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Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site | SIC -Programmierbar |
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![]() | 7164L45TDB | - - - | ![]() | 5295 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 28-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 7164L | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-cdip | Herunterladen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 45 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 45ns | |||||||
![]() | 71V35761SA166BGI | 11.7900 | ![]() | 34 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71v416vl15 -beg | 2.6600 | ![]() | 494 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | 71v416v | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
![]() | 71V65603S100PFI | 4.5000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v65603 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 9mbit | 5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V632S7PFI | - - - | ![]() | 6094 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v632 | SRAM - Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Flüchtig | 2mbit | 7 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V2556S133PFGI | - - - | ![]() | 7460 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71V2556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | 71V416S12PH | - - - | ![]() | 9847 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416s | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 12ns | ||||
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![]() | 71V67603S150BQ | - - - | ![]() | 6658 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | 71v67603 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V35761SA200BG | 14.7800 | ![]() | 29 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v35761s | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71V25761S183Pfi | 2.0100 | ![]() | 7372 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71V25761 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 2156-71V25761S183Pfi | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 183 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5.5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | Nicht Verifiziert | |
![]() | 71v3576ys150pf | 1,5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3576 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V632S7PFGI | - - - | ![]() | 2184 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v632 | SRAM - Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 66 MHz | Flüchtig | 2mbit | 7 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71V3558S200PFG | - - - | ![]() | 2631 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3558 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.2 ns | Sram | 256k x 18 | Parallel | - - - | |||
![]() | 7164L20YGI | 3.8100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 7164L | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-soj | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 20ns | |||||||
![]() | 71V25761S166PF | - - - | ![]() | 5709 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71V25761 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V016SA15BF | 4.1000 | ![]() | 783 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-lfbga | 71v016 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (7x7) | Herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | |||||||
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![]() | 71V546S100PF | 1.6600 | ![]() | 676 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v432 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||
![]() | 71V3556S166PFGI | 10.6800 | ![]() | 175 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||||
![]() | 71256SA20TPGI | 4.4900 | ![]() | 73 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 71256SA | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Pdip | Herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | |||||||
![]() | 71016ns15Phg | 1.3400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016n | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 26 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 15ns | ||||||
![]() | 71016S20y | - - - | ![]() | 2796 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-soj | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 20 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 20ns | ||||
![]() | 71V35761YSA200BG | 3.3300 | ![]() | 156 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v35761y | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.1 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |||||
![]() | 7164S55TDB | - - - | ![]() | 2841 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | K. Loch | 28-CDIP (0,300 ", 7,62 mm) | 7164s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-cdip | Herunterladen | 3a001a2c | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 55ns | |||||||
![]() | 71v416vs10Phg | - - - | ![]() | 9886 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416v | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-tsop II | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||||
![]() | 71V416L12YG8 | 4.1400 | ![]() | 430 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416l | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 12ns | |||||||
![]() | 71256SA20TPI | - - - | ![]() | 4844 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | K. Loch | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 71256s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Pdip | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 20 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 20ns | ||||
![]() | 71V65703S85BQI | 29.1800 | ![]() | 377 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 165-Tbga | 71v65703 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 165-cabga (13x15) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |||||||
![]() | 71v416vl10begi | - - - | ![]() | 1015 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | 71v416v | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (9x9) | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns |
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