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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61NVP25672-200B1I | - - - | ![]() | 2985 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 209-Bga | IS61NVP25672 | SRAM - Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2,625 V. | 209-LFBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 72 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43LD32128C-18BPL-TR | - - - | ![]() | 3021 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD32128C-18BPL-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | IS25WJ032F-JNLE-TR | 0,7291 | ![]() | 4029 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 2 V | 8-Sop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WJ032F-JNLE-TR | 3.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 6 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 50 µs, 1,6 ms | ||||||
![]() | IS25LP080D-JULE-TR | 0,6114 | ![]() | 8522 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-UFDFN Exposed Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (2x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP080D-JULE-TR | 5.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | 7 ns | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 18.9924 | ![]() | 5318 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V. | 96-TWBGA (10x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR16512A-083TBLA1-TR | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8gbit | 18 ns | Dram | 512 mx 16 | Parallel | 15ns | ||||||
![]() | IS62C1024-70q | 1,5000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-sout | - - - | 3277-IS62C1024-70q | Ear99 | 8542.32.0041 | 100 | Flüchtig | 1Mbit | Sram | 128k x 8 | Parallel | 70ns | Nicht Verifiziert | ||||||||
![]() | IS49NLC36800-25EBLI | - - - | ![]() | 7191 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLC36800 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-FCBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 8m x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS42S16320D-7BLI | 14.6759 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-tfbga | IS42S16320 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 143 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.4 ns | Dram | 32m x 16 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 4570 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | IS49NLS93200 | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | Flüchtig | 288mbit | 15 ns | Dram | 32m x 9 | Hstl | - - - | ||||
![]() | IS43R86400D-5TLI-TR | 7.8600 | ![]() | 8247 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 66-TSSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS43R86400 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 1.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512mbit | 700 ps | Dram | 64m x 8 | Parallel | 15ns | |||
![]() | IS45S32400B-7BLA1 | - - - | ![]() | 4050 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS45S32400 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 144 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 4m x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS61NLF51236-6.5B3I-TR | - - - | ![]() | 8717 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 133 MHz | Flüchtig | 18mbit | 6,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS25LP128F-JLLA3-TR | 2.2238 | ![]() | 5087 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-WDFN Exponte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-Wson (8x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP128F-JLLA3-TR | 4.000 | 166 MHz | Nicht Flüchtig | 128mbit | 6,5 ns | Blitz | 16 mx 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS46TR16640C-125JBLA1 | 3.8222 | ![]() | 5486 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16640C-125JBLA1 | Ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 64m x 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS25WJ064F-JBLE | 1.6200 | ![]() | 3525 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | * | Tablett | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WJ064F-Jble | 90 | ||||||||||||||||||||
![]() | IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | 7.8141 | ![]() | 7393 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16256 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16256BL-125KBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 256 mx 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS46LD32128B-25BPLA1 | - - - | ![]() | 8282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46LD32128B-25BPLA1 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 128 mx 32 | Hsul_12 | 15ns | ||
![]() | IS25WP032D-JBLA3 | 1.2578 | ![]() | 3033 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | Flash - Nor (SLC) | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WP032D-JBLA3 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 7 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | ||||||
![]() | IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | - - - | ![]() | 1323 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C. | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | SDRAM - DDR3L | - - - | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16256ECL-125LB2LA1-TR | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | Dram | 512 MX 8 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | IS61LPD51236A-200b3-tr | - - - | ![]() | 4019 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LPD51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS61WV10248BLL-10MLI-TR | 12.7500 | ![]() | 8985 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS61WV10248 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 48-minibga (9x11) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 8mbit | 10 ns | Sram | 1m x 8 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | IS62WV25616ECll-35BLI | 3.9214 | ![]() | 4530 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | SRAM - Asynchron | 3,135 V ~ 3,465V | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS62WV25616ECll-35BLI | 480 | Flüchtig | 4mbit | 35 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 35ns | |||||||
![]() | IS49RL18320a-093ebli | 76.6200 | ![]() | 1858 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49RL18320a-093ebli | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576mbit | 7,5 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS61C1024AL-12KLI | - - - | ![]() | 2104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS61C1024 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 21 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | ||||
![]() | IS49RL18320-107EBL | - - - | ![]() | 2949 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 168-lbga | IS49RL18320 | Dram | 1,28 V ~ 1,42 V. | 168-FBGA (13,5x13,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | Flüchtig | 576mbit | 8 ns | Dram | 32m x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | IS43TR81280C-125JBLI | 3.7208 | ![]() | 1086 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | SDRAM - DDR3 | 1,425 V ~ 1,575 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS43TR81280C-125JBLI | 242 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 8 | Parallel | 15ns | ||||||
![]() | IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | 5.5738 | ![]() | 5961 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 96-tfbga | IS46TR16128 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 96-TWBGA (9x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS46TR16128DL-125KBLA2-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | Dram | 128 MX 16 | Parallel | 15ns | ||
![]() | IS29GL128-70GLEB | 4.9552 | ![]() | 9994 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 56-tfbga | Flash - Nor (SLC) | 3v ~ 3,6 V | 56-tfbga (7x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL128-70GLEB | 240 | Nicht Flüchtig | 128mbit | 70 ns | Blitz | 16 mx 8 | CFI | 70 ns, 200 µs | |||||||
![]() | IS62WV12816DBLL-45BLI-TR | - - - | ![]() | 6107 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV12816 | SRAM - Asynchron | 2,5 V ~ 3,6 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.500 | Flüchtig | 2mbit | 45 ns | Sram | 128k x 16 | Parallel | 45ns | ||||
![]() | IS61LF51236A-7,5B3I-TR | - - - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61LF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-tfbga (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 2.000 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - |
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