SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie SPANNUNG - Verrorane LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Taktfrequenz Speichertyp Speichergrö Zugriffszeit Speicherformat Speicherorganisation Speicherschnittstelle Zykluszeitscheiben - Würze, Site
71016S12PH IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12PH 1.3400
RFQ
ECAD 373 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) 71016s SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 44-tsop II Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen Ear99 8542.32.0041 1 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 64k x 16 Parallel 12ns
71V65703S75BQ IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75BQ 26.6900
RFQ
ECAD 183 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga 71v65703 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 165-cabga (13x15) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 9mbit 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
71016S12PHGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71016S12Phgi - - -
RFQ
ECAD 4117 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) 71016s SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 44-tsop II Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.32.0041 1 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 64k x 16 Parallel 12ns
71V3578S133PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3578S133PF - - -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3578 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 4,5mbit 4.2 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V65703S75PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65703S75Pfi 6.0000
RFQ
ECAD 128 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v65703 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 9mbit 7,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
71V65803S100BGG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100BGG 26.6900
RFQ
ECAD 116 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 119-Bga 71v65803 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 119-PBGA (14x22) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 9mbit 5 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
6116SA25SOGI IDT, Integrated Device Technology Inc 6116SA25SOGI 5.4600
RFQ
ECAD 89 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 24-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) 6116SA SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 24-soic Herunterladen Ear99 8542.32.0041 1 Flüchtig 16Kbit 25 ns Sram 2k x 8 Parallel 25ns
71V547X5S100PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547X5S100PFG - - -
RFQ
ECAD 4384 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v547 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 10 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71V3559S85BQG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S85BQG 10.1900
RFQ
ECAD 6566 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 165-Tbga 71v3559 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 165-cabga (13x15) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 8.5 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V3557S80PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3557S80PFI 2.0100
RFQ
ECAD 439 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3557 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 8 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71024S12YG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71024S12YG8 - - -
RFQ
ECAD 3264 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) 71024s SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 32-soj Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 1Mbit 12 ns Sram 128k x 8 Parallel 12ns
71V424L15YG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V424L15YG 4.5600
RFQ
ECAD 6347 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) 71v424 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 36-soj Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 46 Flüchtig 4mbit 15 ns Sram 512k x 8 Parallel 15ns
71256S35DB IDT, Integrated Device Technology Inc 71256S35DB 37.2500
RFQ
ECAD 37 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 28-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) 71256s SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-cdip Herunterladen 3a001a2c 8542.32.0041 1 Flüchtig 256Kbit 35 ns Sram 32k x 8 Parallel 35ns
71V3559S85PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S85PFG - - -
RFQ
ECAD 6879 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3559 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 8.5 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V65803S100PFI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V65803S100PFI 6.0000
RFQ
ECAD 155 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v65803 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 9mbit 5 ns Sram 512k x 18 Parallel - - -
71V547XS100PF IDT, Integrated Device Technology Inc 71V547XS100PF 1.6600
RFQ
ECAD 598 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v547 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 10 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71V67602S166PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67602S166PFG 26.6900
RFQ
ECAD 211 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v67602 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 166 MHz Flüchtig 9mbit 3,5 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
7164L85TDB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164L85TDB - - -
RFQ
ECAD 8061 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 28-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) 7164L SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-cdip Herunterladen 3a001a2c 8542.32.0041 1 Flüchtig 64Kbit 85 ns Sram 8k x 8 Parallel 85ns
71V3559S80PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3559S80PFG 7.6600
RFQ
ECAD 338 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3559 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4,5mbit 8 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V3558S100PFGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S100PFGI 11.0800
RFQ
ECAD 594 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3558 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 100 MHz Flüchtig 4,5mbit 5 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V3558S133PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3558S133PFG 7.6600
RFQ
ECAD 633 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v3558 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 133 MHz Flüchtig 4,5mbit 4.2 ns Sram 256k x 18 Parallel - - -
71V016SA20BFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V016SA20BFG 5.0600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-lfbga 71v016 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 48-cabga (7x7) Herunterladen 3A991B2B 8542.32.0041 1 Flüchtig 1Mbit 20 ns Sram 64k x 16 Parallel 20ns
71V124SA10TYG8 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V124SA10TYG8 2.9800
RFQ
ECAD 125 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) 71v124 SRAM - Asynchron 3,15 V ~ 3,6 V. 32-soj Herunterladen 3A991B2B 8542.32.0041 1 Flüchtig 1Mbit 10 ns Sram 128k x 8 Parallel 10ns
71V416VS10BEI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V416VS10BEI - - -
RFQ
ECAD 1920 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 48-tfbga 71v416v SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 48-cabga (9x9) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Reichweiite Betroffen 3a991b2a 8542.32.0041 1 Flüchtig 4mbit 10 ns Sram 256k x 16 Parallel 10ns
71V3577S85BGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V3577S85BGI 10.8200
RFQ
ECAD 740 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 119-Bga 71v3577 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 119-PBGA (14x22) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 87 MHz Flüchtig 4,5mbit 8.5 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71V67603S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V67603S150PFG 27.5600
RFQ
ECAD 219 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71v67603 SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 3a991b2a 8542.32.0041 1 150 MHz Flüchtig 9mbit 3.8 ns Sram 256k x 36 Parallel - - -
71V35761S166BGGI IDT, Integrated Device Technology Inc 71V35761S166BGGI - - -
RFQ
ECAD 2436 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Tablett Veraltet -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Oberflächenhalterung 119-Bga 71v35761s SRAM - Synchron, SDR 3,135 V ~ 3,465V 119-PBGA (14x22) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3a991b2a 8542.32.0041 84 166 MHz Flüchtig 4,5mbit 3,5 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
71V256SA15YG6 IDT, Integrated Device Technology Inc 71V256SA15YG6 - - -
RFQ
ECAD 2969 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) 71V256 SRAM - Asynchron 3v ~ 3,6 V 28-soj Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 3A991B2B 8542.32.0041 1 Flüchtig 256Kbit 15 ns Sram 32k x 8 Parallel 15ns
7164S55DB IDT, Integrated Device Technology Inc 7164S55db - - -
RFQ
ECAD 6833 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 125 ° C (TA) K. Loch 28-CDIP (0,600 ", 15,24 mm) 7164s SRAM - Asynchron 4,5 V ~ 5,5 V. 28-cdip Herunterladen 3a001a2c 8542.32.0041 1 Flüchtig 64Kbit 55 ns Sram 8k x 8 Parallel 55ns
71V2546S150PFG IDT, Integrated Device Technology Inc 71V2546S150PFG 7.6600
RFQ
ECAD 612 0.00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - - - Schüttgut Aktiv 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Oberflächenhalterung 100-LQFP 71V2546 SRAM - Synchron, SDR (ZBT) 3,135 V ~ 3,465V 100-TQFP (14x14) Herunterladen 8542.32.0041 1 150 MHz Flüchtig 4,5mbit 3.8 ns Sram 128k x 36 Parallel - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus