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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS25WP032A-JBLE | - - - |  | 4753 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25WP032 | Flash - Nor | 1,65 V ~ 1,95 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
 | IS66WVO8M8DALL-200BLI | 4.7200 | | 35 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS66WVO8M8 | Psram (pseudo sram) | 1,7 V ~ 1,95 V. | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-is66WVO8M8DALL-200BLI | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 480 | 200 MHz | Flüchtig | 64Mbit | Psram | 8m x 8 | Spi - oktal i/o | 40ns | ||
 | IS61NLP25618A-200B3I | - - - | | 6157 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | IS61NLP25618 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-PBGA (13x15) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS45S16800E-7TLA2 | - - - | | 3578 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS45S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS61LPS204818B-200TQLI | 80.9126 | | 5428 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61LPS204818 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 3.1 ns | Sram | 2m x 18 | Parallel | - - - | ||
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 | IS43TR85120BL-125KBLI-TR | 7.9135 | | 9478 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Automobil, AEC-Q100 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 78-tfbga | IS43TR85120 | SDRAM - DDR3L | 1,283v ~ 1,45 V. | 78-TWBGA (8x10.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43TR85120BL-125KBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 800 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 20 ns | Dram | 512 MX 8 | Parallel | 15ns | |
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 | IS42S16800D-7B-TR | - - - | | 4033 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 54-VFBGA | IS42S16800 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 54-Minibga (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128mbit | 5.4 ns | Dram | 8m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS25WX512M-JHLA3-TR | 8.7000 | | 1645 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Tbga | IS25WX512m | Blitz | 1,7 V ~ 2 V | 24-TFBGA (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS25WX512M-JHLA3-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.500 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 512mbit | Blitz | 64m x 8 | Spi - oktal i/o | - - - | ||
 | IS46DR16320D-3DBLA2 | 6.8390 | | 3207 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Nicht für Designs | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS61DDPB41M18A-400M3L | 44.1540 | | 1666 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDPB41 | SRAM - Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | |||
| IS61NLF12836EC-7.5TQLI | 7.5262 | | 6371 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLF12836 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | IS21TF16G-JQLI-TR | 24.9000 | | 2699 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100 lbga | IS21TF16G | Flash - Nand (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V. | 100-LFBGA (14x18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS21TF16G-JQLI-TR | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Nicht Flüchtig | 128Gbit | Blitz | 16g x 8 | MMC | - - - | ||
| IS25CQ032-JBLE-TR | - - - | | 2799 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,209 ", 5,30 mm Breit) | IS25CQ032 | Blitz | 2,7 V ~ 3,6 V. | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b1a | 8542.32.0071 | 2.000 | 104 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | Blitz | 4m x 8 | Spi | 4 ms | |||
| IS61NLF102418B-7.5TQLI-TR | 13.9821 | | 2930 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLF102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
| IS43DR16320D-3DBI-TR | - - - | | 1211 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS43DR16320 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 512mbit | 450 ps | Dram | 32m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS62WV25616ALL-70BI | - - - | | 6353 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | IS62WV25616 | SRAM - Asynchron | 1,65 V ~ 2,2 V. | 48-tfbga (6x8) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS62WV25616ALL-70BI | Veraltet | 480 | Flüchtig | 4mbit | 70 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 70ns | |||
 | IS61WV1288EELL-10HLI-TR | 1.6344 | | 7610 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-TFSOP (0,465 ", 11.80 mm Breit) | IS61WV1288 | SRAM - Asynchron | 2,4 V ~ 3,6 V. | 32-stSop i | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | |||
| IS25LP032D-JTLE-TR | 0,8410 | | 6107 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-udfn Exponierte Pad | Flash - Nor (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-uson (4x3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP032D-JTLE-TR | 5.000 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 32Mbit | 7 ns | Blitz | 4m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 40 µs, 800 µs | |||||
| IS46LR32160B-6BLA2-TR | - - - | | 8452 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 90-tfbga | IS46LR32160 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V. | 90-TFBGA (8x13) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 166 MHz | Flüchtig | 512mbit | 5.5 ns | Dram | 16 mx 32 | Parallel | 12ns | ||
| IS61NLP102418-200TQLI | - - - | | 7574 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLP102418 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | Flüchtig | 18mbit | 3.1 ns | Sram | 1m x 18 | Parallel | - - - | ||
 | IS42S16100C1-6TL-TR | - - - | | 8090 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 50-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | IS42S16100 | Sdram | 3v ~ 3,6 V | 50-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 166 MHz | Flüchtig | 16mbit | 5.5 ns | Dram | 1m x 16 | Parallel | - - - | ||
 | IS43LD16256A-25BPLI-TR | - - - | | 2836 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 168-VFBGA | IS43LD16256 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V. | 168-VFBGA (12x12) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS43LD16256A-25BPLI-TR | Veraltet | 1 | 400 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5.5 ns | Dram | 256 mx 16 | Hsul_12 | 15ns | ||
 | IS25LP080D-JVLE | - - - | | 2104 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | IS25LP080 | Flash - Nor | 2,3 V ~ 3,6 V. | 8-vvsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | Nicht Flüchtig | 8mbit | Blitz | 1m x 8 | Spi - quad i/o, qpi, dtr | 800 µs | |||
| IS61DDP2B451236A-400m3L | 44.1540 | | 8444 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Tablett | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-lbga | IS61DDP2 | SRAM - Synchron, DDR IIP | 1,71 V ~ 1,89 V. | 165-LFBGA (15x17) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | Flüchtig | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | |||
| IS46DR16160B-3DBLA2-TR | 6.1800 | | 4797 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 84-tfbga | IS46DR16160 | SDRAM - DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 84-TWBGA (8x12,5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 333 MHz | Flüchtig | 256mbit | 450 ps | Dram | 16m x 16 | Parallel | 15ns | ||
| IS61NLF51236-7.5TQLI-TR | - - - | | 4460 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | IS61NLF51236 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-LQFP (14x20) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | Flüchtig | 18mbit | 7,5 ns | Sram | 512k x 36 | Parallel | - - - | ||
| IS49NLC96400A-25EWBL | 49.5275 | | 1732 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Oberflächenhalterung | 144-tfbga | RLDRAM 2 | 1,7 V ~ 1,9 V. | 144-TWBGA (11x18.5) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | 706-IS49NLC96400A-25EWBL | 104 | 400 MHz | Flüchtig | 576mbit | 15 ns | Dram | 64m x 9 | Hstl | - - - |
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