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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WD020-JBLE-TR | - |  | 1968 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25WD020 | BLITZ - NOCH | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.000 | 80 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | BLITZ | 256K x 8 | SPI | 3 ms | |||
 | IS45S16800E-6TLA1 | - | | 2147 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS46TR16256AL-125KBLA25 | - | | 4967 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 115°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS46TR16256AL-125KBLA25 | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS43TR16256A-093NBL-TR | - | | 8566 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16256A-093NBL-TR | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 1.066 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS42RM32800K-6BLI-TR | 5.6400 | | 6530 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42RM32800 | SDRAM – Mobil | 2,3 V ~ 3 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS43LR16160G-6BLI-TR | 5.4750 | | 7796 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16160 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.000 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS49NLS18160-33BL | - | | 3139 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 144-TFBGA | IS49NLS18160 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 300 MHz | Flüchtig | 288 Mbit | 20 ns | DRAM | 16M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS25LP512M-RMLA3 | - | | 9599 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LP512M-RMLA3 | VERALTET | 1 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 7 ns | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | |||
| IS25LQ040B-JBLE | - | | 9444 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | IS25LQ040 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1314 | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 4Mbit | BLITZ | 512K x 8 | SPI – Quad-I/O | 800µs | ||
 | IS42S16800D-75EBL-TR | - | | 9882 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-VFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-MiniBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 6,5 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS71LD32160WP128-3BPLI | - | | 4013 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | - | IS71LD32160 | FLASH – NOR, DRAM – LPDDR2 | 1,2 V, 1,8 V | 168-BGA | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | Q9572210 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 10 | 133 MHz | Nichtflüchtig, flüchtig | 128 Mbit (FLASH), 512 Mbit (DRAM) | FLASH, RAM | - | Parallel | - | ||
 | IS62C256-70U-TR | - | | 6080 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-SOP | IS62C256 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 256Kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 70er Jahre | |||
 | IS61NLF25636A-7.5TQI-TR | - | | 9883 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLF25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
| IS42S16160B-7BLI | - | | 3446 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-LFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-LFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS61NLP25636B-200B3LI-TR | 11.8500 | | 4797 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NLP25636 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
| IS42S32200E-6BI | - | | 8795 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
| IS43LR16320C-6BLI | 7.1328 | | 6432 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43LR16320 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 60-TFBGA (8x10) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS25LP032D-JBLA3-TR | 1.1438 | | 7180 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,209", 5,30 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP032D-JBLA3-TR | 2.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 32Mbit | 7 ns | BLITZ | 4M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | |||||
| IS45S16800F-7TLA1 | 4.2419 | | 4386 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
| IS61VPS204836B-250TQLI-TR | 114.6600 | | 5890 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61VPS204836 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 2,8 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | ||
 | IS62C10248AL-55TLI | 10.5176 | | 1108 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS62C10248 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Flüchtig | 8Mbit | 55 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallel | 55ns | |||
 | IS43DR81280C-25DBLI-TR | 5.3550 | | 1756 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 60-TWBGA (8x10,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 400 PS | DRAM | 128M x 8 | Parallel | 15ns | ||
| IS61WV102416FALL-20TLI | 9.5453 | | 7469 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFSOP (0,724", 18,40 mm Breite) | SRAM – Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V | 48-TSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FALL-20TLI | 96 | Flüchtig | 16Mbit | 20 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 20ns | ||||||
| IS43TR16128BL-15HBL | - | | 1013 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS41LV16105D-50TLI | 5.8702 | | 9172 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 50-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 44 Anschlüsse | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 50-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 117 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
| IS42SM32160C-75BLI | - | | 1881 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42SM32160 | SDRAM – Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V | 90-WBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS64WV102416BLL-10MA3 | - | | 4062 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | IS64WV102416 | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-miniBGA (9x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS46R16160D-6BLA1 | 6.8591 | | 5634 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS25LP064A-JKLE-TR | 1.2745 | | 7202 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-WDFN freiliegendes Pad | IS25LP064 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.500 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 64Mbit | BLITZ | 8M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI | 800µs | |||
| IS61LV12816L-8TL-TR | - | | 5626 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV12816 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallel | 8ns |
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