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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V424S15YI | - |  | 2568 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V424 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 36-SOJ | - | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 15ns | ||
 | 71256SA12YI | - | | 7687 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | 71256SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 12ns | ||
 | 71V416YS12PHG | - | | 8832 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Rohr | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V416Y | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 26 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | ||||
 | 71256S35DB | 37.2500 | | 37 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,600", 15,24 mm) | 71256S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 35 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 35ns | |||||
 | 71V35761S166BGGI | - | | 2436 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Tablett | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BGA | 71V35761S | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | ROHS3-konform | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||
 | 71V3558SA166BQG | - | | 9585 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71V3558 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 17 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | ||||
| 7164L45TDB | - | | 5295 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 7164L | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 45 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 45ns | |||||
| 71V546X5S133PFG | - | | 5205 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V546 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | - | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||
 | 71V016SA10YG | - | | 7664 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V016 | SRAM – Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 10ns | |||||
 | 71V3559S80PF | - | | 5095 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | ||
| 71V65603S133PF | 4.5000 | | 2 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V65603 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 4,2 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | |
 | 6116SA20TPGI | - | | 8996 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Durchgangsloch | 24-DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 20ns | |||||
 | 6116SA20SOI | 2.9400 | | 326 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 20ns | ||
| 71V416VS10PHG | - | | 9886 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V416V | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 10ns | ||
 | 71V3577SYZC3G | - | | 4316 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | - | - | 71V3577 | SRAM – Standard | 3.135 V ~ 3.465 V | - | herunterladen | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5 Mbit | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||
| 71V3558S133PF | 2.0100 | | 163 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3558 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | |
| 71V546S133PF | 1.6600 | | 986 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V546 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |
| 71V3577S80BQI | - | | 9610 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71V3577 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||||
 | 71V124SA12PHI | - | | 4853 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 12ns | ||
| 6116LA20TPG | - | | 5041 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 24-DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 20ns | |||||
| 71T75802S133PFI | - | | 3429 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71T75802 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 4,2 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | |
| 71V3559S80PFG | 7.6600 | | 338 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3559 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | |||||
| 71V016SA12YGI | - | | 7666 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V016 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-SOJ | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 12ns | |||||
| 7164S55TDB | - | | 2841 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 7164S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 55ns | |||||
| 7164L20TP | - | | 3960 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 28-DIP (0,300", 7,62 mm) | 7164L | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 20ns | ||
 | 71V124SA15YGI | - | | 1885 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 15ns | ||
| 71V416S12PH | - | | 9847 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V416S | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | ||
| 6116LA45SOGI | - | | 7517 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | 6116LA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | herunterladen | ROHS3-konform | 1 (Unbegrenzt) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 45 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 45ns | ||
| 71V124HSA10PH | - | | 2739 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 10ns | ||
| 71256S85DB | 37.2500 | | 135 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,600", 15,24 mm) | 71256S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 85 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 85ns |
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