RFQ
Bom
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Speicher (5712)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	SPANNUNG - Verrorane	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Taktfrequenz	Speichertyp	Speichergrö	Zugriffszeit	Speicherformat	Speicherorganisation	Speicherschnittstelle	Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS46LD32320A-3BPLA2-TR	- - -	RFQ	4982	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	168-VFBGA	IS46LD32320	SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4	1,14 V ~ 1,95 V.	168-VFBGA (12x12)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	1.200	333 MHz	Flüchtig	1Gbit		Dram	32m x 32	Parallel	15ns
IS46TR16128D-125KBLA1-TR	4.8753	RFQ	1971	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16128	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS46TR16128D-125KBLA1-TR	Ear99	8542.32.0036	1.500	800 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	128 MX 16	Parallel	15ns
IS43DR16320D-3DBI	- - -	RFQ	9040	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	84-tfbga	IS43DR16320	SDRAM - DDR2	1,7 V ~ 1,9 V.	84-TWBGA (8x12,5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	209	333 MHz	Flüchtig	512mbit	450 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS62WV102416DBLL-45TLI	11.1800	RFQ	9315	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS62WV102416	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	96		Flüchtig	16mbit	45 ns	Sram	1m x 16	Parallel	45ns
IS42S83200J-7BLI	- - -	RFQ	5083	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42S83200	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	348	143 MHz	Flüchtig	256mbit	5.4 ns	Dram	32m x 8	Parallel	- - -
IS42RM16160E-75BLI-TR	- - -	RFQ	9248	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Abgebrochen bei Sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42RM16160	Sdram - Mobil	2,3 V ~ 3V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	133 MHz	Flüchtig	256mbit	6 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	- - -	RFQ	5809	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	Automobil, AEC-Q100	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	32-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS65WV1288	SRAM - Synchron	2,2 V ~ 3,6 V.	32-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR	Ear99	8542.32.0041	1.500		Flüchtig	1Mbit	55 ns	Sram	128k x 8	Parallel	55ns
IS43R16320D-6TLI	8.3985	RFQ	7474	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS43R16320	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	66-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS42S32200E-6TL	- - -	RFQ	1565	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	86-TSOP II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS43TR16256AL-107MBLI	- - -	RFQ	9552	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16256	SDRAM - DDR3L	1,283v ~ 1,45 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	190	933 MHz	Flüchtig	4Gbit	20 ns	Dram	256 mx 16	Parallel	15ns
IS42S16400F-7TLI	- - -	RFQ	5843	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS42S16400	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	4m x 16	Parallel	- - -
IS61VF51236B-7.5TQLI-TR	13.9821	RFQ	8118	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61VF51236	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS43LR16400B-6BLI	- - -	RFQ	1855	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43LR16400	SDRAM - Mobile LPDDR	1,7 V ~ 1,95 V.	60-TFBGA (8x10)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.5 ns	Dram	4m x 16	Parallel	15ns
IS61VF51236A-7.5TQLI-TR	- - -	RFQ	2527	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61VF51236	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	800	117 MHz	Flüchtig	18mbit	7,5 ns	Sram	512k x 36	Parallel	- - -
IS42S32200L-6BI-TR	- - -	RFQ	2954	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	90-tfbga	IS42S32200	Sdram	3v ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	166 MHz	Flüchtig	64Mbit	5.4 ns	Dram	2m x 32	Parallel	- - -
IS49NLC93200-25B	- - -	RFQ	3637	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	144-tfbga	IS49NLC93200	RLDRAM 2	1,7 V ~ 1,9 V.	144-FCBGA (11x18.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	104	400 MHz	Flüchtig	288mbit	20 ns	Dram	32m x 9	Parallel	- - -
IS42S16100F-7BL	- - -	RFQ	8050	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS42S16100	Sdram	3v ~ 3,6 V	60-TFBGA (6.4x10.1)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	117	143 MHz	Flüchtig	16mbit	5.5 ns	Dram	1m x 16	Parallel	- - -
IS43TR82560C-15HBL	5.8712	RFQ	6958	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Nicht für Designs	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	78-tfbga	IS43TR82560	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	78-TWBGA (8x10.5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0036	242	667 MHz	Flüchtig	2Gbit	20 ns	Dram	256 mx 8	Parallel	15ns
IS25LQ025B-JVLE	- - -	RFQ	5229	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Veraltet	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	IS25LQ025	Flash - Nor	2,3 V ~ 3,6 V.	8-vvsop	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	706-IS25LQ025B-JVLE	Ear99	8542.32.0071	100	104 MHz	Nicht Flüchtig	256Kbit	8 ns	Blitz	32k x 8	Spi - quad i/o	800 µs
IS61LV6416-10TLI	- - -	RFQ	8079	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit)	IS61LV6416	SRAM - Asynchron	3,135 V ~ 3,6 V.	44-tsop II	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3A991B2B	8542.32.0041	135		Flüchtig	1Mbit	10 ns	Sram	64k x 16	Parallel	10ns
IS43R16320F-5BL	5.8923	RFQ	8491	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	60-tfbga	IS43R16320	SDRAM - DDR	2,3 V ~ 2,7 V	60-TFBGA (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0028	190	200 MHz	Flüchtig	512mbit	700 ps	Dram	32m x 16	Parallel	15ns
IS61NVP102418-250B3-TR	- - -	RFQ	9777	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-Tbga	IS61NVP102418	SRAM - Synchron, SDR	2.375 V ~ 2,625 V.	165-tfbga (13x15)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	2.000	250 MHz	Flüchtig	18mbit	2.6 ns	Sram	1m x 18	Parallel	- - -
IS61QDPB42M36A1-500M3L	111.7063	RFQ	2703	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	165-lbga	IS61QDPB42	SRAM - Synchron, Quadp	1,71 V ~ 1,89 V.	165-LFBGA (15x17)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	105	500 MHz	Flüchtig	72Mbit	8.4 ns	Sram	2m x 36	Parallel	- - -
IS42S16800D-6B-TR	- - -	RFQ	3335	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Veraltet	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-VFBGA	IS42S16800	Sdram	3v ~ 3,6 V	54-Minibga (8x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0002	2.500	166 MHz	Flüchtig	128mbit	5.4 ns	Dram	8m x 16	Parallel	- - -
IS62WV102416GBLL-45TLI	8.7377	RFQ	6281	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit)	IS62WV102416	SRAM - Asynchron	2,2 V ~ 3,6 V.	48-tsop i	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	96		Flüchtig	16mbit	45 ns	Sram	1m x 16	Parallel	45ns
IS43TR16640B-125KBLI	- - -	RFQ	5613	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS43TR16640	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS46TR16640B-15GBLA1	- - -	RFQ	7983	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Oberflächenhalterung	96-tfbga	IS46TR16640	SDRAM - DDR3	1,425 V ~ 1,575 V.	96-TWBGA (9x13)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0032	190	667 MHz	Flüchtig	1Gbit	20 ns	Dram	64m x 16	Parallel	15ns
IS42RM16160K-75BLI-TR	5.0239	RFQ	1281	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	54-tfbga	IS42RM16160	Sdram - Mobil	2,3 V ~ 3V	54-TFBGA (8x8)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0024	2.500	133 MHz	Flüchtig	256mbit	6 ns	Dram	16m x 16	Parallel	- - -
IS25WQ040-JKLE	- - -	RFQ	2951	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 105 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	8-WDFN Exponte Pad	IS25WQ040	Flash - Nor	1,65 V ~ 1,95 V.	8-Wson (6x5)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8542.32.0071	570	104 MHz	Nicht Flüchtig	4mbit		Blitz	512k x 8	Spi	1 ms
IS61NLP204836B-166TQLI	114.4219	RFQ	6098	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.	- - -	Tablett	Aktiv	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Oberflächenhalterung	100-LQFP	IS61NLP204836	SRAM - Synchron, SDR	3,135 V ~ 3,465V	100-LQFP (14x20)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen		3a991b2a	8542.32.0041	72	166 MHz	Flüchtig	72Mbit	3.8 ns	Sram	2m x 36	Parallel	- - -

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Speicher (5712)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²