RFQ
Bom
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS46LR16320B-6BLA1	- - -	RFQ	1745	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46LR16320	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	60-TFBGA (8x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	32m x 16	Parallel	12ns
IS42S32160B-75BLI	- - -	RFQ	2177	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-LFBGA (13x11)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS61DDB451236A-250M3L	32.3796	RFQ	9104	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDB451236	SRAM - Synchron, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	105	250 MHz	Flüchtig	18mbit		Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS66WVE2M16EBLL-55BLI	- - -	RFQ	9294	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	32Mbit	55 ns	Psram	2m x 16	Parallel	55ns
IS61LV12816L-10LQLI	- - -	RFQ	2396	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-lqfp	IS61LV12816	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-LQFP (10x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	160		Flüchtig	2mbit	10 ns	Sram	128k x 16	Parallel	10ns
IS66WVE1M16BLL-70BLI	- - -	RFQ	9107	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS66WVE1M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	16mbit	70 ns	Psram	1m x 16	Parallel	70ns
IS42S32200C1-7B	- - -	RFQ	8847	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-LFBGA	IS42S32200	Sdram	3,15 V ~ 3,45 V.	90-bga (13x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS61QDB44M18A-300M3L	74.4172	RFQ	6110	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61QDB44	SRAM - Synchron, Quad	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	105	300 MHz	Flüchtig	72Mbit	8.4 ns	Sram	4m x 18	Parallel	- - -
IS61NLP6432A-200TQLI-TR	5.4170	RFQ	2530	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP6432	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	2mbit	3.1 ns	Sram	64k x 32	Parallel	- - -
IS46DR81280C-25DBLA2-TR	- - -	RFQ	1196	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46DR81280	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	60-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	2.000	400 MHz	Flüchtig	1Gbit	400 ps	Dram	128 MX 8	Parallel	15ns
IS42S16400J-6TLI-TR	1.6792	RFQ	8341	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16400	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	1.500	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS43TR81280B-107MBLI	6.2039	RFQ	9986	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR81280	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	242	933 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	128 MX 8	Parallel	15ns
IS45S16160J-7CTLA1	5.1008	RFQ	9357	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S16160	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS61LF102418A-6.5B3	- - -	RFQ	9073	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61LF102418	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	144	133 MHz	Flüchtig	18mbit	6,5 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS42VM16400K-75BLI-TR	- - -	RFQ	5961	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42VM16400	Sdram - Mobil	1,7 V ~ 1,95 V.	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	133 MHz	Flüchtig	64Mbit	6 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS43TR16256BL-107MBL	10.3400	RFQ	1	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16256	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-1729	Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	15ns
IS43DR16320C-3DBI	- - -	RFQ	5014	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	84-tfbga	IS43DR16320	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	84-TWBGA (8x12,5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	Flüchtig	512mbit	450 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS63WV1024BLL-12HLI-TR	1.7371	RFQ	5353	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit)	IS63WV1024	SRAM - Asynchron	3v ~ 3,6 V	32-stSop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	1Mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallel	12ns
IS42S32160B-6BLI-TR	- - -	RFQ	6454	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-WBGA (11x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	2.000	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS43TR16640BL-107MBLI-TR	- - -	RFQ	7360	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16640	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	1.500	933 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS61WV12824-8BI	- - -	RFQ	3325	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	119-BBGA	IS61WV12824	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,465V	119-PBGA (14x22)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS61WV12824-8BI	Veraltet		84		Flüchtig	3mbit	8 ns	Sram	128k x 24	Parallel	8ns
IS43R16800E-5TL	2.4110	RFQ	1330	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16800	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	Flüchtig	128mbit	700 ps	Dram	8m x 16	Parallel	15ns
IS46TR16128BL-125KBLA2	- - -	RFQ	5323	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16128	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	128 MX 16	Parallel	15ns
IS61LV5128AL-10TI-TR	- - -	RFQ	6641	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61LV5128	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	4mbit	10 ns	Sram	512k x 8	Parallel	10ns
IS42VM16160D-8BL	- - -	RFQ	5027	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42VM16160	Sdram - Mobil	1,7 V ~ 1,95 V.	54-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	240	125 MHz	Flüchtig	256mbit	6 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS43TR85120B-125KBL-TR	5.4437	RFQ	5184	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga		SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS43TR85120B-125KBL-TR			2.000	800 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	512 MX 8	Parallel	15ns
IS61NLP25618A-200TQLI-TR	7.5837	RFQ	7460	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP25618	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	200 MHz	Flüchtig	4,5mbit	3.1 ns	Sram	256k x 18	Parallel	- - -
IS42SM16200C-75BLI-TR	- - -	RFQ	5354	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42SM16200	Sdram - Mobil	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	133 MHz	Flüchtig	32Mbit	6 ns	Dram	2m x 16	Parallel	- - -
IS43R16800C-5TL	- - -	RFQ	4593	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16800	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	200 MHz	Flüchtig	128mbit	700 ps	Dram	8m x 16	Parallel	15ns
IS62WV2568DBLL-45TLI	1.4800	RFQ	5	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS62WV2568	SRAM - Asynchron	2,5 V ~ 3,6 V.	32-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	Informationser Ereichen Auf und Freage Verflügbar		3a991	8542.32.0041	1		Flüchtig	2mbit	45 ns	Sram	256k x 8	Parallel	45ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²