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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LQ080-JKLE | - - - | ![]() | 2323 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LQ080 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o | 1 ms | |||
![]() | IS49RL18320-093BL | - - - | ![]() | 5897 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | IS49RL18320 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 10 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61C1024AL-12TI-TR | - - - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS62C1024AL-35QI | - - - | ![]() | 6491 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) | IS62C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-sout | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 84 | Flüchtig | 1Mbit | 35 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 35ns | |||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA3-TR | - - - | ![]() | 2521 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640CL-107MBLA3-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS45S32400B-7TLA1-TR | - - - | ![]() | 4470 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 86-TSOP II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS25LP512M-JLLE-TR | 10.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LP512 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 4.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 1,6 ms | |||
![]() | IS42S32800G-6BL | 7.3485 | ![]() | 4267 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61WV51216EDBLL-10BLI-TR | 8.9971 | ![]() | 6624 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV51216 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 512k x 16 | Parallel | 10ns | |||
IS43DR16320D-3DBLI | 6.0682 | ![]() | 2487 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS64WV6416BLL-15BA3 | - - - | ![]() | 1092 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS64WV6416 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS25LP128-JKLE | 2.4700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25LP128 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi | 1 ms | |||
![]() | IS43TR16512S2DL-125KBLI-TR | 20.0032 | ![]() | 7896 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-LWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR16512S2DL-125KBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 8gbit | 20 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | |
![]() | IS71LD32160WP128-3BPLI | - - - | ![]() | 4013 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | - - - | IS71LD32160 | Flash - Nor, Dram - LPDDR2 | 1,2 V, 1,8 V. | 168-Bga | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Q9572210 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 10 | 133 MHz | NICKTFLÜCHIG, FLÜCHIGIG | 128Mbit (Flash), 512Mbit (DRAM) | Blitz, Ram | - - - | Parallel | - - - | ||
![]() | IS63LV1024L-12H | - - - | ![]() | 1060 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS63LV1024 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 32-stSop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | |||
![]() | IS43TR16256A-125KBL | - - - | ![]() | 3788 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16256 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS62WV5128BLL-55HLI | 4.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 32-stSop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 234 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 55ns | |||
![]() | IS42RM16200D-75BLI-TR | 2.2500 | ![]() | 2497 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42RM16200 | Sdram - Mobil | 2,3 V ~ 2,7 V | 54-TFBGA (8x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Dram | 2m x 16 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43R16160F-5BL | 4.1001 | ![]() | 4030 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 200 MHz | Flüchtig | 256mbit | 700 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS29GL032-70TLET | 3.0443 | ![]() | 5900 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL032-70Tlet | 96 | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 70 ns | Blitz | 2m x 16 | CFI | 70ns | ||||||
![]() | IS61VF51236A-7,5B3I | - - - | ![]() | 4399 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61VF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS43TR16128BL-15HBL | - - - | ![]() | 1013 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS25WD020-JKLE | - - - | ![]() | 2234 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | IS25WD020 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (6x5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 80 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | Blitz | 256k x 8 | Spi | 3 ms | |||
![]() | IS42VM32400G-75BLI | - - - | ![]() | 9085 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42VM32400 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 128mbit | 6 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61LPS204818A-166TQL | - - - | ![]() | 2381 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3,5 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
![]() | IS61NLP102418B-200B3LI-TR | 14.6300 | ![]() | 6881 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
IS62WV25616DALL-55TL-TR | - - - | ![]() | 1448 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 55 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 55ns | ||||
![]() | IS43QR16256B-075ubli-Tr | 9.5760 | ![]() | 5027 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-TWBGA (7,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR16256B-075ubli-Tr | 2.500 | 1,333 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | Dram | 256 mx 16 | Pod | 15ns | |||||
![]() | IS45S16800F-6CTLA1 | 5.1888 | ![]() | 5624 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
IS61LV12816L-10TLI-TR | - - - | ![]() | 9784 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV12816 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.000 | Flüchtig | 2mbit | 10 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 10ns |
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