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| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Spannung - Versorgung | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Taktfrequenz | Speichertyp | Speichergröße | Zugriffszeit | Speicherformat | Gedächtnisorganisation | Speicherschnittstelle | Schreibzykluszeit – Wort, Seite | SIC programmierbar |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 71V424YL10PH | 2.0100 |  | 199 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V424 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 1 (Unbegrenzt) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 10ns | |||
 | 6116SA15SOG | 5.2200 | | 71 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 24-SOIC (0,295", 7,50 mm Breite) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 15 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 15ns | ||||||
 | 6116SA45DB | 22.3600 | | 19 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 24-CDIP (0,600", 15,24 mm) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 45 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 45ns | ||||||
 | 71V65803S133PFG | 19.8800 | | 776 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V65803 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 4,2 ns | SRAM | 512K x 18 | Parallel | - | |||||
| 71016S12PHG | - | | 5781 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71016S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 12ns | ||||||
 | 71V124SA15YGI8 | 2.6500 | | 303 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-SOJ | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 15ns | ||||||
 | 71V35761S166PFGI | - | | 4903 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V35761S | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||||
| 71T75802S100PFGI | 6.6800 | | 209 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71T75802 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 2.375 V ~ 2.625 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 5 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | 71P72804S167BQGI | 6.6800 | | 7051 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71P72 | SRAM – Synchron, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 1M x 18 | Parallel | - | ||
 | 6116LA15TPG | 2.8000 | | 470 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Durchgangsloch | 24-DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | herunterladen | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 15 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 15ns | ||||||
| 71V67703S80PF | 6.0000 | | 259 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V67703 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 9Mbit | 8 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallel | - | ||
 | 71256SA12YGI | - | | 6346 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 28-BSOJ (0,300", 7,62 mm Breite) | 71256SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 12ns | |||
| 71V124SA15Y | - | | 2241 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 32-SOJ | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | 71V416VS12BEG | 5.0000 | | 1331 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | 71V416V | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 48-CABGA (9x9) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 12ns | |||
| 6116SA45TDB | 22.3600 | | 35 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 24-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 6116SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 16Kbit | 45 ns | SRAM | 2K x 8 | Parallel | 45ns | ||||||
 | 7164L55TDB | 30.3800 | | 13 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 7164L | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 64Kbit | 55 ns | SRAM | 8K x 8 | Parallel | 55ns | ||||||
| 71256S85TDB | 39.7300 | | 11 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 125°C (TA) | Durchgangsloch | 28-CDIP (0,300", 7,62 mm) | 71256S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-CDIP | herunterladen | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 256Kbit | 85 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 85ns | ||||||
| 71V65903S85PFGI | 27.5600 | | 16 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V65903 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 9Mbit | 8,5 ns | SRAM | 512K x 18 | Parallel | - | ||||||
| 71V416VS15BEGI | - | | 5614 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 48-TFBGA | 71V416V | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 48-CABGA (9x9) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | Anbieter nicht definiert | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 256K x 16 | Parallel | 15ns | |||
| 71256SA12TPG | 2.8500 | | 139 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Durchgangsloch | 28-DIP (0,300", 7,62 mm) | 71256SA | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 139 | Flüchtig | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | Parallel | 12ns | Nicht verifiziert | |||||
| 71V016SA20PHI | - | | 2944 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 44-TSOP (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V016 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 44-TSOP II | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallel | 20ns | |||
 | 71V35761SA166BGG | - | | 6162 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 119-BGA | 71V35761S | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | herunterladen | 0000.00.0000 | 1 | 166 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||||||
| 71024S12Y | - | | 1397 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71024S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 12ns | |||
 | 71V124SA10PHGI | - | | 3817 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-SOIC (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V124 | SRAM – Asynchron | 3,15 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | herunterladen | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 10ns | ||||||
| 71024S12YGI | - | | 8395 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | -40°C ~ 85°C (TA) | Oberflächenmontage | 32-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71024S | SRAM – Asynchron | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | Parallel | 12ns | ||||||
| 71P74604S250BQ | 6.6800 | | 486 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71P74 | SRAM – Synchron, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 250 MHz | Flüchtig | 18Mbit | 8,4 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallel | - | ||
| 71V3557S85PFG | 8.6800 | | 1 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V3557 | SRAM – Synchron, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | ||||||
 | 71V424L15Y | 2.0100 | | 246 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Veraltet | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 36-BSOJ (0,400", 10,16 mm Breite) | 71V424 | SRAM – Asynchron | 3V ~ 3,6V | 36-SOJ | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Flüchtig | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512K x 8 | Parallel | 15ns | |||
 | 71V3577S80BQ | 8.6800 | | 8798 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 165-TBGA | 71V3577 | SRAM – Synchron, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | herunterladen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallel | - | |||||
| 71V632ZS5PF | - | | 7694 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Schüttgut | Aktiv | 0°C ~ 70°C (TA) | Oberflächenmontage | 100-LQFP | 71V632 | SRAM – Synchron, SDR | 3,135 V ~ 3,63 V | 100-TQFP (14x20) | herunterladen | Nicht RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH betroffen | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Flüchtig | 2Mbit | 5 ns | SRAM | 64K x 32 | Parallel | - |
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