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| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | SPANNUNG - Verrorane | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergrö | Zugriffszeit | Speicherformat | Speicherorganisation | Speicherschnittstelle | Zykluszeitscheiben - Würze, Site |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V67602S150BGI | 8.0000 |  | 138 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v67602 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |
| 71V3576S133BGI | - - - | | 9442 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v3576 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |
 | 71V65803S150PFG | 19.8800 | | 271 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v65803 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 9mbit | 3.8 ns | Sram | 512k x 18 | Parallel | - - - | ||||
| 71V67703S85Pfi | - - - | | 2539 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v67703 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 87 MHz | Flüchtig | 9mbit | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |
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| 71V2576S150PF | 1,5000 | | 3 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71V2576 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 3.8 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | |
| 71V632S6PFG | - - - | | 4015 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Tablett | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v632 | SRAM - Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 144 | 83 MHz | Flüchtig | 2mbit | 6 ns | Sram | 64k x 32 | Parallel | - - - | |||
| 71V65603S133PFI | - - - | | 8546 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v65603 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |
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| 71016S12Phi | - - - | | 3951 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-TSOP (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71016s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 44-tsop II | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Parallel | 12ns | ||
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| 7164S25TPG | 7.3700 | | 131 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 28-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | 7164s | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 28-Pdip | Herunterladen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 25 ns | Sram | 8k x 8 | Parallel | 25ns | |||||
| 71V256SA10YG | - - - | | 4281 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 28-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 71V256 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 28-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 10 ns | Sram | 32k x 8 | Parallel | 10ns | ||
 | 71v124sa10tyg | 2.9800 | | 1294 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 32-BSOJ (0,300 ", 7,62 mm Breit) | 71v124 | SRAM - Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V. | 32-soj | Herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 8 | Parallel | 10ns | |||||
| 71v416ys15yg | - - - | | 7827 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 44-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v416y | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 44-soj | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 16 | Flüchtig | 4mbit | 15 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 15ns | ||||
 | 71V416L10Begi | 2.6600 | | 122 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 48-tfbga | 71v416l | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 48-cabga (9x9) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 256k x 16 | Parallel | 10ns | ||
| 71V3577S85PF | 1,5000 | | 5 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v3577 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | 71V424S12YI | - - - | | 9351 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v424 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 36-soj | - - - | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 12 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 12ns | ||
| 71V3556SA133BGG | 11.1600 | | 35 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v3556 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||||
| 71V67603S133PFI | - - - | | 1523 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v67603 | SRAM - Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x14) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 3 (168 Stunden) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9mbit | 4.2 ns | Sram | 256k x 36 | Parallel | - - - | |
| 71V3557S75BGG | - - - | | 2764 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 119-Bga | 71v3557 | SRAM - Synchron, SDR (ZBT) | 3,135 V ~ 3,465V | 119-PBGA (14x22) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5mbit | 7,5 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - | ||
 | 71v424l10yi | 2.0100 | | 9409 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Veraltet | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 36-BSOJ (0,400 ", 10,16 mm Breit) | 71v424 | SRAM - Asynchron | 3v ~ 3,6 V | 36-soj | Herunterladen | Nicht Anwendbar | 3 (168 Stunden) | Verkäfer undefiniert | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 10 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 10ns | ||
 | 7MB4048S25P | 69.9900 | | 20 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | K. Loch | 32 Dip (0,600 ", 15,24 mm) | 7MB4048 | SRAM - Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V. | 32-Pdip | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4mbit | 25 ns | Sram | 512k x 8 | Parallel | 25ns | ||
 | 71V546XS133PFG | 1.6600 | | 337 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - - - | Schüttgut | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Oberflächenhalterung | 100-LQFP | 71v546 | SRAM - Synchron, ZBT | 3,135 V ~ 3,465V | 100-TQFP (14x20) | Herunterladen | 3a991b2a | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 4,5mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Parallel | - - - |
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