SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
IS42S16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI 2.7454
RFQ
ECAD 8930 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 54-tfbga IS42S16800 Sdram 3v ~ 3,6 V 54-TFBGA (8x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 348 166 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 8m x 16 Parallel - - -
IS42S32800D-75EB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EB - - -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 240 133 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS62C5128EL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128el-45qli 3.5516
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-Soic (0,445 ", 11,30 mm Breit) SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 32-sout - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS62C5128el-45qli 84 Flüchtig 4mbit 45 ns Sram 512k x 8 Parallel 45ns
IS42S32800B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL - - -
RFQ
ECAD 3731 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS42S32800 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz Flüchtig 256mbit 5.5 ns Dram 8m x 32 Parallel - - -
IS46TR16256AL-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25 - - -
RFQ
ECAD 4967 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS46TR16256AL-125KBLA25 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz Flüchtig 4Gbit 20 ns Dram 256 mx 16 Parallel 15ns
IS49RL36320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-093ebli 129.6426
RFQ
ECAD 4657 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-lbga RLDRAM 3 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49RL36320-093ebli 119 1.066 GHz Flüchtig 1.152Gbit 8 ns Dram 32 mx 36 Parallel - - -
IS46LD32128A-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-18BPLA1 - - -
RFQ
ECAD 8575 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Oberflächenhalterung 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 168-VFBGA (12x12) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS46LD32128A-18BPLA1 Veraltet 1 533 MHz Flüchtig 4Gbit 5.5 ns Dram 128 mx 32 Hsul_12 15ns
IS45S32400E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7TLA1 - - -
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 86-TFSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS45S32400 Sdram 3v ~ 3,6 V 86-TSOP II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz Flüchtig 128mbit 5.4 ns Dram 4m x 32 Parallel - - -
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 17.9550
RFQ
ECAD 3069 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-TFSOP (0,724 ", 18.40 mm Breit) SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 48-tsop i - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 1.500 Flüchtig 16mbit 10 ns Sram 1m x 16 Parallel 10ns
IS43TR81024B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBL 21.5163
RFQ
ECAD 4465 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR3 1,425 V ~ 1,575 V. 78-TWBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43TR81024B-107MBL 136 933 MHz Flüchtig 8gbit 20 ns Dram 1g x 8 Parallel 15ns
IS42VM32160D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160D-6BLI - - -
RFQ
ECAD 7358 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 90-tfbga IS42VM32160 Sdram - Mobil 1,7 V ~ 1,95 V. 90-TFBGA (8x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 240 166 MHz Flüchtig 512mbit 5.4 ns Dram 16 mx 32 Parallel - - -
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR - - -
RFQ
ECAD 4830 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C. Oberflächenhalterung 96-Bga SDRAM - DDR3L - - - 96-Bga - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR 2.000 800 MHz Flüchtig 4Gbit Dram 256 mx 16 Parallel - - -
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EELLL-10B2LA3-TR 11.9035
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga SRAM - Asynchron 2,4 V ~ 3,6 V. 48-tfbga (6x8) - - - ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS64WV51216eebll-10B2LA3-tr 2.500 Flüchtig 8mbit 10 ns Sram 512k x 16 Parallel 10ns
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BLI - - -
RFQ
ECAD 3155 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-lbga IS49RL36160 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 119 933 MHz Flüchtig 576mbit 10 ns Dram 16m x 36 Parallel - - -
IS25LP040E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JYLE-TR 0,4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-UFDFN Exposed Pad IS25LP040 Flash - Nor 2,3 V ~ 3,6 V. 8-uson (2x3) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS25LP040E-JYLE-TR Ear99 8542.32.0071 5.000 104 MHz Nicht Flüchtig 4mbit 8 ns Blitz 512k x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 1,2 ms
IS62WV2568DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568DBLL-45HLI - - -
RFQ
ECAD 9018 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) IS62WV2568 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 32-stSop i Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 234 Flüchtig 2mbit 45 ns Sram 256k x 8 Parallel 45ns
IS46TR16128DL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA1 5.6821
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 190 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS62WV51216BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55TLI-TR 5.7395
RFQ
ECAD 8727 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) IS62WV51216 SRAM - Asynchron 2,5 V ~ 3,6 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 3a991b2a 8542.32.0041 1.000 Flüchtig 8mbit 55 ns Sram 512k x 16 Parallel 55ns
IS25WP064D-JBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-JBLA3 1.7082
RFQ
ECAD 3023 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) Flash - Nor (SLC) 1,65 V ~ 1,95 V. 8-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25WP064D-JBLA3 90 166 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit 5.5 ns Blitz 8m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 40 µs, 800 µs
IS25WE512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE512M-RMLE-TR 7.5522
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 16-soic (0,295 ", 7,50 mm BreiTe) Flash - Nor (SLC) 1,7 V ~ 1,95 V. 16-soic Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25WE512M-RMLE-TR 1.000 112 MHz Nicht Flüchtig 512mbit Blitz 64m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 50 µs, 1 ms
IS46LQ16128A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA1-TR - - -
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 200-VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V. 200-VFBGA (10x14,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46LQ16128A-062BLA1-TR 2.500 1,6 GHz Flüchtig 2Gbit 3,5 ns Dram 128 MX 16 LVSTL 18ns
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BI - - -
RFQ
ECAD 4395 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga IS49NLS18160 RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-FCBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz Flüchtig 288mbit 20 ns Dram 16m x 18 Parallel - - -
IS43TR81024BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI-TR 20.9076
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 78-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 78-TWBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS43TR81024BL-125KBLI-MR 2.000 800 MHz Flüchtig 8gbit 20 ns Dram 1g x 8 Parallel 15ns
IS25LP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLA3-TR 3.9059
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga Flash - Nor (SLC) 2,3 V ~ 3,6 V. 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS25LP256E-RHLA3-TR 2.500 166 MHz Nicht Flüchtig 256mbit 6,5 ns Blitz 32m x 8 Spi - quad i/o, qpi, dtr 50 µs, 1 ms
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR 33.1569
RFQ
ECAD 7883 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-LFBGA SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-LWBGA (10x14) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR 2.000 800 MHz Flüchtig 16gbit 20 ns Dram 1g x 16 Parallel 15ns
IS25WX064-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLE-TR 2.0087
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Tbga IS25WX064 Blitz 1,7 V ~ 2 V 24-TFBGA (6x8) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS25WX064-JHLE-TR 3a991b1a 8542.32.0071 2.500 200 MHz Nicht Flüchtig 64Mbit Blitz 8m x 8 Spi - oktal i/o - - -
IS49RL36160-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BL - - -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Veraltet 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 168-lbga IS49RL36160 Dram 1,28 V ~ 1,42 V. 168-FBGA (13,5x13,5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 119 933 MHz Flüchtig 576mbit 10 ns Dram 16m x 36 Parallel - - -
IS46TR16128DL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2 7.1594
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Automobil, AEC-Q100 Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Oberflächenhalterung 96-tfbga SDRAM - DDR3L 1,283v ~ 1,45 V. 96-TWBGA (9x13) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) 706-IS46TR16128DL-107MBLA2 190 933 MHz Flüchtig 2Gbit 20 ns Dram 128 MX 16 Parallel 15ns
IS49NLC93200A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25EWBLI 31.9177
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 144-tfbga RLDRAM 2 1,7 V ~ 1,9 V. 144-TWBGA (11x18.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen 706-IS49NLC93200A-25EWBLI 104 400 MHz Flüchtig 288mbit 15 ns Dram 32m x 9 Hstl - - -
IS46DR81280B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA2 - - -
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - - - Tablett Aktiv -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Oberflächenhalterung 60-tfbga IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 V ~ 1,9 V. 60-TWBGA (8x10.5) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8542.32.0032 242 400 MHz Flüchtig 1Gbit 400 ps Dram 128 MX 8 Parallel 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus