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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WP128F-RHLE-TR | 2.1378 |  | 5190 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-TBGA | FLASH – NOR (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP128F-RHLE-TR | 2.500 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 128 Mbit | BLITZ | 16M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 40µs, 800µs | ||||||
 | IS42S83200J-7TL | 2.9802 | | 8175 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Rohr | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S83200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32M x 8 | Parallel | - | ||
 | IS45S32200E-7TLA2 | - | | 1792 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS41LV16105B-50KLI-TR | - | | 2162 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 42-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS41LV16105 | DRAM - FP | 3V ~ 3,6V | 42-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 16Mbit | 25 ns | DRAM | 1M x 16 | Parallel | - | |||
 | IS45S32400F-7BLA2 | 7.8582 | | 9928 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS61VPS102418B-200TQLI | 17.2425 | | 9306 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61VPS102418 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS43R16320F-6TL | 4.1700 | | 49 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1550 | EAR99 | 8542.32.0028 | 108 | 167 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS42S16160D-7TL-TR | - | | 6712 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16M x 16 | Parallel | - | ||
| IS42S32200E-6BLI | - | | 4780 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32200 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS43DR16640C-3DBL | 3.9700 | | 1 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1563 | EAR99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 PS | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS42S32800G-6BLI | 8.3349 | | 8200 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
| IS42S32800B-6BL-TR | - | | 5670 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS63LV1024-8KL-TR | - | | 2079 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | IS63LV1024 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | Flüchtig | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 8ns | |||
 | IS61LPD102418A-250B3-TR | - | | 8835 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61LPD102418 | SRAM – Quad-Port, synchron | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
| IS61WV102416FBLL-10B2LI | 9.1946 | | 4645 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | SRAM – Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI | 480 | Flüchtig | 16Mbit | 10 ns | SRAM | 1M x 16 | Parallel | 10ns | ||||||
 | IS62WV5128DBLL-45BI | - | | 3994 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-TFBGA | IS62WV5128 | SRAM – Asynchron | 2,3 V ~ 3,6 V | 36-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 45ns | |||
 | IS61NVP102418-200B3-TR | - | | 9886 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61NVP102418 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | IS43TR16640CL-107MBL | 3.3318 | | 6877 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16640CL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS21TF64G-JQLI | 71.0800 | | 4123 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21TF64G | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21TF64G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 512 Gbit | BLITZ | 64G x 8 | MMC | - | ||
| IS43LD32128B-25BLI-TR | 10.6400 | | 9035 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD32128B-25BLI-TR | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
 | IS61QDPB42M36A-500M3L | 111.7063 | | 7752 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-LBGA | IS61QDPB42 | SRAM – Synchron, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (15x17) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | Flüchtig | 72Mbit | 8,4 ns | SRAM | 2M x 36 | Parallel | - | ||
| IS46TR16640A-125JBLA1-TR | - | | 8781 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS62WV1288BLL-55HLI | 2.2900 | | 913 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-TFSOP (0,465", 11,80 mm Breite) | IS62WV1288 | SRAM – Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V | 32-sTSOP I | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 55ns | |||
| IS42S32400E-7TLI | - | | 2329 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS41C16256C-35TLI-TR | - | | 7275 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite), 40 Anschlüsse | IS41C16256 | DRAM - EDO | 4,5 V ~ 5,5 V | 40-TSOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | Flüchtig | 4Mbit | 18 ns | DRAM | 256K x 16 | Parallel | - | |||
 | IS43R16160F-6BLI-TR | 4.0429 | | 5246 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61LV51216-10TLI-TR | - | | 6189 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS61LV51216 | SRAM – Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 8Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallel | 10ns | |||
| IS43R16160B-6TL | - | | 7982 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS43DR16128C-25DBLI | 14.9100 | | 2 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 84-TFBGA | IS43DR16128 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-TWBGA (8x12,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-1568 | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 400 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 400 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | |
 | IS42S32160B-75BLI | - | | 2177 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-LFBGA | IS42S32160 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-LFBGA (13x11) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 144 | 133 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | - |
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