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Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS25LQ032B-JKLE-TR	- - -	RFQ	8201	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	IS25LQ032	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b1a	8542.32.0071	4.500	104 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o	1 ms
IS63LV1024L-10TLI	- - -	RFQ	5513	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS63LV1024	SRAM - Asynchron	3,15 V ~ 3,45 V.	32-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	117		Flüchtig	1Mbit	10 ns	Sram	128k x 8	Parallel	10ns
IS61DDPB41M36A-400M3L	71.5551	RFQ	6684	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDPB41	SRAM - Synchron, DDR IIP	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	105	400 MHz	Flüchtig	36Mbit		Sram	1m x 36	Parallel	- - -
IS29GL064-70TLET	4.6200	RFQ	666	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS29GL064	Flash - Nor	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS29GL064-70Tlet	3a991b1a	8542.32.0071	96		Nicht Flüchtig	64Mbit	70 ns	Blitz	8m x 8	Parallel	75ns
IS43TR16640AL-125JBLI	- - -	RFQ	4557	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16640	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS42S32800D-7TL	- - -	RFQ	8884	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32800	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	8m x 32	Parallel	- - -
IS29GL032-70tled	3.0443	RFQ	7850	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)		Flash - Nor (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS29GL032-70tled			96		Nicht Flüchtig	32Mbit	70 ns	Blitz	2m x 16	CFI	70ns
IS61LF51236A-6.5B2LI	- - -	RFQ	7968	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	119-BBGA	IS61LF51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,6 V.	119-PBGA (14x22)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	84	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS25LP032D-JNLE	1.2300	RFQ	2	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25LP032	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-Sop	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1585	3a991b1a	8542.32.0071	100	133 MHz	Nicht Flüchtig	32Mbit		Blitz	4m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	800 µs
IS49NLC36160-33BL	- - -	RFQ	8886	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLC36160	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-FCBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	104	300 MHz	Flüchtig	576mbit	20 ns	Dram	16m x 36	Parallel	- - -
IS43TR85120AL-15HBL	- - -	RFQ	6310	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR85120	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	78-TWBGA (9x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	220	667 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	512 MX 8	Parallel	15ns
IS61VPS204836B-250B3L	120.7500	RFQ	5318	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61VPS204836	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	250 MHz	Flüchtig	72Mbit	2,8 ns	Sram	2m x 36	Parallel	- - -
IS43DR86400C-3DBL-TR	3.5682	RFQ	1743	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43DR86400	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	60-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.000	333 MHz	Flüchtig	512mbit	450 ps	Dram	64m x 8	Parallel	15ns
IS61LV2568L-10T-tr	- - -	RFQ	6772	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61LV2568	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	2mbit	10 ns	Sram	256k x 8	Parallel	10ns
IS43TR82560B-125KBLI-TR	- - -	RFQ	1640	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR82560	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	2.000	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS42S86400D-7TLI-TR	13.5300	RFQ	1205	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S86400	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	1.500	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	64m x 8	Parallel	- - -
IS25LQ010A-JNLE	- - -	RFQ	5509	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25LQ010	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-soic	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	100	80 MHz	Nicht Flüchtig	1Mbit		Blitz	128k x 8	Spi - quad i/o	400 µs
IS61WV2048BLL-10TLI-TR	18.0000	RFQ	6160	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61WV20488	SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	16mbit	10 ns	Sram	2m x 8	Parallel	10ns
IS42S16100C1-5T	- - -	RFQ	6305	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16100	Sdram	3v ~ 3,6 V	50-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	117	200 MHz	Flüchtig	16mbit	5 ns	Dram	1m x 16	Parallel	- - -
IS61NLP25618ec-200tqli	7.5262	RFQ	9051	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP25618	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	200 MHz	Flüchtig	4,5mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallel	- - -
IS64LF204818B-7.5TQLA3	132.3258	RFQ	8137	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS64LF204818	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	117 MHz	Flüchtig	36Mbit	7,5 ns	Sram	2m x 18	Parallel	- - -
IS61DDB22M18A-250B4LI	- - -	RFQ	2259	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDB22	SRAM - Synchron, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	144	250 MHz	Flüchtig	36Mbit	8.4 ns	Sram	2m x 18	Parallel	- - -
IS64LV25616AL-12TLA3	9.7086	RFQ	6402	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS64LV25616	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	135		Flüchtig	4mbit	12 ns	Sram	256k x 16	Parallel	12ns
IS61NLP51236-250B3I	- - -	RFQ	3389	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61NLP51236	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	250 MHz	Flüchtig	18mbit	2.6 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS46DR16128A-3DBLA2-TR	- - -	RFQ	7780	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	84-LFBGA	IS46DR16128	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	84-LFBGA (10,5x13,5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.500	333 MHz	Flüchtig	2Gbit	450 ps	Dram	128 MX 16	Parallel	15ns
IS49NLC93200-25WBLI	- - -	RFQ	1258	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLC93200	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-TWBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	Flüchtig	288mbit	20 ns	Dram	32m x 9	Parallel	- - -
IS46LD16640A-25BLA2-TR	- - -	RFQ	1336	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	134-tfbga	IS46LD16640	SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4	1,14 V ~ 1,95 V.	134-tfbga (10x11.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	1.200	400 MHz	Flüchtig	1Gbit		Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS43TR16640BL-107MBL	- - -	RFQ	1323	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16640	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	190	933 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS62WV12816ALL-55BLI	2.7843	RFQ	5817	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS62WV12816	SRAM - Asynchron	1,65 V ~ 2,2 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	2mbit	45 ns	Sram	128k x 16	Parallel	55ns
IS43TR82560D-107MBL	4.6106	RFQ	6114	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv				IS43TR82560				Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	Q12358570	Ear99	8542.32.0036	242

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²