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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | SIC programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V65603S133PFI | - |  | 8546 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V65603 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 4,2 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
| 71V2546S133PFG | 7.6600 | | 41 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V2546 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||||||
 | 71V3577S75BQG | 8.6800 | | 259 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71V3577 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 7,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||||
 | 71V256SA15YGI | - | | 2925 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | 71V256 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 28-SOJ | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 15ns | ||||||
 | 71V321S35J | - | | 3453 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Rohr | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 52-LCC (J-Leitung) | 71V321S | SRAM – Dual Port, asynchron | 3V ~ 3,6V | 52-PLCC (19,13 x 19,13) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Flüchtig | 16Kbit | 35 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 35ns | |||||
| 71V65603S100PFG | 1.0000 | | 9555 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V65603 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | Nicht verifiziert | ||||
 | 6116SA25TPG | - | | 6186 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 24-DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 25 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 25ns | ||||||
 | 71V3577S80PFGI | 8.0900 | | 172 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3577 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||||
 | 7164S20TPGI | 7.6600 | | 48 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Durchgangsloch | 28-DIP (0,300", 7,62 mm) | 7164S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 20ns | ||||||
 | 71V416YS15PHI | 2.0100 | | 275 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V416Y | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | 71T75902S85BG | 42.2200 | | 65 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BGA | 71T75902 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2.625 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 18Mbit | 8,5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||||||
| 7164L20YG | 3.3600 | | 1 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | 7164L | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 20ns | ||||||
| 7164S25TPG | 7.3700 | | 131 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 28-DIP (0,300", 7,62 mm) | 7164S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 25ns | ||||||
| 71016S12PHI | - | | 3951 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71016S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 12ns | |||
 | 71P74604S200BQ | 6.6800 | | 389 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71P74 | SRAM – Synchron, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| 71V546XS133PFGI | 1.6600 | | 254 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V546 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||
| 71V67703S75PFG | 19.8800 | | 483 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V67703 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | |||||
| 71V67703S80PFI | - | | 8923 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V67703 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
| 7164S20YG | 3.3600 | | 2 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | 7164S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 20 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 20ns | ||||||
 | 71V424L10YI | 2.0100 | | 9409 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V424 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 36-SOJ | herunterladen | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 10ns | |||
| 71V416S15PH | 2.3100 | | 5227 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V416S | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 15ns | |||
 | 7164S25PDG | - | | 5068 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | 7164S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | herunterladen | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 25ns | ||||||
| 71V016SA12PH | - | | 6190 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V016 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 12ns | |||
| 71V016SA15PH | 1.0700 | | 8373 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V016 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 15ns | |||
| 71V3578S133PFGI | 11.9100 | | 26 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3578 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 256K x 18 | Parallel | - | |||||
 | 7MB4048S25P | 69.9900 | | 20 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 32-DIP (0,600", 15,24 mm) | 7MB4048 | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PDIP | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 25 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 25ns | |||
| 71T75602S100BG | 42.2200 | | 132 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BGA | 71T75602 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2.625 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | |||||
| 71V3556SA133BGG | 11.1600 | | 35 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BGA | 71V3556 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||||
 | 71V547X5S80PFG | - | | 1200 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V547 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | - | Nicht zutreffend | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||
| 71256L25TDB | 39.7300 | | 5817 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 71256L | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 25 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 25ns |
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