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Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42SM32800D-75BL-TR	- - -	RFQ	5460	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42SM32800	Sdram - Mobil	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	133 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	8m x 32	Parallel	- - -
IS45S32200L-7BLA1	5.0992	RFQ	5795	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS45S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	143 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS46TR16128C-15HBLA2	7.1113	RFQ	5515	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16128	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	128 MX 16	Parallel	15ns
IS43LR32100D-6BL	2.7495	RFQ	4410	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS43LR32100	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	Flüchtig	32Mbit	5.5 ns	Dram	1m x 32	Parallel	15ns
IS42S32800G-6BLI	8.3349	RFQ	8200	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32800	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	8m x 32	Parallel	- - -
IS46TR81280C-125JBLA25	- - -	RFQ	6275	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 115 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS46TR81280	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS46TR81280C-125JBLA25	Ear99	8542.32.0032	136	800 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	128 MX 8	Parallel	15ns
IS42S32160B-7TLI-TR	- - -	RFQ	2381	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	1.500	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS42SM32400H-75BLI	4.8188	RFQ	1305	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42SM32400	Sdram - Mobil	2,7 V ~ 3,6 V.	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	240	133 MHz	Flüchtig	128mbit	6 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS25CD512-JNLE-TR	- - -	RFQ	9672	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25CD512	Blitz	2,7 V ~ 3,6 V.	8-soic	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	3.000	100 MHz	Nicht Flüchtig	512Kbit		Blitz	64k x 8	Spi	5 ms
IS46TR16256AL-125KBLA2-TR	- - -	RFQ	4002	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16256	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	1.500	800 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	15ns
IS63LV1024L-12j	- - -	RFQ	7984	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit)	IS63LV1024	SRAM - Asynchron	3v ~ 3,6 V	32-soj	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	22		Flüchtig	1Mbit	12 ns	Sram	128k x 8	Parallel	12ns
IS42VM16400M-6BLI-Tr	2.9135	RFQ	5449	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42VM16400	Sdram - Mobil	1,7 V ~ 1,95 V.	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	2.500	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS25LQ040B-JULE	- - -	RFQ	8169	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-UFDFN Exposed Pad	IS25LQ040	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-uson (2x3)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LQ040B-Juletr	Ear99	8542.32.0071	5.000	104 MHz	Nicht Flüchtig	4mbit	8 ns	Blitz	512k x 8	Spi - quad i/o	800 µs
IS42S32200E-6BI	- - -	RFQ	8795	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS45S16320B-7BLA1	- - -	RFQ	9970	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS45S16320	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-WBGA (11x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	144	143 MHz	Flüchtig	512mbit	5.4 ns	Dram	32m x 16	Parallel	- - -
IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR	2.8969	RFQ	8236	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)		SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR			1.000		Flüchtig	2mbit	10 ns	Sram	128k x 16	Parallel	10ns
IS61WV20488BLL-10MLI-TR	18.5250	RFQ	3935	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS61WV20488	SRAM - Asynchron	2,4 V ~ 3,6 V.	48-minibga (9x11)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.000		Flüchtig	16mbit	10 ns	Sram	2m x 8	Parallel	10ns
IS45S32400B-7TLA1	- - -	RFQ	5176	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS45S32400	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	4m x 32	Parallel	- - -
IS42S16800F-6TL	2.3385	RFQ	9801	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS61LV25616AL-10TLI-TR	5.0400	RFQ	5	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61LV25616	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	1.000		Flüchtig	4mbit	10 ns	Sram	256k x 16	Parallel	10ns
IS25LP064D-JKLE	1.3549	RFQ	4254	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad		Flash - Nor (SLC)	2,3 V ~ 3,6 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)		706-IS25LP064D-JKLE			570	166 MHz	Nicht Flüchtig	64Mbit		Blitz	8m x 8	Spi - quad i/o, qpi, dtr	40 µs, 800 µs
IS61DDB24M18A-300B4LI	74.4172	RFQ	4148	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDB24	SRAM - Synchron, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	144	300 MHz	Flüchtig	72Mbit		Sram	4m x 18	Parallel	- - -
IS25LQ025B-JULE	- - -	RFQ	5346	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-UFDFN Exposed Pad	IS25LQ025	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-uson (2x3)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LQ025B-Juletr	Ear99	8542.32.0071	5.000	104 MHz	Nicht Flüchtig	256Kbit	8 ns	Blitz	32k x 8	Spi - quad i/o	800 µs
IS62WVS2568GBLL-45NLI	2.5369	RFQ	4194	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)		SRAM - Synchron	2,7 V ~ 3,6 V.	8-soic	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS62WVS2568GBLL-45NLI			100	45 MHz	Flüchtig	2mbit	15 ns	Sram	256k x 8	SPI - Quad I/O, SDI	- - -
IS61NVF51236-7.5TQI-TR	- - -	RFQ	7597	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NVF51236	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS46LR16320B-6BLA1	- - -	RFQ	1745	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS46LR16320	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	60-TFBGA (8x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	300	166 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	32m x 16	Parallel	12ns
IS42S32160B-75BLI	- - -	RFQ	2177	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-LFBGA	IS42S32160	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-LFBGA (13x11)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	144	133 MHz	Flüchtig	512mbit	5.5 ns	Dram	16 mx 32	Parallel	- - -
IS61DDB451236A-250M3L	32.3796	RFQ	9104	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61DDB451236	SRAM - Synchron, DDR II	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0002	105	250 MHz	Flüchtig	18mbit		Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS66WVE2M16EBLL-55BLI	- - -	RFQ	9294	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS66WVE2M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	32Mbit	55 ns	Psram	2m x 16	Parallel	55ns
IS66WVE1M16BLL-70BLI	- - -	RFQ	9107	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-tfbga	IS66WVE1M16	Psram (pseudo sram)	2,7 V ~ 3,6 V.	48-tfbga (6x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	480		Flüchtig	16mbit	70 ns	Psram	1m x 16	Parallel	70ns

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²