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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
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![]() | 71V2556S100PFG | 7.6600 | ![]() | 416 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71V2556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71V3557S85PF | 2.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3557 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V65703S85BQI | 29.1800 | ![]() | 377 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | 71v65703 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71V65603ZS133PFG | 6.0000 | ![]() | 121 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v65603 | SRAM - ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||||
![]() | 6116SA20SOI | 2.9400 | ![]() | 326 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | 6116SA | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-soic | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 20ns | |||
![]() | 71v416vl10begi | - - - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | 71v416v | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (9x9) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | |||
![]() | 71V3559S80PF | - - - | ![]() | 5095 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3559 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 8 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71256SA20TPI | - - - | ![]() | 4844 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 71256s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Pdip | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | |||
![]() | 7164S55TDB | - - - | ![]() | 2841 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 28-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 7164s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-cdip | Herunterladen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 55ns | ||||||
![]() | 6116SA20TPGI | - - - | ![]() | 8996 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 24-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-Pdip | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 20ns | ||||||
![]() | 6116LA20TPG | - - - | ![]() | 5041 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 24-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6116la | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-Pdip | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 20ns | ||||||
![]() | 71V3577S75PFG | - - - | ![]() | 2920 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3577 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||||
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![]() | 71v416yl12Phg | 2.0100 | ![]() | 161 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416y | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 26 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 12ns | |||||
![]() | 6116LA70TDB | 22.3600 | ![]() | 114 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 24-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 6116la | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-CDIP | Herunterladen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 70 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 70ns | ||||||
![]() | 71V3576S150PF | - - - | ![]() | 6532 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3576 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
![]() | 71V3578S150PFG | 7.6600 | ![]() | 141 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3578 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||||
![]() | 71V546S100PFG | 6.4900 | ![]() | 179 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v546 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 47 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | ||||
![]() | 71256L35YI | - - - | ![]() | 3034 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 71256l | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 35 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 35ns | |||
![]() | 71016S12PH | 1.3400 | ![]() | 373 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | |||
![]() | 71016S12Phgi | - - - | ![]() | 4117 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | |||
![]() | 6116SA25SOGI | 5.4600 | ![]() | 89 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 24-Soic (0,295 ", 7,50 mm Breit) | 6116SA | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 24-soic | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 25 ns | Sram | 2k x 8 | Parallel | 25ns | ||||||
![]() | 71V547X5S100PFG | - - - | ![]() | 4384 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v547 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | - - - | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 10 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V3559S85BQG | 10.1900 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | 71v3559 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71V3558S100PFGI | 11.0800 | ![]() | 594 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3558 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||||
![]() | 71V3558S133PFG | 7.6600 | ![]() | 633 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3558 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||||
![]() | 71V016SA20BFG | 5.0600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lfbga | 71v016 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (7x7) | Herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 20ns | ||||||
![]() | 71024S12YG8 | - - - | ![]() | 3264 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71024s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-soj | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 12ns | ||||||
![]() | 71V3557S80PFI | 2.0100 | ![]() | 439 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3557 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 7164L25YG | - - - | ![]() | 4677 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 7164L | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 25ns |
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
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