S16160G-7TLA1	5.8571	RFQ	3614	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS42S16160D-6TLI	- - -	RFQ	2431	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS43R86400D-5B	- - -	RFQ	3320	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43R86400	SDRAM - DDR	2,5 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS43R86400D-5B	Veraltet		190	200 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
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IS42S16160D-75ebli-Tr	- - -	RFQ	1064	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	133 MHz	Flüchtig	256mbit	5.5 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
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IS42S32160B-6TLI-TR	- - -	RFQ	6049	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	1.500	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS43LD32640B-25BPL	- - -	RFQ	5075	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Lets Kaufen	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	168-VFBGA	IS43LD32640	SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4	1,14 V ~ 1,95 V.	168-VFBGA (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	168	400 MHz	Flüchtig	2Gbit		Dram	64m x 32	Parallel	15ns
IS42S16400D-7TL-TR	- - -	RFQ	5396	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16400	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	143 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS42S16160J-7BLI-TR	2.9626	RFQ	4752	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS61DDB22M18-250M3L	- - -	RFQ	3403	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDB22	SRAM - Synchron, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	105	250 MHz	Flüchtig	36Mbit		Sram	2m x 18	Parallel	- - -
IS42S16160D-7BL	- - -	RFQ	1984	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TW-BGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	240	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS61LPS51236A-200TQI	- - -	RFQ	5953	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LPS51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	200 MHz	Flüchtig	18mbit	3.1 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS43R16160B-5TL-TR	- - -	RFQ	2398	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16160	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	200 MHz	Flüchtig	256mbit	700 ps	Dram	16m x 16	Parallel	15ns
IS61LPS12836A-250TQL-TR	7.5837	RFQ	6735	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61LPS12836	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	250 MHz	Flüchtig	4,5mbit	2.6 ns	Sram	128k x 36	Parallel	- - -
IS46TR16640ED-15HBLA1	8.0394	RFQ	8163	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16640	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1469	Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS25LQ010a-jnle-tr	- - -	RFQ	8768	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25LQ010	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-soic	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	3.000	80 MHz	Nicht Flüchtig	1Mbit		Blitz	128k x 8	Spi - quad i/o	400 µs
IS42S81600D-6TL-TR	- - -	RFQ	6785	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S81600	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 8	Parallel	- - -
IS43TR16256A-125KBLI-TR	- - -	RFQ	6520	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16256	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.500	800 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	15ns
IS25WP016D-JNLE	1.0300	RFQ	6	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25WP016	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	100	133 MHz	Nicht Flüchtig	16mbit		Blitz	2m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS43TR81280BL-125JBLI	- - -	RFQ	6041	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR81280	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	242	800 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	128 MX 8	Parallel	15ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²