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Speicher(5712)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS46R16160F-6TLA2-TR | 4.8763 |  | 2333 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS46LR32160C-6BLA2 | 12.4533 | | 3246 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS46LR32160 | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16M x 32 | Parallel | 12ns | ||
 | IS43LD32160A-25BLI | 8.3985 | | 3227 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | IS43LD32160 | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 171 | 400 MHz | Flüchtig | 512Mbit | DRAM | 16M x 32 | Parallel | 15ns | |||
 | IS21ES16G-JQLI | - | | 9866 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Bei SIC eingestellt | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | IS21ES16 | FLASH - NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS21ES16G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 128 Gbit | BLITZ | 16G x 8 | eMMC | - | ||
| IS45S32400F-7BLA1-TR | 5.8800 | | 4253 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 37.0582 | | 4363 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-LWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA2 | 136 | 800 MHz | Flüchtig | 16Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 16 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS61NLP12836B-200TQI-TR | - | | 4240 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NLP12836 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,1 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
| IS43LD32128B-18BLI | 12.2129 | | 6850 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TC) | Oberflächenmontage | 134-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR2-S4 | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-TFBGA (10x11,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LD32128B-18BLI | 171 | 533 MHz | Flüchtig | 4Gbit | 5,5 ns | DRAM | 128M x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||
| IS25LP512M-RMLA3-TR | 7.8141 | | 2052 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 125°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 2,3 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25LP512M-RMLA3-TR | 1.000 | 133 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 7 ns | BLITZ | 64M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | |||||
 | IS61VPS102436B-250B3L | 94.1664 | | 1583 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | IS61VPS102436 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Flüchtig | 36Mbit | 2,8 ns | SRAM | 1M x 36 | Parallel | - | ||
| IS46TR16640C-107MBLA2 | 4.2332 | | 7810 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46TR16640C-107MBLA2 | 190 | 933 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |||||
| IS43QR81024A-075VBL-TR | 16.5585 | | 9463 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR81024A-075VBL-TR | 2.000 | 1.333 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 18 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | |||||
 | IS25LP020E-JYLE-TR | 0,3100 | | 3706 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 8-UFDFN freiliegendes Pad | IS25LP020 | BLITZ - NOCH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-USON (2x3) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS25LP020E-JYLE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Nicht flüchtig | 2Mbit | 8 ns | BLITZ | 256K x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 1,2 ms | |
| IS25WE256E-RMLE-TR | 4.2125 | | 6322 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 16-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | FLASH – NOR (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS25WE256E-RMLE-TR | 1.000 | 166 MHz | Nicht flüchtig | 256 Mbit | BLITZ | 32M x 8 | SPI – Quad-I/O, QPI, DTR | 50µs, 1ms | ||||||
| IS61NVP51236-200TQLI-TR | - | | 5817 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | IS61NVP51236 | SRAM – Synchron, SDR | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-LQFP (14x20) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 3,1 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| IS22TF128G-JCLA1 | 74.3716 | | 8653 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 153-VFBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF128G-JCLA1 | 152 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 1Tbit | BLITZ | 128G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
| IS29GL032-70BLED | 2.7864 | | 1313 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 105°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | FLASH – NOR (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS29GL032-70BLED | 480 | Nicht flüchtig | 32Mbit | 70 ns | BLITZ | 2M x 16 | CFI | 70er Jahre | ||||||
 | IS45S32400F-7TLA1 | 5.7340 | | 2238 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 86-TFSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS45S32400 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 86-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 4M x 32 | Parallel | - | ||
 | IS49RL36160A-093EBL | 88.0700 | | 119 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 168-LBGA | IS49RL36160 | RLDRAM 3 | 1,28 V ~ 1,42 V | 168-FBGA (13,5 x 13,5) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS49RL36160A-093EBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 119 | 1.066 GHz | Flüchtig | 576Mbit | 7,5 ns | DRAM | 16M x 36 | Parallel | - | |
| IS43LR32320C-5BLI | 8.9852 | | 2599 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 90-TFBGA | SDRAM – Mobiles LPDDR | 1,7 V ~ 1,95 V | 90-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43LR32320C-5BLI | 240 | 208 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 5 ns | DRAM | 32M x 32 | Parallel | 14,4 ns | |||||
 | IS42S16800F-6TLI | 2.5379 | | 8874 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS42S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
 | IS43R16320D-5BL-TR | 7.5000 | | 5575 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 60-TFBGA | IS43R16320 | SDRAM - DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 60-TFBGA (8x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 200 MHz | Flüchtig | 512Mbit | 700 PS | DRAM | 32M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS26KL512S-DABLI00 | - | | 3738 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-VBGA | IS26KL512 | BLITZ - NOCH | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-VFBGA (6x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS26KL512S-DABLI00 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 100 MHz | Nicht flüchtig | 512Mbit | 96 ns | BLITZ | 64M x 8 | Parallel | - | |
 | IS43TR16128B-125KBLI | - | | 9345 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM - DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | Flüchtig | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 128M x 16 | Parallel | 15ns | ||
 | IS42S16800F-7BLI | 3.2200 | | 1684 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 54-TFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V ~ 3,6V | 54-TFBGA (8x8) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | Flüchtig | 128 Mbit | 5,4 ns | DRAM | 8M x 16 | Parallel | - | ||
| IS46QR81024A-083TBLA1 | 19.5816 | | 3735 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS46QR81024A-083TBLA1 | 136 | 1,2 GHz | Flüchtig | 8Gbit | 18 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallel | 15ns | |||||
| IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 | | 6033 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LBGA | FLASH - NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1.000 | 200 MHz | Nicht flüchtig | 1Tbit | BLITZ | 128G x 8 | eMMC_5.1 | - | ||||||
| IS43TR16640BL-125KBL-TR | - | | 1743 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automobil, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Veraltet | 0°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM - DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-TWBGA (9x13) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 800 MHz | Flüchtig | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64M x 16 | Parallel | 15ns | |
| IS43QR85120B-083RBLI-TR | 9.5494 | | 3476 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -40°C ~ 95°C (TC) | Oberflächenmontage | 78-TFBGA | SDRAM - DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-TWBGA (10x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | 706-IS43QR85120B-083RBLI-TR | 2.000 | 1,2 GHz | Flüchtig | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512M x 8 | POD | 15ns | |||||
| IS43R16160D-6TL | 4.5300 | | 1808 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tablett | Nicht für neue Designs | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | IS43R16160 | SDRAM - DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | Flüchtig | 256 Mbit | 700 PS | DRAM | 16M x 16 | Parallel | 15ns |
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