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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43LD16640C-18BLI | 8.9643 |  | 9185 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 134-tfbga | IS43LD16640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,95 V. | 134-tfbga (10x11.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 1Gbit | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | IS61WV102416DBLL-10TLI-TR | 10.7100 | | 6683 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) | IS61WV102416 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tsop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1.500 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Parallel | 10ns | |||
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 | IS61LV25616AL-10KLI | - - - | | 8389 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61LV25616 | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,6 V. | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
 | IS49NLC18320A-25EWBL | 49.5275 | | 3618 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC18320A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 32m x 18 | Hstl | - - - | ||||
 | Is21es04g-jcli | - - - | | 7466 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 153-VFBGA | Is21es04 | Blitz - Nand (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 153-VFBGA (11,5x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1640 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 32Gbit | Blitz | 4g x 8 | EMMC | - - - | ||
| IS25WP128F-JLLE | 2.1987 | | 1451 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP128F-JLLE | 480 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
 | IS25LQ020B-JVLE | - - - | | 3178 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LQ020 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-vvsop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LQ020B-JVLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 2mbit | 8 ns | Blitz | 256k x 8 | Spi - quad i/o | 800 µs | |
| IS61WV2048FBLL-10BLI-TR | 8.5785 | | 5739 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS61WV20488fbll-10BLI-Tr | 2.500 | Flüchtig | 16mbit | 10 ns | Sram | 2m x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
| IS25WP064D-JBLA3-TR | 1.5646 | | 4664 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP064D-JBLA3-TR | 2.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 64Mbit | 5.5 ns | Blitz | 8m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
 | IS43TR81280B-15GBLI | - - - | | 6827 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR81280 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43LD32128B-25BPLI | 13.7189 | | 1887 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128B-25BPLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 128 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43DR16640C-3DBLI | 6.4000 | | 775 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16640 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1565 | Ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 450 ps | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS25LP032D-JNLA3 | 1.6000 | | 7 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP032 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25LP032D-JNLA3 | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | ||
 | IS42VM32160E-75BLI | 9.1192 | | 1440 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42VM32160 | Sdram - Mobil | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 6 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
| IS42SM32160C-75BLI | - - - | | 1881 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Abgebrochen bei Sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-LFBGA | IS42SM32160 | Sdram - Mobil | 2,7 V ~ 3,6 V. | 90-WBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16160B-7BI | - - - | | 7061 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-lfbga | IS42S16160 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-LFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 256mbit | 5.4 ns | Dram | 16m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43DR86400C-25DBL-TR | 5.6400 | | 4396 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS43DR86400 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 60-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 400 MHz | Flüchtig | 512mbit | 400 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | IS62WV5128EBLL-45T2LI | 3.6600 | | 549 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-Soic (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS62WV5128 | SRAM - Asynchron | 2,2 V ~ 3,6 V. | 32-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-1545 | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 117 | Flüchtig | 4mbit | 45 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 45ns | ||
| IS46LQ32128AL-062TBLA1 | - - - | | 7420 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 200-VFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 200-VFBGA (10x14,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1 | 136 | 1,6 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 3,5 ns | Dram | 128 mx 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS42S32400E-7BL | - - - | | 2551 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS42S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | ||
 | IS66WVE1M16EBLL-55BLI | - - - | | 9991 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS66WVE1M16 | Psram (pseudo sram) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | Flüchtig | 16mbit | 55 ns | Psram | 1m x 16 | Parallel | 55ns | |||
| IS43LR32640B-5BLI | 10.0364 | | 3991 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32640B-5BLI | 240 | 208 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 5 ns | Dram | 64m x 32 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS25LP032D-JMLE-TR | 1.0673 | | 1623 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) | IS25LP032 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS46R16320D-5BLA1-TR | 9.8250 | | 3578 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS43R32160D-5BLI-TR | - - - | | 7485 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-lfbga | IS43R32160 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 144-LFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S16320D-6TLI | 15.3175 | | 7775 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | ||
| IS25LP01G-RILA3-TR | 12.3291 | | 1835 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24 lbga | Flash - Nor (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 24-LFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP01G-RILA3-TR | 2.500 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 1Gbit | 8 ns | Blitz | 128 MX 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1 ms | |||||
| IS46R16320D-6BLA2-TR | 11.2500 | | 7530 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 60-tfbga | IS46R16320 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61LPS102418A-200TQ | - - - | | 8282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - |
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